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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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變頻器輸出是以PWM(脈寬調(diào)制,類似高速開關(guān))方式控制,因此會發(fā)生高頻率的漏電電流,若要在變頻器一次側(cè)加裝一般漏電斷路開關(guān)時(shí),建議請以每臺變頻器選擇20...
一文詳解IGBT模塊并聯(lián)動(dòng)態(tài)均流方法
動(dòng)態(tài)工作指電力電子器件的開通和關(guān)斷過程。IGBT的開關(guān)頻率越高,動(dòng)態(tài)均流問題對整個(gè)系統(tǒng)的影響就越大。
獨(dú)家!跑贏大市,揭秘華潤微2020年半年報(bào)凈利潤大漲背后的玄機(jī)
本站原創(chuàng)! (電子發(fā)燒友報(bào)道 文/章鷹 )2020年第二季度,全球受到疫情的影響經(jīng)濟(jì)大幅度下滑,但是半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)了極強(qiáng)的抗跌性。2020年上半年,中國...
2020-08-05 標(biāo)簽:英飛凌IGBT功率半導(dǎo)體 1.4萬 0
IGBT是一種半導(dǎo)體器件,以其高效率和快速切換速度而聞名。除了在焊接領(lǐng)域廣泛應(yīng)用外,IGBT還被廣泛用于家用電器、高科技音響、電動(dòng)汽車以及其他節(jié)能汽車等...
功率半導(dǎo)體有功率器件和功率IC,功率器件又包含二極管、晶體管和晶閘管,其中晶體管又可根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域和制程可劃分為絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)、MOSF...
2023-02-03 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率半導(dǎo)體 1.3萬 0
IGBT是一種適合高電壓、大電流應(yīng)用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V,額定電流范圍為5A至1000A,IGBT廣泛用于工業(yè)應(yīng)用...
要想搭建一個(gè)優(yōu)秀的電力電子系統(tǒng),正確的功率器件選型首當(dāng)其沖。然而很多新入行的同學(xué)恐怕會對IGBT冗長的料號略感頭痛,但實(shí)際上功率器件的命名都是有規(guī)律可循...
IGBT的基礎(chǔ)知識--IGBT的基本結(jié)構(gòu),參數(shù)選擇,使用注意
1.IGBT的基本結(jié)構(gòu) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質(zhì)上是一個(gè)場效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè) P 型層。根據(jù)國
2010-05-27 標(biāo)簽:IGBT 1.3萬 0
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高頻大功率化的發(fā)展,開關(guān)器件在應(yīng)用中潛在的問題越來越凸出,開關(guān)過程引起的電壓、電流過沖,影響到了逆變器的工作效率和工作可 靠性。為...
斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù),其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制,因其波形如同斬切般整齊、對稱,故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位,它不...
基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù),英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ,針對工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)更高功率密度與更...
所謂功率半導(dǎo)體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進(jìn)行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體器件。其電壓處理范圍從幾十V~幾千V,電流...
先說個(gè)冷笑話,IGBT,不是LGBT,不是性少數(shù)群體的意思……好了,回到正題。 IGBT晶體管,英文全稱是「Insulated Gate Bipolar...
近幾年來,電動(dòng)汽車、電化學(xué)儲能、以及光伏和風(fēng)電等新能源市場的快速發(fā)展,市場對功率器件的需求量大增,特別是電動(dòng)汽車的興起,讓IGBT常年處于供應(yīng)緊張狀態(tài),...
IGBT關(guān)斷振蕩的參數(shù)_IGBT關(guān)斷振蕩的應(yīng)對措施
在電壓UCE緩慢上升時(shí),柵極電壓處于密勒平臺,這個(gè)位移電流最初保持穩(wěn)定并有助于維持平臺電壓恒定。
拆卸貼片集成塊或其他貼片器件,在靜電不影響的情況下,使用兩個(gè)電烙鐵協(xié)作加熱取下,往往比熱風(fēng)焊臺更有效。有的電路板遇熱或溫度高點(diǎn),電路板就會變色。
IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級,它的發(fā)展趨勢將會如何
IGBT芯片:產(chǎn)品升級趨勢。IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級:襯底從PT穿通,NPT非穿通到FS場截止,柵極從平面到Trench溝槽。隨著技術(shù)的升級,通態(tài)功耗...
全數(shù)字IGBT后極高頻機(jī)的設(shè)計(jì)全過程
將逆變器后面的兩個(gè)紅黑接線柱接到輸出,將逆變器引出最粗的兩條線接到12V的電池,紅線的接正極,黑線接負(fù)極。此時(shí)機(jī)器前面的數(shù)碼管顯示當(dāng)前設(shè)定的后極頻率及脈寬
要成功設(shè)計(jì)、制造IGBT必須有集產(chǎn)品設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測試、可靠性試驗(yàn)、系統(tǒng)應(yīng)用等成套技術(shù)的研究、開發(fā)及產(chǎn)品制造于一體的自動(dòng)化、專業(yè)化和規(guī)模化程度領(lǐng)先...
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)?
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)? GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率電子器件中,各有強(qiáng)項(xiàng)和弱點(diǎn),本文著重...
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