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標(biāo)簽 > ldmos
LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實(shí)現(xiàn)功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。
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DMOS主要有兩種類型,垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管VDMOSFET和橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管LDMOSFET。
通過(guò)對(duì)不同器件結(jié)構(gòu)LDMOS的靜電放電防護(hù)性能的分析對(duì)比,指出帶埋層的深漏極注入雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS器件在靜電防護(hù)方面的優(yōu)勢(shì)。
LDMOS結(jié)構(gòu)/優(yōu)點(diǎn)
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電...
2011-12-01 標(biāo)簽:LDMOS 1.0萬(wàn) 0
從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口只有三年
“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口,但只有三年。”能訊半導(dǎo)體總經(jīng)理任勉表示,在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年,能訊半導(dǎo)體迎來(lái)關(guān)鍵時(shí)間節(jié)點(diǎn),抓住5G基站建...
超耐用LDMOS提升功率:恩智浦發(fā)布BLF188XR
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...
與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高,LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上,而雙極型晶體管在5~6dB
2011-12-01 標(biāo)簽:LDMOS 4226 0
電源控制芯片中的過(guò)流保護(hù)設(shè)計(jì)
本文介紹采用直接檢測(cè)LDMOS 漏端電壓來(lái)判斷其是否過(guò)流的設(shè)計(jì)方案,給出了電路結(jié)構(gòu)。通過(guò)電路分析,并利用BCD 高壓工藝,在cadence 環(huán)境下進(jìn)行電...
2011-10-20 標(biāo)簽:過(guò)流保護(hù)LDMOS 3429 0
5G功放技術(shù)戰(zhàn)-GaN和LDMOS各擅勝場(chǎng)
來(lái)源:RF技術(shù)社區(qū) 5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,簡(jiǎn)稱功放)芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長(zhǎng),成為各家射頻公司爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)。 在...
到2025年,整個(gè)GaN RF市場(chǎng)將從2019年的7.4億美元增長(zhǎng)到超過(guò)20億美元
報(bào)告指出,自 20 年前首款商用產(chǎn)品問(wèn)世以來(lái),GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場(chǎng)中的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。憑借其在 4G LTE...
本文介紹采用直接檢測(cè)LDMOS 漏端電壓來(lái)判斷其是否過(guò)流的設(shè)計(jì)方案,給出了電路結(jié)構(gòu)。通過(guò)電路分析,并利用BCD 高壓工藝,在cadence 環(huán)境下進(jìn)行電...
本文通過(guò)對(duì)基于 Freescale 生產(chǎn)的LDMOS 晶體管MW6IC2240構(gòu)成的射頻功率放大器研究,以及建立相應(yīng)的電路模型,主要研究了射頻功率放大器...
Ampleon為HF、VHF和ISM應(yīng)用提供LDMOS RF功率晶體管
Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產(chǎn)品組合,采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。
日前,射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員:包括三個(gè)LDMOS功率晶體管與一個(gè)氮化鎵(GaN)晶體管,所有...
最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測(cè)試及應(yīng)用類型
眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此,將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒(méi)有清晰的界限...
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管,作為特別關(guān)注...
英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術(shù),全新推出的器件具備高能效...
2011年9月9日,德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管,該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率...
英飛凌推出第九代產(chǎn)品大功率管LDMOS晶體管系列
英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一,其高可靠性,高質(zhì)量的產(chǎn)品覆蓋了模擬和混合信號(hào)、射頻、功率以及...
用于雷達(dá)100W LDMOS晶體管ILD2731M140和I
Integratech推出用于雷達(dá)的100W LDMOS晶體管,ILD2731M140和ILD3135M180 LDMOS晶體管分別工作在2.7GHz~...
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