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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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中國電力電子廠商創新之路:采用國產SiC模塊全面取代進口IGBT模塊
國產碳化硅(SiC)模塊取代進口IGBT模塊,是當前電力電子系統創新升級的核心路徑。這一趨勢不僅是技術迭代的必然結果,更是政策引導、供應鏈安全需求與產業...
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