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      標簽　>　igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2846個 瀏覽：249720次 帖子：479個

      igbt資訊

      三相IGBT全橋隔離驅動電源設計

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      IGBT驅動光耦推薦專場（TLP350,TLP250,PC929,PC923)

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      2012-08-27 標簽：IGBT光耦 1.2萬 0

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      2018-01-06 標簽：igbt 1.1萬 0

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      2022-03-11 標簽：逆變器IGBT交流電 1.1萬 0

      LG旗下硅芯片公司Silicon Works宣布擴大半導體業務

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      在電源電子（例如驅動技術）中，IGBT（隔離式柵極驅動器 - Insulated Gate Bipolar Transistor）經常用作高電壓和高電流開關。

      2019-08-07 標簽：IGBT柵極驅動器 1.1萬 0

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      2020-04-10 標簽：IGBTigbt芯片 1.1萬 0

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      2018-04-13 標簽：MOSFET半導體IGBT 1.1萬 0

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