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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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深圳芯能半導體獲IGBT芯片專利,創新接觸孔連接ESD結構提升安全性
此次專利的申請日期為2023年8月22日,授權公示日為2024年3月26日,授權公告號為CN116779666B。此項專利主要涉及的新型IGBT芯片結構...
高壓TVS二極管P6SMB600CA在IGBT浪涌保護中的應用
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)廣泛用于功率逆變器,工業驅動器,電動汽車家用電器的充電器, 電機控制和感應加熱,因為它們易于使用且性能高電壓和電流驅動能力。...
目前,芯動半導體無錫工廠已完成建設,自今年2月奠基以來,歷時8個月,工廠主體封頂,首條模塊產線于10月28日順利通線。工廠擁有國內一流測試環境,能夠滿足...
中國IGBT芯片細分應用領域分析 高壓IGBT打破國外技術壟斷
來源: 電力電子技術與應用 1、中國 IGBT芯片 應用領域:三大類產品的應用場景 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉換的核心器件,是由B...
安森美,智能電源和智能感知技術的領軍企業,今日宣布推出SPM31智能功率模塊(IPM),該模塊采用了創新的場截止第7代(FS7)絕緣柵雙極晶體管(IGB...
Vishay近期發布五款新型半橋IGBT功率模塊,其改良設計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件,包括VS-GT100TS065S、VS-GT1...
按技術特點與功能的不同,功率半導體器件可以分為二極管、晶閘管、晶體管等產品。其中,晶體管包含BJT、MOSFET、IGBT等熱門品線,總體占比超過70%...
美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch thro...
Vishay推出用于直接IGBT安裝的鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay R...
安森美推出第7代絕緣柵雙極晶體管技術的1200V SPM31智能功率模塊
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(I...
應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴充NGBTxx系列1,20...
士蘭微電子車規級MOS產品獲CIAS2024年度“最具市場力產品獎”
2024年4月23-24日,CIAS2024功率半導體新能源創新發展大會暨 CIAShow功率半導體、裝備與材料創新展在蘇州獅山國際會議中心舉辦,士蘭微...
飛兆半導體(紐約證券交易所代碼: FCS)——全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦的第11屆年度十佳DC-DC...
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