功率器件產品線主要包括IGBT、MOSFET、晶閘管、二極管與TVS等，其中IGBT集成度最高，結構最復雜，同硅基材料中能承受最高的工作電壓，具有最高價值量。目前國外IGBT主要廠商有英飛凌、富士
2020-07-27 10:28:09
8757 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)已經擴充其短路額定IGBT產品組合，為電機驅動設計者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關重要的三相電機驅動應用
2012-09-10 09:59:45613 飛兆半導體的高電壓場截止陽極短路（Shorted Anode） trench IGBT可針對IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應用中實現更高的效率和系統可靠性，為設計人員提供經濟實惠且高效的解決方案。
2013-01-29 13:48:08793 在IGBT短路時，假設在導通時短路，此時IGBT驅動電壓達到穩定高值，就是IGBT已經完全導通，此時刻觸發外部電路短路，用示波器查看驅動電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時間內響應后，驅動電壓
2024-02-25 11:31:12
和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發展起來的全控型功率半導體器件，它是由MOSFET（場效應晶體管）與GTR（大功率達林頓晶體管）結合，并由前者擔任驅動，因此具有
2018-10-17 10:05:39
l 華潤微
成立時間：1997年
業務模式：IDM
簡介：中國最大的功率器件企業之一，主要產品包括以MOSFET、IGBT 為代表的功率半導體產品和以光電傳感器、煙報傳感器、MEMS 傳感器為主
2023-10-16 11:00:14
半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。根據其分別可支持的開關速度
2019-05-06 05:00:17
半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。根據其分別可支持的開關速度
2019-03-27 06:20:04
點擊: 功率半導體器件 &
2008-08-03 17:05:29
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上)電子器件。可以分為半控型器件
2021-09-09 06:29:58
功率半導體基本開關原理
2011-05-03 22:07:52
`本書主要針對的是半導體使用客戶，并把基礎理論作了簡單的闡述歸納總結。本手冊站在用戶的角度上，去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管(可控硅)。詳細介紹了它們的基本數
2018-09-06 16:30:02
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
功率半導體的工作原理.資料來自網絡資源分享
2021-08-06 22:54:59
所在各類半導體功率器件中，未來增長強勁的產品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導體市場仍由歐美日企業主導，其中英飛凌以 19%的市占率占據絕對領先地位。全球功率半導體前十名供應商
2022-11-11 11:15:56
近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前,我國已經成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
2021-07-12 07:49:57
，是復旦大學微電子學院博士、復醒科技創始人&CEO、芯千同集成電路有限公司CEO、上海市新銳創業企業獎獲者、上海市互聯網+大賽銅獎獲得者。他致力于打造半導體行業產學融合數字化平臺，平臺
2023-06-01 14:52:23
半導體材料半導體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
功率半導體的熱管理對于元件運行的可靠性和使用壽命至關重要。本設計實例介紹的愛普科斯(EPCOS)負溫度系數(NTC)和正溫度系數(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶可靠地監測半導體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
一個半導體（semiconductor）閘流管通常具有3個電極：一個陽極，一個陰極和一個門（控制電極）。
2019-10-31 09:02:25
并符合最新能源之星規范和 2013 ERP ErP 待機功率規定（ATX 電源和 LCD TV 電源在 0.25W 負載下小于 0.5W 的功耗），飛兆半導體已經開發了若干項創新技術，以提高空載和輕
2012-11-24 15:24:47
2011年第二季錄得了強勁的銷售增長，達到第二季銷售指引的高端。飛兆半導體功率轉換、工業及汽車部門 (PCIA) 銷售額繼續增長7%，這是因為我們增加了生產能力，以便滿足工業、汽車和電器客戶對高壓解決方案
2011-07-31 08:51:14
飛兆半導體推業界領先的高壓柵極驅動器IC
2016-06-22 18:22:01
【來源】：《電子與電腦》2010年02期【摘要】：<正>飛兆半導體(Fairchild Semiconductor)針對現今許多視頻產品平臺逐步淘汰S-video,以及
2010-04-23 11:26:55
，飛兆半導體公司開發了下一代TinyBuck調節器系列產品，由集成式POL調節器組成，包含恒定導通時間的PWM控制器，以及帶有高端和低端MOSFET的驅動器。 FAN23xx系列可極大地提升終端用戶
2018-09-27 10:49:52
為了應對這些挑戰，全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為大、中、小功率范圍LED照明應用提供廣泛的LED照明解決方案。 飛兆半導體
2011-07-13 08:52:45
效率）。這些柵極驅動光耦合器的峰值工作電壓高達 1414V，能夠配合高壓IGBT。 飛兆半導體是光電子產品的領先供應商，提供廣泛的封裝平臺并集成各種不同的輸入和輸出配置組合，飛兆半導體提供用于低頻
2012-12-06 16:16:33
飛思卡爾半導體飛思卡爾半導體公司正在擴展其 8 位微控制器 (MCU) 系列，新推出的器件是要求低功率操作和高級顯示功能的個人診斷和便攜式醫療產品的理想之選。作為其液晶顯示器 (LCD) S08LL
2019-07-26 06:56:09
為了幫助解決引發溫室效應及全球變暖的汽車排放問題，飛思卡爾半導體現已在32位汽車微控制器（MCU）系列中引入集成的排放控制技術。與飛思卡爾其它動力總成微控制器類似，這些MCU幫助減少二氧化碳廢氣，為新興市場提供經濟高效且精密的引擎控制設計。
2019-06-26 06:01:27
RD-400，參考設計支持將FAN3111C器件納入用于工業照明應用的離線100W CCCV LED電源的設計中。 RD-400參考設計利用多種先進的飛兆半導體技術，提供完整的LED驅動器解決方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400，參考設計支持將FAN7346器件納入用于工業照明應用的離線100W CCCV LED電源的設計中。 RD-400參考設計利用多種先進的飛兆半導體技術，提供完整的LED驅動器解決方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400，參考設計支持將FAN7382器件納入用于工業照明應用的離線100W CCCV LED電源的設計中。 RD-400參考設計利用多種先進的飛兆半導體技術，提供完整的LED驅動器解決方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400，參考設計支持將FSL138MRT器件納入用于工業照明應用的離線100W CCCV LED電源的設計中。 RD-400參考設計利用多種先進的飛兆半導體技術，提供完整的LED驅動器解決方案
2019-09-27 08:41:49
前言全球知名半導體制造商ROHM利用多年來在消費電子領域積累的技術優勢，正在積極推進面向工業設備領域的產品陣容擴充。在支撐"節能、創能、蓄能"技術的半導體功率元器件領域，ROHM
2019-07-08 08:06:01
，功率半導體器件在不斷演進。自上世紀80年代起，功率半導體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應用類型。其中IGBT經歷了器件縱向結構、柵極結構以及硅片加工工藝等7次技術演進，目前可承受
2019-02-26 17:04:37
簡單、損耗更小，因此成為高壓柔性直流輸電領域核心器件。近年來，我國長距離高壓柔性直流輸電領域發展迅猛，IGBT器件也因此具備十分廣闊的應用前景。長期以來，IGBT的核心技術和產業大多為歐美和半導體廠商
2015-01-30 10:18:37
Fairchild可控硅、回收FairchildMOSFET回收FairchildMOS管 回收Fairchild功率MOSFET、回收飛兆電力半導體收購飛兆功率晶體管 收購飛兆功率模塊 、收購飛兆IGBT
2020-07-25 16:29:37
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
亞太地區十大半導體供應商排行榜1. 英特爾（Intel) 2. 三星電子（Samsung Electronics) 3. 德州儀器
2008-05-26 14:27:18
直接影響轉換器的體積、功率密度和成本。 然而，所使用的半導體開關遠非理想，并且由于開關轉換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關損耗。這些損耗對轉換器工作頻率造成了實際限制。諧振拓撲可以通過插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導體開關有哪些關鍵特性？低阻抗功率半導體開關有哪些應用優勢？
2021-06-26 06:14:32
所在各類半導體功率器件中，未來增長強勁的產品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導體市場仍由歐美日企業主導，其中英飛凌以 19%的市占率占據絕對領先地位。全球功率半導體前十名供應商
2022-11-11 11:50:23
所在各類半導體功率器件中，未來增長強勁的產品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導體市場仍由歐美日企業主導，其中英飛凌以 19%的市占率占據絕對領先地位。全球功率半導體前十名供應商
2022-11-11 11:46:29
部分客戶為判斷晶閘管的阻斷特性，使用兆歐表對器件進行測試。由于該方法從原理上不能真實反映器件的性能，而且可能對器件具有一定的損壞性，因而一般半導體產品，均不推薦采用兆歐表測試。兆歐表的基本原理是采用
2013-11-11 15:14:11
變速驅動的需求是什么兼顧性能、成本的高壓功率半導體驅動IC應用
2021-04-21 07:06:40
價值獎10個、創新突破獎10個、自主品牌獎10個、十佳分銷商獎10個、誠信企業獎20個。在此次評選中，華秋電子榮獲十佳分銷商獎。 長期以來，電子行業呈現“物料采購周期長、采購成本高、工藝及品質管控雜亂
2023-02-27 15:11:40
Fairchild超快二極管回收Fairchild可控硅回收FairchildMOSFET回收FairchildMOS管回收Fairchild功率MOSFET 回收飛兆電力半導體收購飛兆功率晶體管收購飛兆功率模塊
2021-04-23 16:25:33
Semiconductor) 為大、中、小功率范圍LED照明應用提供廣泛的LED照明解決方案。 飛兆半導體解決方案的特點是在單一IC上高度集成各種元件，配合高效和先進的電路拓撲，廣泛應用于1W或以
2011-07-15 21:47:14
價值獎10個、創新突破獎10個、自主品牌獎10個、十佳分銷商獎10個、誠信企業獎20個。在此次評選中，華秋電子榮獲十佳分銷商獎。長期以來，電子行業呈現“物料采購周期長、采購成本高、工藝及品質管控雜亂
2023-02-27 14:52:41
公司的主要從事新能源汽車及傳統燃油汽車在內的汽車業務、手機部件及組裝業務、二次充電電池及光伏業務，并積極拓展城市軌道交通業務領域；而比亞迪半導體主營功率半導體、智能控制 IC、智能傳感器及光電半導體
2021-05-14 20:17:31
國貨之光！比亞迪半導體IGBT帶快速恢復二極管，變頻器，逆變器，UPS，焊機，
2022-09-29 19:02:44
法半導體的SLLIMM-nano產品家族新增兩種不同的功率開關技術： · IGBT: IGBT: 3/5/8 A、600 V內置超高速二極管的PowerMESH? 和溝槽場截止IGBT
2018-11-20 10:52:44
月初，安森美半導體的Ezairo? 7150 SL混合模塊(含Ezairo7100音頻處理器和一個藍牙低功耗無線電)，獲選為高度覬覦的2016 ECN影響力獎(ECN IMPACT awards
2018-10-23 09:11:52
，以支持在整個低、中和高功率范圍的多樣化應用。從用于車載媒體應用到空調的器件，到用于內燃機(ICE)、混合動力和純電動動力系統的高功率方案，安森美半導體正在不斷開發新產品，以幫助支持和加速汽車技術
2018-10-30 09:06:50
》和網站IoT Evolution World選為2017物聯網演進年度產品獎。安森美半導體早就意識到需要做一些工作，來解決所需的多層次的開發和相關的能力，以激發基于互聯設備/對象的云服務潛力。團隊
2018-10-29 08:51:36
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上）電子器件。可以分為半控型器件
2019-03-03 07:00:00
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
,3700，7200， 以及HnK 鋁線機；Tester, Handler: 熟悉IGBT Module或者大功率器件測試機。要求：半導體設備維修維護經驗3年以上；大專學歷；理工科，機械、電子、自動化專業為佳
2014-04-04 14:20:56
了飽和壓降和開關損耗。此外，通過運用陽極短路（SA）技術在IGBT裸片上集成反向并聯二極管這項相對較新的技術，使得FS IGBT非常適合軟開關功率轉換類應用。 場截止陽極短路溝道IGBT與NPT
2018-09-30 16:10:52
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導體業者的不同GaN功率晶體管專利（來源：Yole）然而，這一市場也存在整并壓力，這一點從英飛凌收購IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
“通過創新，電子系統將使汽車可以自動操作，使其更加安全、舒適和高效”。飛思卡爾半導體汽車及標準產品部亞太地區市場總監Allen Kwang高度評價汽車電子的創新意義。而汽車電子創新顯然與動力、底盤、安全、車身、信息娛樂系統發展趨勢息息相關。
2019-07-24 07:26:11
Fairchild超快二極管回收Fairchild可控硅回收FairchildMOSFET回收FairchildMOS管回收Fairchild功率MOSFET回收飛兆電力半導體收購飛兆功率晶體管收購飛兆功率
2020-11-02 16:58:26
Fairchild功率MOSFET、回收飛兆電力半導體收購飛兆功率晶體管 收購飛兆功率模塊 、收購飛兆IGBT模塊、飛收購兆IGBT單管收購飛兆二極管 收購飛兆快恢復二極管 收購 飛兆超快二極管、收購
2020-10-16 16:18:12
與模塊類“優秀產品獎” AMIS-49587獲2010《電子設計技術》創新獎通信與網絡類“優秀產品獎” 獲中國《電子元件技術網》選為 “2010年電子元器件（分立半導體類）領軍廠商” NCP5680
2014-05-21 10:13:17
集成嵌入式功率半導體在電動車窗中有何應用？
2021-05-14 06:11:55
賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導體模塊，該模塊目前也可提供三電平拓撲結構。與競爭對手的產品相比，新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
2011-05-06 08:34:24870 《IGBT場效應半導體功率器件導論》以新一代半導體功率器件IGBT為主線，系統地論述了場效應半導體功率器件的基礎理論和工藝制作方面的知識，內容包括器件的原理、模型、設計、制
2011-11-09 18:03:37
0 功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案供應商美高森美公司（Microsemi） 宣佈其新一代1200V非貫穿型（non-punch through，NPT）系列的叁款IGBT新產品
2012-09-13 10:08:171624 
2014-08-29 14:43:3335 來源：羅姆半導體社區? 前言 我們說，IGBT的雙脈沖實驗和短路實驗一般都會在一個階段進行，但是有的時候短路測試會被忽略，原因有些時候會直接對裝置直接實施短路測試，但是此時實際上并不是徹底和充分
2022-11-15 16:51:074457 除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。
2021-05-24 06:07:0013963 
關于IGBT，小編已經寫過很多篇文章了。今天主要來講講什么是功率半導體？IGBT產品又是如何分類的？與芯片又有哪些不同呢？
2022-03-11 11:22:0414180 
我們都知道IGBT發生短路故障時會發生退飽和現象，如圖1所示。退飽和后IGBT會承受全母線電壓，同時集電極電流也上升至額定電流的5-6倍，因此IGBT發生短路時的瞬時功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583905 舉辦的“全球電子成就獎”頒獎禮上，比亞迪半導體超級混動DM4.0 IGBT模塊?榮膺“年度功率半導體/驅動器”創新產品獎。頒獎典禮上，比亞迪半導體股份有限公司副總經理楊欽耀先生作為代表上臺領獎。 比亞迪半導體股份有限公司副總經理楊欽耀先生上臺領獎 據悉，全球電子成就獎由
2022-11-14 14:14:081009 適用于感應加熱應用的 Fairchilds 第二代場截止、陽極短路、溝槽 IGBT
2022-11-15 20:02:240 功率半導體發展過程在半導體功率器件中，MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，相比于功率二極管、功率三級管和晶閘管等電流控制型開關器件，具有易于驅動、開關速度快、損耗低等特點，應用前景十分廣闊。
2022-11-28 16:18:583931 功率半導體器件也被稱作電力電子器件或功率器件，它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關。在計算機、通信、消費電子、新能源、汽車、工業制造、等領域有著廣泛的應用。今天SPEA和大家重點介紹下功率器件中的明星IGBT模塊。
2023-02-02 15:07:35559 IGBT在MOSFET基礎上升級，市場空間增速快。IGBT作為半導體功率器件中的全控器件，由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應
管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件
2023-02-15 16:26:3234 IGBT模塊可以分為低壓（600V以下），中壓（600V-1200V）和壓（1200V-6700V），IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調的交流電。它有陰極，陽極
2023-02-22 14:29:34900 ）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432104 
什么是igbt短路測試？igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042 功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
功率半導體冷知識：IGBT短路結溫和次數
2023-12-15 09:54:25311 
短路是什么原因造成的 igbt上下橋短路原因? 短路是一種電路故障，其特點是電流繞過正常的電路路徑，通過一條或多條低阻抗的路徑流過。IGBT是一種常見的功率半導體器件，可用于控制和放大電流
2024-02-18 10:08:38330 IGBT應用中有哪些短路類型？ IGBT是一種主要用于功率電子應用的半導體器件。在實際應用中，IGBT可能會遭遇多種短路類型。下面，我將詳細介紹IGBT應用中常見的短路類型。 1. IGBT內部開路
2024-02-18 10:21:57222 IGBT過流和短路故障的區別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，是一種半導體功率開關器件。在工業和電力領域廣泛應用，常常用于高壓、高電流的開關電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32275 IGBT導通過程發生的過流、短路故障 IGBT導通過程中可能發生的過流、短路故障一直是電力電子領域研究的熱點問題之一。IGBT 是一種新型的功率半導體器件，它結合了普通晶體管的低壓控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
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