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標簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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要說起電路學習進入大學和高中的最大區別，那就是多了三極管MOS管這類元件了，也正是因為這些元件，電路功能才能更加多樣，并且設計出種類繁多，功能豐富的電子...
共模電平：模擬電路處理的信號一般是交流小信號，在給mos管輸入交流小信號之前，要先給mos管施加較大的直流電平
同步整流是一種**提高電路轉換效率**的技術，該技術通常在輸出為**低壓大電流**的開關電源中使用
今天在調試一個DCDC 升壓電路時，接上電源發現過流。電路輸入電壓 24V , 期望升壓到 39 V。
提起電源設計，那肯定會提到的就是開關電源，應用范圍也十分廣，但是開關電源的理解可能也會難到一部分人。 開關電源是利用電子開關器件比如晶體管，MOS管等來...
想要學好電路，首先得學好電子元器件，就好比蓋樓前要先打好地基。而電子元器件中用的最多的莫過于三極管和MOS管。只有理解了這些基礎，才能更好進行電路設計。
示波器是檢測電子線路最有效的工具之一，通過觀察電子電路中一些關鍵節點如某些引腳，MOS管的輸出波形，可以直觀的檢查電路工作是否正常，驗證電子電路設計是否...
在實際應用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結型晶體管 BJT 和 MOS管。
存儲器一般來說可以分為內部存儲器(內存)，外部存儲器(外存)，緩沖存儲器(緩存)以及閃存這幾個大類。內存也稱為主存儲器，位于系統主機板上，可以同CPU直...
UnCox和UpCox以及單個mos的Cox要通過仿真得到，發現這些參數是和MOS的W和L弱相關的，不影響計算，不會有數量級的差異的。
LOD效應也是DSM效應的其中一種。DSM Effect即Deep Sub-Micron Effect，包括WPE、LOD、OSE、Hot carrie...
如果模擬IC工程師你經常用.18um以上的工藝，那么你很可能從來沒有關注過WPE以及LOD（Length Of Diffusion）效應。
這一篇，總結一下level shifter的晶體管級工作原理，就從最傳統的結構講起，詳細分析這個level shifter是怎么實現電平轉換功能的。
米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關，當GE之間電壓大于閾值點的時候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢
基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術...
以N管為例（P管類似），當Vg逐漸升高，p襯底中的空穴被向下的電場趕離柵區留下負離子以鏡像柵上的電荷。
LC-VCO的等效電路如圖1所示，實際應用中L1和L2由帶中間抽頭的對稱電感組成，抽頭接電流源（圖中i）。
四種組合模式的簡化結構對比圖如下圖所示，通過對比，很清楚地看出同步和異步的差異是否存在續流二極管。而集成型buck和非集成型的主要差異就是將開關控制部分...
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