埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣佈推出專為諸如數位視訊廣播（DVBT）和特高頻（UHF）類比電視等UHF廣播應用設計的BLF989射頻（RF）功率電晶體。
2018-06-07 11:43:23
7780 `恩智浦半導體在眾多半導體產品市場長期位于領先的位置，恩智浦半導體具有非常豐富的通用MICR產品系列，從經典的8位/16位，數字信號控制器（DSC）,Arm7,Arm9到Arm Cortex-M
2018-06-20 17:26:44
"恩智浦未來科技峰會”是恩智浦規模最大的高端行業峰會，旨在通過精彩座談、技術研討、最新科技和解決方案的展示引領業界通過技術創新為世界帶來改變！
2018-09-10 13:37:35
BLF188XR 原裝進口。價格絕對優勢NXPHF to 600 MHz, 1400 W 射頻管聯系人：吳云紅***QQ：1291084787
2020-04-09 11:25:43
LDMOS? L DMOS (橫向擴散金屬氧化物半導體) 結構見圖。 在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。 與晶體管相比，在關鍵
2020-05-24 01:19:16
GaN為5G sub-6GHz大規模MIMO基站應用提供的優勢LDMOS的優勢是什么如何選擇正確的晶體管技術
2021-03-09 07:52:21
與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達60dB左右。這表明對于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達60dB左右。這表明對于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2019-06-26 07:33:30
ELX.O，Maxlinear以2.87億美元收購Entropic Communications，Lattice半導體則將以6億美元價格收購Silicon Image。3月初，恩智浦(NXP)以約
2015-12-07 14:50:33
恩智浦發布革命性簡單易用的LPC800.pdf
2016-09-19 08:17:44
有興趣的朋友可以看看啊恩智浦KW41Z有獎創意征集令高能來襲http://www.eeworld.com.cn/huodong/201611_NXPKW41ZActivity1/index.html
2017-01-15 21:02:05
單元提供極具競爭力的解決方案。本文將重點討論恩智浦針對功率300W、電壓12-30V的無刷直流電機開發的演示板。轉子定向反饋利用霍爾傳感器確定，并通過個人電腦采用CAN或UART方式與外界相連。恩智浦
2010-11-29 15:04:02
新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI閃存接口技術(SPIFI，已申請專利)可以幫助32位嵌入式系統設計人員以小尺寸、低成本的串行閃存替代大尺寸、高成本的并行閃存。利用
2019-10-31 06:32:38
本實驗的目的是使用ARM KEIL MDK工具包向您介紹恩智浦Cortex?-M33處理器系列，該工具包采用μVision?集成開發環境。
在本教程結束時，您將自信地使用恩智浦處理器和Keil
2023-08-24 07:46:51
本帖最后由 zhihuizhou 于 2011-10-28 14:54 編輯
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 近日宣布，其PN544近距離無線通信 (NFC
2011-10-27 15:36:03
可通過多種方式，其中最有效的是將專門構建的專用神經處理單元（NPU），或稱為機器學習加速器（MLA）或深度學習加速器（DLA）集成到器件中，以補充CPU計算核心。恩智浦提供廣泛的產品組合，從傳統
2023-02-17 13:51:16
大家好，我是痞子衡，是正經搞技術的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RTxxx系列MCU的基本特性。 恩智浦半導體于2017年開始推出的i.MX RT系列重新定義了MCU，其第一款
2021-11-04 07:08:30
恩智浦、飛思卡爾基于i.MX&ARM MCU項目完整資料
2016-06-17 16:47:40
恩智浦小車電路圖當年華南賽和隊友整的當年華南賽和隊友整的驅動電路主控電路，程序源碼需要者再聯系吧。恩成績肯定不好不壞，應該具有一定參考意義。
2022-01-19 08:08:00
Open RAN（O-RAN）發展勢頭強勁，在全球迅速普及，恩智浦通過打造增強型參考設計，助力5G O-RAN的快速部署。這包括采用恩智浦RapidRF Smart LDMOS前端解決方案（稱為
2023-02-28 14:06:45
中國上海——2023年3月2日 ——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）宣布推出一款專為Matter設計的安全芯片——EdgeLock
2023-03-02 14:36:01
的視覺盲角問題。我們非常高興能與恩智浦合作，將其S32R41處理器用在我們的新型雷達產品中。”恩智浦ADAS產品市場總監Huanyu Gu表示：“恩智浦S32R41處理器專為用低功率提供高性能而打造，可
2023-03-14 16:10:18
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日為時尚、零售和電子市場推出了其最新的UHF解決方案。基于結構簡單、經濟高效的單天線解決方案，UCODE G2iL和G2iL+不僅實現了行業領先
2019-08-01 08:28:10
第十五屆恩智浦智能汽車競賽結束了，我們第一回做四輪組的小白，摸爬滾打了一個月，中間有劃水，也有熬夜，走了許多彎路，最終成績很慘，沒能完賽，（雖然我自己感覺離完賽就差一個坡道），期間還是學習了很多知識
2022-01-27 06:09:04
恩智浦智能賽車的驅動模塊定時器應該定時多久才能開始打腳，定時一般怎么編寫
2017-03-30 17:27:20
恩智浦智能賽車舵機打腳pwm占空比實際是輸出電壓高低，但在定時器中處理要怎樣進行
2017-03-30 17:38:10
證明所需的水印和人工制品的設施，以及準確的時間戳。該水印工具現已作為恩智浦 eIQ 開發環境的一部分提供。 i.MX 95 應用處理器預計將于 2023 年下半年開始發布樣片。
2023-02-16 11:20:03
`從以下幾方面詳細介紹恩智浦目前針對USBPD提供的負載開關產品：1. 恩智浦負載開關產品的規格2. 恩智浦負載開關產品的保護特性3. 恩智浦負載開關產品和分立方案的比較`
2015-06-03 15:21:07
導讀：日前，恩智浦半導體（以下簡稱“NXP”）對外發布一款用于X電容的自動放電IC--TEA1708.此器件擁有的自動放電功能加上抵抗電壓浪涌的高度耐用性，輕易的滿足了新的電源規范要求，成為電源
2018-09-28 16:25:19
用的keil5，是恩智浦的官方示例，但build都build不成功，錯誤如下：.\keil_output\iflash_nxp_lpcxpresso_824\freertos_blinky.axf
2016-08-27 21:27:47
物聯網和人工智能（AI-IoT）已經到來，如何在這場即將到來的大規模市場中取勝？恩智浦的無線連接主要體現在哪幾個方面？
2021-06-16 08:30:12
寬帶 LDMOS 系列產品組合中選擇您的解決方案。手機寬帶 晶體管脈沖雷達晶體管功率放大器超高頻廣播XR 晶體管 50V、60V寬帶放大器12 V、32 V 和 50 V
2021-06-28 18:02:51
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
恩智浦推專為液晶背光應用設計的高電壓全橋逆變器IC恩智浦發布了其高電壓全橋背光控制器IC UBA2074及其低壓版本UBA2072。由這兩款IC共同組成嶄新的全橋背光控制器IC系列
2008-09-25 14:02:25
什么是LDMOS？LDMOS有哪些有優良性能？什么是VDMOS？VDMOS具有哪些特征？
2021-06-18 06:56:36
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
如何使用恩智浦USB協議棧來設置音頻類設備
2022-12-08 06:45:33
符合。本文的研究表明:對分立式拉曼放大器通過反射機制實現泵浦光的雙程泵浦,可在泵浦功率不變和保持較好噪聲特性的同時,大大提升放大器的增益和功率轉換效率。增益的提升上限取決于系統受激布里淵散射的閾值,在
2010-05-13 09:03:53
的阻抗匹配范圍、優化性能以及架構選擇，所以為PA設計提供了很大靈活性。但如何滿足WiMAX基站系統對PA的高輸出功率、低失真以及高功效的要求呢？本文討論的基于硅LDMOS技術的RFIC具有足夠輸出功率，能
2019-06-25 06:55:46
，結果表明，在保證LDMOS器件參數不變的條件下，采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor
2019-07-31 07:30:42
發射功率和頻偏都是性能優化過程中比較重要的參數，不支持驅動直接修改。都是在firmware文件中設置的，都是經過大量測試才定的。所以一般不建議客戶自己修改，以避免引起性能問題。客戶在做吞吐性能優化過程中問到:如何查看和修改xr829的發射功率和頻偏？
2021-12-29 06:24:59
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據了主導地位。使用LDMOS放大器時，保證高性能的一個關鍵因素是補償柵極偏置電壓，以在溫度變化時保持恒定的靜態電流。Maxim的DS1870偏置控制器是目前眾多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。
2019-08-23 06:38:37
快充的原理是什么？有哪些提升快充功率的方法？
2021-09-26 08:29:47
本人菜鳥，想用恩智浦SSL21083芯片制作電源，請教電路中的疑問。1. 電路圖中的D2穩壓管起什么作用？可否去掉？2.其中NTC熱敏電阻我不想用，該用阻值多少的電阻代替？
2013-08-22 11:31:53
各位大神，有沒有用過BLF242和BLF246B PHILIPS 的，給小弟推薦幾個這兩款NMOS的替代型號呀。先謝謝了。
2015-09-12 21:25:00
請哪位大神幫助介紹恩智浦SPC564L60x電源引腳號和電源電壓。謝謝。***
2018-12-04 11:05:54
■ 恩智浦半導體 K. Werner，S. Theeuwen，J. de Boet，V. Bloem，W. Sneijers高壓LDMOS是高達3.8GHz的國防和航空電子設備RF功率應用的最佳技術
2019-07-05 07:01:04
用于工業、科學和醫療 (ISM) 應用的 140 W LDMOS 功率晶體管，頻率范圍為 2400 MHz 至 2500 MHz。BLF2425M9LS140 BLF
2022-05-06 19:14:08
S912ZVC12F0MLF，汽車NXP處理器MCU,NXP(恩智浦)S912ZVC12F0MLF，汽車NXP處理器MCU,NXP(恩智浦) 制造商
2023-02-27 15:07:45
BLF888B,112Ampleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.47 至 0.86 GHz，650 W，20 dB，50 V，LDMOS，SOT-539A零件號： BLF
2024-02-29 16:14:13
BLF647PS BLF647PS BLF647PS 寬帶功率LDMOS晶體管適用于廣播發射機和工業應用的 200 W LDMOS RF 功率晶體管。該
2024-02-29 19:30:36
BLF647PBLF647P 寬帶功率LDMOS晶體管適用于廣播發射機和工業應用的 200 W LDMOS RF 功率晶體管。該晶體管適用于 HF 至 1500 MHz 的頻率范圍。該
2024-02-29 19:31:22
BLF974PBLF974P HF/VHF功率LDMOS晶體管500 W LDMOS 功率晶體管，適用于 HF 至 700 MHz 頻段的廣播應用和工業應用。BLF974P
2024-02-29 19:36:35
BLF978PBLF978P HF/VHF功率LDMOS晶體管1200 W LDMOS 功率晶體管，適用于 HF 至 700 MHz 頻段的廣播應用和工業應用。BLF978P 特點和優點
2024-02-29 19:37:15
BLF944PBLF944P 功率LDMOS晶體管適用于非蜂窩通信和工業應用的 135 W LDMOS 晶體管。該器件出色的耐用性使其非常適合 HF 至 1300 MHz 頻率范圍內的移動 NCC
2024-02-29 20:36:21
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創建的獨立半導體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場
2010-09-17 18:29:31
20 基于BLF888設計的500W RF廣播發射方案
NXP 公司的BLF888是500W LDMOS RF功率晶體管，用于廣播發射和工業應用。在UHF頻帶470 MHz 到860 MHz可提供平均功率110W，
2010-05-23 08:58:212556 
恩智浦半導體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發射機和工業用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38849 本文設計了一種工作在1.8GHz 的 F類功率放大器 ，使用LDMOS 晶體管作為有源器件以便產生高功率和高效率。F 類放大器通過對不同的諧波進行調諧來峰化漏極電壓和電流的波形，漏極電壓
2011-08-18 17:36:4265 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產品結合了業界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強的耐用性，專門面向U
2011-09-13 18:25:061179 提出了具有n 埋層PSOI(部分SOI) 結構的射頻功率LDMOS 器件. 射頻功率LDMOS 的寄生電容直接影響器件的輸出特性. 具有n 埋層結構的PSOI 射頻LDMOS ,其Ⅰ層下的耗盡層寬度增大,輸出電容減小,漏
2011-12-01 14:13:4336 眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMO
2012-05-28 11:18:541774 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2012-05-28 11:42:271301 基于ADS軟件，選取合適的靜態直流工作點，采用負載牽引法得到LDMOS晶體管BLF7G22L130的輸出和輸入阻抗特性，并通過設計和優化得到最佳的共軛匹配網絡，設計出高效率功率放大器。AD
2012-11-09 16:32:5359 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產品線的擴展產品。
2013-06-21 11:09:261534 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產品組合，采用眾所周知的非常穩固LDMOS技術。
2016-01-13 15:37:091923 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37377 使用。最新的版本介紹了NXP公司的BLF884P和BLF884PS晶體管，用于從470到806 MHz，70 W的DVB-T UWB LDMOS超寬帶多爾蒂功率放大器參考設計，采用了NXP公司的專利體系
2017-12-06 12:49:01313 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21461 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08354 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-03-18 15:53:16947 
安譜隆半導體（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節點已為
2018-05-02 14:44:003828 安譜隆半導體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節點已為大幅提高效率、功率和增益做了優化。
2018-04-26 09:42:001388 安譜隆半導體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節點已為大幅提高效率、功率和增益做了優化。
2018-04-25 15:04:004432 180 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:0012 10 W WiMAX LDMOS功率晶體管在3400 MHz至3600 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:007 130 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:005 140 W LDMOS功率晶體管在2500 MHz至2700 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:005 170 W LDMOS功率晶體管，具有改善的視頻帶寬，用于從1800 MHz到1990 MHz的頻率的基站應用。
2018-08-14 08:00:007 埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布推出大功率堅固型BLF189XRA RF功率晶體管，用于88-108MHz頻率范圍內的廣播FM無線電應用。
2018-09-30 16:41:002731 本次會議將介紹恩智浦用成熟的、業界最好的LDMOS技術，推出的面向蜂窩通訊頻段的高功率應用，包括介紹全通訊頻段射頻高功率產品組合。
2019-01-23 07:24:002647 
本次會議將介紹恩智浦用成熟的、業界最好的LDMOS技術，推出的面向蜂窩通訊頻段的高功率應用，包括介紹全通訊頻段射頻高功率產品組合。?
2019-01-23 07:12:002686 本文檔的主要內容詳細介紹的是BLF6G38-50和BLF6G38LS-50 LDOS晶體管的數據手冊免費下載。50w ldmos功率晶體管，用于3400mhz至3800mhz頻率的基站應用。
2019-10-12 08:00:005 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS
2020-08-12 18:52:000 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD188規格書
2021-12-13 16:10:245
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