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ldmos

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LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實(shí)現(xiàn)功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。

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ldmos資訊

LDMOS和VDMOS

LDMOS和VDMOS

DMOS主要有兩種類型,垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管VDMOSFET和橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管LDMOSFET。

2011-12-01 標(biāo)簽:VDMOSLDMOS 3.8萬(wàn) 0

LDMOS器件靜電放電失效原理

LDMOS器件靜電放電失效原理

通過(guò)對(duì)不同器件結(jié)構(gòu)LDMOS的靜電放電防護(hù)性能的分析對(duì)比,指出帶埋層的深漏極注入雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS器件在靜電防護(hù)方面的優(yōu)勢(shì)。

2011-12-01 標(biāo)簽:靜電放電LDMOS 1.1萬(wàn) 0

LDMOS結(jié)構(gòu)/優(yōu)點(diǎn)

LDMOS結(jié)構(gòu)/優(yōu)點(diǎn)

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電...

2011-12-01 標(biāo)簽:LDMOS 1.0萬(wàn) 0

從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口只有三年

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口,但只有三年。”能訊半導(dǎo)體總經(jīng)理任勉表示,在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年,能訊半導(dǎo)體迎來(lái)關(guān)鍵時(shí)間節(jié)點(diǎn),抓住5G基站建...

2018-10-19 標(biāo)簽:氮化鎵LDMOS 7783 0

GaN步步緊逼,LDMOS路在何方?

GaN步步緊逼,LDMOS路在何方?

在射頻和功率應(yīng)用中,氮化鎵(GaN)技術(shù)正在變得日益盛行。

2019-01-19 標(biāo)簽:射頻氮化鎵LDMOS 7191 0

超耐用LDMOS提升功率:恩智浦發(fā)布BLF188XR

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...

2013-08-13 標(biāo)簽:LDMOS射頻功率晶體管BLF188XR 4455 0

LDMOS的性能與制造工藝

與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高,LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上,而雙極型晶體管在5~6dB

2011-12-01 標(biāo)簽:LDMOS 4226 0

電源控制芯片中的過(guò)流保護(hù)設(shè)計(jì)

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本文介紹采用直接檢測(cè)LDMOS 漏端電壓來(lái)判斷其是否過(guò)流的設(shè)計(jì)方案,給出了電路結(jié)構(gòu)。通過(guò)電路分析,并利用BCD 高壓工藝,在cadence 環(huán)境下進(jìn)行電...

2011-10-20 標(biāo)簽:過(guò)流保護(hù)LDMOS 3429 0

5G功放技術(shù)戰(zhàn)-GaN和LDMOS各擅勝場(chǎng)

來(lái)源:RF技術(shù)社區(qū) 5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,簡(jiǎn)稱功放)芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長(zhǎng),成為各家射頻公司爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)。 在...

2022-12-01 標(biāo)簽:GaNLDMOS5G 3175 0

到2025年,整個(gè)GaN RF市場(chǎng)將從2019年的7.4億美元增長(zhǎng)到超過(guò)20億美元

到2025年,整個(gè)GaN RF市場(chǎng)將從2019年的7.4億美元增長(zhǎng)到超過(guò)20億美元

報(bào)告指出,自 20 年前首款商用產(chǎn)品問(wèn)世以來(lái),GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場(chǎng)中的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。憑借其在 4G LTE...

2020-09-21 標(biāo)簽:GaNLDMOS5G 2610 0

檢測(cè)LDMOS漏端電壓判斷是否過(guò)流方案

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2011-08-17 標(biāo)簽:過(guò)流LDMOS漏端電壓 2496 0

基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器

基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器

本文通過(guò)對(duì)基于 Freescale 生產(chǎn)的LDMOS 晶體管MW6IC2240構(gòu)成的射頻功率放大器研究,以及建立相應(yīng)的電路模型,主要研究了射頻功率放大器...

2012-04-24 標(biāo)簽:TD-SCDMALDMOS 2124 0

Ampleon為HF、VHF和ISM應(yīng)用提供LDMOS RF功率晶體管

Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產(chǎn)品組合,采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。

2016-01-13 標(biāo)簽:晶體管LDMOSAmpleon 2075 0

飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管

日前,射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員:包括三個(gè)LDMOS功率晶體管與一個(gè)氮化鎵(GaN)晶體管,所有...

2013-06-09 標(biāo)簽:飛思卡爾GaNLDMOS 1971 0

最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測(cè)試及應(yīng)用類型

眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此,將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒(méi)有清晰的界限...

2012-05-28 標(biāo)簽:射頻ldmos功率晶體管 1891 0

恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管,作為特別關(guān)注...

2013-06-21 標(biāo)簽:恩智浦LDMOS功率晶體管 1723 0

英飛凌推出全新射頻功率LDMOS晶體管

英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術(shù),全新推出的器件具備高能效...

2012-07-15 標(biāo)簽:英飛凌晶體管LDMOS 1441 0

飛思卡爾推出射頻高功率LDMOS晶體管

2011年9月9日,德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管,該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率...

2011-09-13 標(biāo)簽:飛思卡爾LDMOS 1303 0

英飛凌推出第九代產(chǎn)品大功率管LDMOS晶體管系列

  英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一,其高可靠性,高質(zhì)量的產(chǎn)品覆蓋了模擬和混合信號(hào)、射頻、功率以及...

2010-11-02 標(biāo)簽:晶體管LDMOS 1237 0

用于雷達(dá)100W LDMOS晶體管ILD2731M140和I

Integratech推出用于雷達(dá)的100W LDMOS晶體管,ILD2731M140和ILD3135M180 LDMOS晶體管分別工作在2.7GHz~...

2010-06-29 標(biāo)簽:雷達(dá)LDMOS 1231 0

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    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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    Mobileye
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    CC2541
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    CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) (SoC) 解決方案。
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    超級(jí)本
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    超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后,定義的全新品類筆記本產(chǎn)品,集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能,超極本是完整的電腦。
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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