mos管的工作區(qū)域 從之前的文章中可以知道,
mos管有三個(gè)工作區(qū)域: 截止區(qū)域 線性(歐姆)區(qū)域 飽和區(qū)域 當(dāng) VGS VTH時(shí),
mos管工作在截止區(qū)域。在該區(qū)域中,
mos管處于關(guān)斷狀態(tài),因?yàn)?/div>
2022-12-19 23:35:5934599 晶體管開(kāi)關(guān)電路在現(xiàn)在電路設(shè)計(jì)中十分常見(jiàn)。經(jīng)典的74LS、74ALS等集成電路內(nèi)部采用晶體管開(kāi)關(guān)電路,但只有普通的驅(qū)動(dòng)能力。三極管開(kāi)關(guān)電路分為兩大類,一類是經(jīng)典的TTL三極管開(kāi)關(guān)電路,一類是MOS管開(kāi)關(guān)電路。 這里會(huì)介紹有關(guān)開(kāi)關(guān)電路的知識(shí),包括 TTL晶體管開(kāi)關(guān)電路,蜂鳴器控制電路——無(wú)源蜂鳴器等等。
2023-02-15 09:12:451251 電子元件及產(chǎn)品在什么情況下會(huì)遭受靜電破壞?可以這么說(shuō):電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過(guò)程都遭受靜電破壞的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機(jī)裝聯(lián)、包裝運(yùn)輸直至產(chǎn)品應(yīng)用,都在靜電的威脅之下。
2023-04-04 09:59:374078 引言:MOS管開(kāi)關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開(kāi)關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。以下電路均以使用增強(qiáng)型MOS為示例。MOS驅(qū)動(dòng)電路的基本要求包括:對(duì)柵極施加足夠高于Vth的電壓的能力,以及對(duì)輸入電容進(jìn)行足夠充電的驅(qū)動(dòng)能力,本節(jié)介紹MOS的驅(qū)動(dòng)電路示例。
2023-06-08 11:55:599272 晶體管開(kāi)關(guān)電路在現(xiàn)在電路設(shè)計(jì)中十分常見(jiàn)。三極管開(kāi)關(guān)電路分為兩大類,一類是經(jīng)典的TTL三極管開(kāi)關(guān)電路,一類是MOS管開(kāi)關(guān)電路。三極管和MOS管作為開(kāi)關(guān)管時(shí),有很多相似之處,也有不同之處,那么在電路設(shè)計(jì)時(shí),兩者之間該如何選擇呢?
2023-06-20 09:14:372019 分立MOS搭建的開(kāi)關(guān)電路在電路設(shè)計(jì)里面非常常見(jiàn),在單板的邏輯設(shè)計(jì),器件控制,供電控制,供電保護(hù)等等方面,都發(fā)揮著巨大的作用。
2023-06-20 14:13:122384 負(fù)載串聯(lián)型開(kāi)關(guān)相比于上節(jié)講到的接地型和跟隨型開(kāi)關(guān),使用更加廣泛,無(wú)論是輕負(fù)載還是重負(fù)載,電路幾乎沒(méi)有額外電流損耗。
2023-06-20 14:18:23985 對(duì)于MOS管,我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">電路設(shè)計(jì)中都會(huì)遇到,那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)電路呢?
2023-06-27 09:20:152128 在設(shè)計(jì)MOS管開(kāi)關(guān)電路時(shí),就要充分了解MOS管的工作原理。在我上一篇文章中,有詳細(xì)地講解MOS管的工作原理。大家可以點(diǎn)下面這個(gè)標(biāo)題直接進(jìn)入,這里就簡(jiǎn)單地提一下。
2023-07-03 15:42:571462 在設(shè)計(jì)MOS管開(kāi)關(guān)電路時(shí),就要充分了解MOS管的工作原理。下面咱們來(lái)詳細(xì)說(shuō)明。
2023-07-20 09:40:171105 晶體管開(kāi)關(guān)電路在現(xiàn)在電路設(shè)計(jì)中十分常見(jiàn)。經(jīng)典的74LS、74ALS等集成電路內(nèi)部采用晶體管開(kāi)關(guān)電路,但只有普通的驅(qū)動(dòng)能力。三極管開(kāi)關(guān)電路分為兩大類,一類是經(jīng)典的TTL三極管開(kāi)關(guān)電路,一類是MOS管開(kāi)關(guān)電路。
2023-07-24 16:54:451525 MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。一般的電源開(kāi)關(guān)電路,控制電源的目的是省電,控制靜態(tài)電流。不過(guò)以下的電路存在著幾個(gè)缺點(diǎn)。
2023-07-31 09:35:381786 MOS管開(kāi)關(guān)電路在DC-DC電源、開(kāi)關(guān)控制、電平轉(zhuǎn)換等電路中都有普遍的應(yīng)用,今天就和大家一起學(xué)習(xí)一下MOS管柵極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。
2023-08-03 09:44:251517 三極管與MOS管組成的電源開(kāi)關(guān)電路一定是NPN與PMOS管組合么?
2023-11-17 16:07:401002 的是一個(gè)三極管加一個(gè)MOS管,或者一個(gè)NMOS加一個(gè)PMOS。常用電路如圖1圖2所示。而我們今天來(lái)討論的是基于圖2電路引起的MOS關(guān)做開(kāi)關(guān)對(duì)輸入端電源的影響。圖1 三極管加MOS管形式開(kāi)關(guān)電路圖2 NMOS加PMOS形式開(kāi)關(guān)電路2. ...
2021-10-29 06:49:15
如圖所示,設(shè)計(jì)的MOS開(kāi)關(guān)電路,NIMH-BAT-B+電壓會(huì)反灌帶VV_4V1和VCC_5V,導(dǎo)致NIMH-BAT-B+的MOS管無(wú)法完全打開(kāi),電壓下降。歡迎大家給出意見(jiàn)。謝謝
2019-11-20 20:30:36
電壓是怎么來(lái)得?按理三極管不通,這電阻上應(yīng)該沒(méi)有回路啊!還有就是當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí),VB基本等于VB1(VB1比VB小0.1V左右),請(qǐng)問(wèn)為什么導(dǎo)通后電壓是小0.1v,而不是一直經(jīng)過(guò)二極管從2到3腳,也就是還是像沒(méi)導(dǎo)通時(shí)一樣VB1比VB小一個(gè)二極管的壓降呢?請(qǐng)問(wèn)高手這個(gè)電路這樣用的目的是什么呢?
2018-11-30 10:36:38
,漏極和源極間的阻抗只有83毫歐,可以認(rèn)為壓降已經(jīng)很小了。P溝道MOS管開(kāi)關(guān)電路PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。需要注意的是,Vgs指的是柵極G
2019-01-28 15:44:35
MOS管開(kāi)關(guān)電路的定義MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。 一般情況下普遍用于
2021-10-29 06:54:59
MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)
2021-10-29 07:22:17
`各位大俠幫小弟看看這個(gè)MOS開(kāi)關(guān)電路是這樣的我要讓單片機(jī)輸出高電平時(shí),然后MOS導(dǎo)通然后輸出一個(gè)低信號(hào)不知道這個(gè)電路有木有問(wèn)題啊還有那個(gè)SI2310不知道是不是這么用得啊大伙兒幫忙看看謝謝了呀`
2013-04-07 11:19:17
做硬件,堆經(jīng)驗(yàn)。分享一個(gè)案例:MOS管電源開(kāi)關(guān)電路,遇到上電沖擊電流超標(biāo),怎么解決的呢?下面是正文部分。—— 正文——最近有一顆用了挺久的MOSFET發(fā)了停產(chǎn)通知,供應(yīng)鏈部門(mén)找到我們研發(fā)...
2021-12-31 07:48:23
MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的?在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V,在可變電阻狀態(tài)中,作為開(kāi)關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6?
2021-04-19 00:07:09
MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡
2018-10-27 11:36:33
MOS管用于開(kāi)關(guān)電路時(shí)候G極有必要串聯(lián)電阻嗎?我用N溝道的,另外還需要接下拉電阻嗎?下拉電阻接多少歐姆合適?還有G極串多少歐姆電阻合適?我項(xiàng)目是通過(guò)單片機(jī)IO口PWM輸出信號(hào)控制MOS管的G極,請(qǐng)問(wèn)單片機(jī)IO口到MOS管G極串電阻和不串電阻有什么區(qū)別?越詳細(xì)越好。
2017-04-20 10:42:01
一個(gè)簡(jiǎn)單的NPN+P_MOS開(kāi)關(guān)控制,負(fù)載是850nm激光二極管,驅(qū)動(dòng)MCU是STC15F2。現(xiàn)在出現(xiàn)mos管容易損壞的情況,本人菜鳥(niǎo)不知道是什么原因造成的,還望各位大神能指點(diǎn)一二
2018-08-29 18:06:20
三極管開(kāi)關(guān)電路作為功率管的控制應(yīng)用廣泛。這里對(duì)一個(gè)實(shí)用開(kāi)關(guān)電路中的各元器件作用作具體分析。 三極管開(kāi)關(guān)控制電路: 上圖是一個(gè)小功率三極管控制大功率三極管(達(dá)林頓管)開(kāi)關(guān)電路。 控制信號(hào)
2015-10-26 14:29:07
u***口接電壓管理芯片出來(lái)的是4.2v,鋰電池也是4.2v,請(qǐng)問(wèn)3個(gè)mos管該怎么來(lái)連接電路?才能形成一個(gè)充電保護(hù)和開(kāi)關(guān)電路保護(hù)負(fù)載請(qǐng)大神告知,萬(wàn)分感謝,最好有一個(gè)大致的電路
2016-04-26 21:24:47
三極管開(kāi)關(guān)電路作為功率管的控制應(yīng)用廣泛。這里對(duì)一個(gè)實(shí)用開(kāi)關(guān)電路中的各元器件作用作具體分析。 三極管開(kāi)關(guān)控制電路: 上圖是一個(gè)小功率三極管控制大功率三極管(達(dá)林頓管)開(kāi)關(guān)電路。 控制信號(hào)
2015-11-06 17:36:45
如下圖,為一個(gè)簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)。Q1為PMOS AO3415,Q2為PNP 2N3906。三極管的E連接MOS管G,通過(guò)100K電阻連接,具體的方式見(jiàn)圖。 上圖為開(kāi)關(guān)電路和MOS規(guī)格書(shū)。個(gè)人分析
2020-04-27 03:45:13
開(kāi)關(guān)電路怎么實(shí)現(xiàn)高低電平?半導(dǎo)體二極管開(kāi)關(guān)特性是什么?二極管構(gòu)成門(mén)電路的缺點(diǎn)是什么?
2021-09-29 07:19:27
最近要做一個(gè)開(kāi)關(guān)電路,開(kāi)關(guān)速度最好是小于1ns,問(wèn)一下各位有什么好的設(shè)計(jì)方案。
2018-12-10 09:34:11
一個(gè)單鍵開(kāi)關(guān)電路,請(qǐng)問(wèn)這個(gè)工作過(guò)程能分析下嗎
2019-01-04 10:02:41
P型MOS管開(kāi)關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
`很好的資料,跟大家分享一下。另外,《晶體管電路設(shè)計(jì)》下冊(cè),也有三極管開(kāi)關(guān)電路和FET開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)的內(nèi)容,而且更詳細(xì)一點(diǎn),大家可以參考一下。`
2013-07-28 10:59:16
常用來(lái)電源開(kāi)關(guān),以及大電流地方開(kāi)關(guān)電路。 實(shí)際上就是三極管比較便宜,用起來(lái)方便,常用在數(shù)字電路開(kāi)關(guān)控制。 MOS管用于高頻高速電路,大電流場(chǎng)合,以及對(duì)基極或漏極控制電流...
2021-10-29 07:49:57
如圖這是一個(gè)電池供電的開(kāi)關(guān)電路 兩個(gè)PMOS管S極與S極相連串聯(lián)在一起,那么問(wèn)題來(lái)了應(yīng)該有個(gè)MOS管電壓是過(guò)不去的啊。
2015-01-20 15:09:33
,所謂的電子開(kāi)關(guān),不用機(jī)械式的開(kāi)關(guān)件,而是采用二極管、三極管這類器件構(gòu)成開(kāi)關(guān)電路。 1.開(kāi)關(guān)二極管開(kāi)關(guān)特性說(shuō)明 開(kāi)關(guān)二極管同普通的二極管一樣,也是一個(gè)PN結(jié)的結(jié)構(gòu),不同之處是要求這種二極管的開(kāi)關(guān)特性
2018-10-09 10:32:58
各位大神,有沒(méi)有什么Mos管或者三極管搭建的開(kāi)關(guān)電路,實(shí)現(xiàn)一個(gè)PIN不接GND(或者接3.3V)時(shí)是導(dǎo)通的,該P(yáng)IN可以經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)電路與其他設(shè)備通訊;而接GND(或者接3.3V)時(shí)該P(yáng)IN處于斷開(kāi)的,無(wú)法與其他設(shè)備連接
2021-06-03 19:11:34
請(qǐng)教諸位大神:如圖是一個(gè)利用P-MOS組成的開(kāi)關(guān)電路。B+是電池端,當(dāng)開(kāi)關(guān)按鍵按下后單片機(jī)獲得供電即將IO口置1,MOS管G極獲得持續(xù)低電平,實(shí)現(xiàn)開(kāi)機(jī)。現(xiàn)在的問(wèn)題是MOS管經(jīng)常性燒壞,懷疑是哪里設(shè)計(jì)出了問(wèn)題,望路過(guò)大神指點(diǎn)迷津,不勝感激!
2018-12-03 21:20:49
MOS管是什么?三極管又是什么?MOS管的開(kāi)關(guān)電路有哪些?
2022-02-23 07:35:46
兩個(gè)mos管,第一個(gè)MOS管柵極接單片機(jī)io口,通過(guò)io口控制通斷繼而控制第二個(gè)mos管通斷,開(kāi)關(guān)頻率要求不高,對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻有要求,開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻都要盡可能小,有沒(méi)有推薦的電路圖和MOS管,圖片是我畫(huà)的簡(jiǎn)單示意圖
2018-10-16 22:40:53
急求,哪位大神有MOS管的驅(qū)動(dòng)電路,我要用TPC8058弄一個(gè)大電流的開(kāi)關(guān)電路,有資料的話分享一下謝謝
2018-01-31 08:47:00
的第一個(gè)電路。 本文將展示四種晶體管開(kāi)關(guān)電路,其中2種使用NMOS,2種使有PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中,有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開(kāi)關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開(kāi)關(guān)的通與斷不會(huì)
2016-08-30 01:01:44
1. 前言MOS管做為開(kāi)關(guān)是一種常用的方式,在電路中比較常用的是一個(gè)三極管加一個(gè)MOS管,或者一個(gè)NMOS加一個(gè)PMOS。常用電路如圖1圖2所示。而我們今天來(lái)討論的是基于圖2電路引起的MOS關(guān)做開(kāi)關(guān)
2021-10-28 06:50:48
如圖mos管開(kāi)關(guān)電路,雖然可以實(shí)現(xiàn)單向?qū)ǎ簿褪强梢苑崔D(zhuǎn)反接嗎,但是有壓降。我看網(wǎng)上有的加控制信號(hào),我不知道控制信號(hào)怎么得到,就向問(wèn)怎么設(shè)計(jì)一個(gè)不用控制信號(hào)的沒(méi)有壓降的電路。
2019-09-16 10:25:24
如有錯(cuò)誤在評(píng)論中指出,謝謝。運(yùn)行環(huán)境:W10AD18.1.9原理圖:簡(jiǎn)易的MOS管開(kāi)關(guān)電路,通過(guò)Switch_signa來(lái)控制通斷(未加濾波)。Q1:增強(qiáng)型PMOS ,源極S接輸入,漏極D接輸出
2021-10-29 06:04:29
` 本帖最后由 gk320830 于 2015-3-6 04:01 編輯
想用單片機(jī)和三極管開(kāi)關(guān)電路控制一個(gè)SRD-12VDC-SL-C的繼電器,只有一個(gè)9v的電源,怎么設(shè)計(jì)啊?`
2013-05-11 17:38:27
一、晶體管開(kāi)關(guān)電路:是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開(kāi)晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開(kāi)關(guān)使用的電路,此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí),由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
各位大神,我想求助一個(gè)電源開(kāi)關(guān)電路,電路要求如下:1、電源開(kāi)關(guān)為觸摸式。2、需要打開(kāi)電源時(shí),手指觸摸開(kāi)關(guān)3-5秒電源接通。3、需要關(guān)閉電源時(shí),手指觸摸開(kāi)關(guān)一下就可以關(guān)閉電源。4、引出線為交流220V,引出線也為交流220V。哪位大神可以幫幫我,謝謝了。我只有1個(gè)積分,求各位大神了。
2015-12-26 14:47:39
轉(zhuǎn)自:電路啊 電源開(kāi)關(guān)電路,經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制,是常用電路之一。本文要講解的電源開(kāi)關(guān)電路,是用MOS管實(shí)現(xiàn)的,且?guī)к涢_(kāi)啟功能。既然帶“軟”開(kāi)啟功能,不妨把這個(gè)電路理解為一個(gè)“軟”妹紙,讓咱們深入去了解她吧!帶軟開(kāi)啟功能的MOS管電源開(kāi)關(guān)電路一、電路說(shuō)明: 電源開(kāi)關(guān)電...
2021-10-28 07:05:53
請(qǐng)教大家,我用MOS管IRFS7730-7PPbF做的PWM開(kāi)關(guān)電路,當(dāng)MOS高速開(kāi)關(guān)時(shí),造成燒毀輸出電路,但是圖紙沒(méi)法發(fā)上來(lái),急需大家指點(diǎn),謝謝
2019-02-15 08:30:00
請(qǐng)問(wèn)單獨(dú)用MOS管開(kāi)關(guān)和三極管配合MOS管做開(kāi)關(guān)有什么區(qū)別呢?
2018-11-27 15:28:29
在測(cè)試的過(guò)程中我首先考慮到的是MOS管,但是經(jīng)過(guò)實(shí)際檢測(cè)以后發(fā)現(xiàn)MOS管的導(dǎo)通壓降比較嚴(yán)重,不適合給5V或者是3.3V的單片機(jī)做開(kāi)關(guān)電路,除非是用12V以上的電源進(jìn)行供電。在做的過(guò)程中我做一點(diǎn)筆記
2021-10-28 09:35:40
48V轉(zhuǎn)15V DC,不能確定是不是開(kāi)關(guān)電路,接有電感和反接二極管,反接二極管IN5819什么作用?如果是開(kāi)關(guān)怎么啟動(dòng)?謝謝
2015-08-27 07:35:28
MOS-FET開(kāi)關(guān)電路
MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-F
2010-05-24 15:47:085471 MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。
2017-05-17 08:30:28128529 MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。
2017-11-27 09:13:4037938 MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用一種電路,是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道,所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。本文為大家?guī)?lái)三種pwm驅(qū)動(dòng)mos管開(kāi)關(guān)電路解析。
2018-01-04 13:41:1456599 MOS管用于高頻高速電路,大電流場(chǎng)合,以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來(lái)說(shuō)低成本場(chǎng)合,普通應(yīng)用的先考慮用三極管,不行的話考慮MOS管。實(shí)際上說(shuō)電流控制慢,電壓控制快這種理解是不對(duì)的。要真正理解得了解雙極晶體管和MOS晶體管的工作方式才能明白。
2018-03-23 14:54:0016914 本文主要介紹了mos管開(kāi)關(guān)電路圖大全(八款mos管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)原理圖詳解)。功率MOSFET屬于電壓型控制器件,只要柵極和源極之間施加的電壓超過(guò)其閥值電壓就會(huì)導(dǎo)通。由于MOSFET存在結(jié)電容,關(guān)斷
2018-03-06 11:16:22355917 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。
2019-07-08 15:46:4229543 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供mos管開(kāi)關(guān)電路圖資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-28 08:53:1745 mos管開(kāi)關(guān)電路圖免費(fèi)下載。
2021-06-16 17:28:45185 電源開(kāi)關(guān)電路,經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制,是常用電路之一。本文要講解的電源開(kāi)關(guān)電路,是用MOS管實(shí)現(xiàn)的,且?guī)к涢_(kāi)啟功能。 ? 電路說(shuō)明 電源開(kāi)關(guān)電路,尤其是MOS管電源開(kāi)關(guān)電路,經(jīng)常
2021-09-02 10:06:5510729 轉(zhuǎn)自:電路啊 電源開(kāi)關(guān)電路,經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制,是常用電路之一。本文要講解的電源開(kāi)關(guān)電路,是用MOS管實(shí)現(xiàn)的,且?guī)к涢_(kāi)啟功能
2021-10-21 14:06:0040 對(duì)輸入端電源的影響。圖1 三極管加MOS管形式開(kāi)關(guān)電路圖2 NMOS加PMOS形式開(kāi)關(guān)電路2. 電路中遇到的問(wèn)題及檢測(cè)結(jié)果在使用圖2做電源開(kāi)關(guān)時(shí),檢測(cè)電源的波...
2021-10-21 14:36:0014 的是MOS管作為開(kāi)關(guān)管的使用。對(duì)于MOS管的選型,注意4個(gè)參數(shù):漏源電壓(D、S兩端承受的電壓)、工作電流(經(jīng)過(guò)MOS管的電路)、開(kāi)啟電壓(讓MOS管導(dǎo)通的G、S電壓)、工作頻率(最大的開(kāi)關(guān)頻率
2021-10-21 18:06:0812 P型MOS管開(kāi)關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下,PMOS晶體管
2021-10-21 19:36:1155 一、mos關(guān)斷電路知識(shí)基礎(chǔ)1、PMOSPMOS是柵極高電平(|Vgs| >Vt)導(dǎo)通,低電平斷開(kāi),可以用來(lái)控制與地之間的導(dǎo)通。對(duì)于PMOS來(lái)說(shuō),一般是源極接電源正極,而柵極接在電源負(fù)極
2021-10-22 09:21:039 如有錯(cuò)誤在評(píng)論中指出,謝謝。運(yùn)行環(huán)境:W10 AD18.1.9原理圖:簡(jiǎn)易的MOS管開(kāi)關(guān)電路,通過(guò)Switch_signa來(lái)控制通斷(未加濾波)。Q1:增強(qiáng)型PMOS ,源極S接輸入,漏極D接輸出
2021-10-22 13:21:0513 MOS管開(kāi)關(guān)電路學(xué)習(xí)過(guò)模擬電路的人都知道三極管是流控流器件,也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流;而MOS管是壓控流器件,也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。 選擇NMOS
2021-10-22 14:21:0010 MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS
2021-10-22 16:21:1830 MOS管開(kāi)關(guān)電路的定義? ? ? ? MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種
2021-10-22 19:51:08132 MOS管主要是由Metal(金屬)、Oxide(氧化物)、Semiconductor(半導(dǎo)體)通過(guò)特殊工藝制成和三極管(電流控制電流型器件)相比,MOS管(電壓控制電流型器件)具有柵極驅(qū)動(dòng)基本不
2021-11-07 11:36:0413 ,在mos的DS和三極管的CE就會(huì)有相應(yīng)的電壓變化。根據(jù)這個(gè)變化可以做成放大電路和開(kāi)關(guān)電路,開(kāi)關(guān)電路即放大電路的狀態(tài)達(dá)到飽和狀態(tài)。今天分享MOS的兩個(gè)開(kāi)關(guān)電路2.電平轉(zhuǎn)換電路這個(gè)電路是雙向電平轉(zhuǎn)換電路分析:當(dāng)uc_io為低電平時(shí),M1導(dǎo)通,V2的電流流過(guò)R2,經(jīng)過(guò)M1的DS到uc_io的低電平,從而實(shí)
2021-12-31 19:25:3364 不就是MOS管開(kāi)關(guān)電路嘛,So easy,閉著眼睛也能設(shè)計(jì)出來(lái)。這里用的是PMOS,所以只要把柵極上拉到源極,再通過(guò)一個(gè)開(kāi)關(guān)控制把柵極拉到地,這樣開(kāi)關(guān)導(dǎo)通的時(shí)候MOS管也導(dǎo)通,完美。
2022-05-12 10:04:585595 對(duì)于MOS管,我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">電路設(shè)計(jì)中都會(huì)遇到,那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)電路呢?
2022-12-08 09:54:212023 在設(shè)計(jì)mos管開(kāi)關(guān)電路時(shí),就要充分了解mos管的工作原理。在我上一篇文章中,有詳細(xì)地講解mos管的工作原理。
2023-01-05 09:39:198285 MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。
2023-05-16 15:08:41912 MOS管開(kāi)關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開(kāi)關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。
2023-06-20 15:34:252948 mos管開(kāi)關(guān)電路原理是什么? MOS管開(kāi)關(guān)電路原理是指一種基于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的開(kāi)關(guān)電路。該電路利用MOSFET的過(guò)渡區(qū)域中的靜電場(chǎng)來(lái)控制電流的流動(dòng),實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)控制的功能。由于
2023-08-25 15:11:271344 MOS開(kāi)關(guān)電路是一種常見(jiàn)的電子電路,用于控制電源的通斷或傳輸信號(hào)。它的連接方式取決于具體的應(yīng)用需求和電路設(shè)計(jì)。下面將詳細(xì)介紹MOS開(kāi)關(guān)電路的連接方式。 一、MOS開(kāi)關(guān)的基本原理 MOS開(kāi)關(guān)是一種利用
2023-12-19 11:27:34571 MOS管是一種具有特殊功能的半導(dǎo)體器件,其英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它在電路中通常作為開(kāi)關(guān)使用,通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的導(dǎo)通和截止。
2024-01-02 18:15:16483
評(píng)論
查看更多