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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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電池管理系統（BMS）作為儲能行業的中樞產品之一，電子工程師一定要關注385A、100V參數的mos管。畢竟該參數的MOS管是經常有使用在電池管理系統中...
當前的新能源車的模塊系統由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發展比較成熟的產品，國內外的模塊廠商已經開發了很多，但是有一個模塊需...
標準CMOS工藝：就是在同一塊襯底上集成NMOS和PMOS,比如在一塊p襯底可以先做一個nmos然后再做一個N阱，再在N阱中摻入p+區形成PMOS。
根軌跡分析法是通用分析方法，不是具體的補償操作方法，下面介紹的極點分裂法是一種具體的電路操作方法
我們在使用精密運放放大微弱信號時，往往需要穩定的高增益和極低的等效輸入噪聲，這時選擇的運放未必能滿足要求，那這么辦？
IGBT在結構上是NPN行MOSFET增加一個P結，即NPNP結構，在原理上是MOS推動的P型BJT。
二極管正向導通時，電子存儲在P區，空穴存儲在N區，此現象叫做電荷存儲效應。外加反向電壓時，電子和空穴分別往相反方向移動，形成反向漂移電流，同時與其他多數...
并聯是元件之間的一種連接方式，其特點是將2個同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來指電路中電子元件的連接方式，即并聯電路。
根據響應載荷的變化來調制晶體管基極或MOS管柵極的偏置基準來實現晶體管或MOS導通時間的改變，從而實現開關穩壓電源輸出的改變，調節LED亮度
走線寬度計算 使用計算出的電流、走線電阻和電壓降值，使用在線走線寬度計算器或考慮 PCB 銅厚度和材料的 PCB 設計軟件來計算所需的走線寬度。
DC-DC的反饋電阻，串聯分壓后給芯片內部的誤差放大器做運算，控制輸出電壓的大小，以達到穩定輸出的目的。
MOS管，全稱為金屬-氧化物-半導體場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體-半導體，是一種常見的半導體器件。根據其工作電壓的不同，MOS管主要可分為高壓...
最近在公司做電動車控制器壞機解析的工作中碰到了一些MOS損壞的機子。在以前的工作中雖然對MOS有一些應用，但是其中的工作原理還沒有仔細的學習過，希望能通...
在變頻器輔助電源或光伏逆變器中，輔助電源的主要作用是將DC高壓降壓后，為驅動IC、主控MCU、通訊模塊芯片等供電。以380V系統的變頻器為例，因輔助電源...
基于TPS61099設計升壓電路，TPS61099外圍需要電感和電容來儲能和放能，需要兩個電阻來設定輸出電壓，需要一個邏輯信號來使能或關斷。
IGBT是變頻器的核心部件，自然要分外關注。 在實際應用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結型晶體管 BJT 和 MOS管。 IGBT實物圖+電路符號圖...
在實際工程應用原理設計時，往往會分很多的地，比如輸入電源地、內部電源地、功率地、模擬地、邏輯地、數字地、機殼地等。
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