SiC MOSFET模塊（BMF80R12RA3和BMF160R12RA3）能夠替代傳統IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業，主要原因在于：

SiC MOSFET模塊通過高效率、高頻化、高溫穩定性和高功率密度，解決了IGBT模塊在電鍍和高頻電源中的瓶頸問題。隨著技術成熟和成本下降，SiC將全面取代IGBT，推動電源行業向更高效、緊湊、可靠的方向演進，實現顛覆性變革。

傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業自主可控和產業升級！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：

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1. 更低的導通與開關損耗

低導通電阻：SiC MOSFET的導通電阻（如BMF80R12RA3的15mΩ@18V）遠低于IGBT的導通壓降（1.5~3V），顯著降低導通損耗，尤其在高壓大電流場景下效率提升明顯。

超快開關速度：SiC MOSFET的開關時間（如turn-on delay僅43.5ns，rise time僅27.6ns）比IGBT快數倍，大幅減少開關損耗，適合高頻應用（如100kHz以上）。

2. 高溫與高頻性能優勢

高溫穩定性：SiC材料禁帶寬度寬（3.3eV），支持175°C結溫下穩定運行，高溫下導通電阻增幅小（如BMF80R12RA3在175°C時R_DS(on)僅增加約85%），而IGBT在高溫下性能急劇下降。

高頻兼容性：SiC MOSFET的快速開關和低反向恢復電荷（如Q_r=0.3μC@25°C）允許電源設計采用更高頻率，減少磁性元件體積，提升功率密度。

3. 系統級效率與成本優化

散熱需求降低：SiC模塊熱阻低（如BMF80R12RA3的R_th(j-c)=0.54K/W），散熱設計更簡單，可縮小散熱器體積，降低系統成本。

無尾電流問題：相比IGBT關斷時的拖尾電流，SiC MOSFET開關過程無拖尾損耗，進一步降低高頻工況下的總損耗。

4. 應用場景適配

電鍍電源：需要高電流精度和低紋波，SiC的高頻特性可提升電流控制響應速度，減少濾波元件體積。

高頻電源：高頻化可顯著縮小變壓器和電感尺寸，同時SiC的低損耗支持更高功率密度設計。

5. 長期可靠性

SiC材料的抗輻射和耐高溫特性延長了器件壽命，適合工業級嚴苛環境，減少維護成本。

挑戰與趨勢

初期成本高：SiC芯片成本已經與硅基IGBT接近或者持平，隨著產能擴大，價格持續下降，SiC將低于IGBT的價格。

驅動設計優化：需匹配高速驅動電路（如負壓關斷、低寄生電感布局），但現代驅動IC已逐步解決此類問題。

BASiC基本股份針對SiC碳化硅MOSFET多種應用場景研發推出門極驅動芯片，可適應不同的功率器件和終端應用。BASiC基本股份的門極驅動芯片包括隔離驅動芯片和低邊驅動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內功率器件的門極驅動需求。

BASiC基本股份低邊驅動芯片可以廣泛應用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領域的低邊功率器件的驅動或在變壓器隔離驅動中用于驅動變壓器，適配系統功率從百瓦級到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開關電源芯片BTP1521P,BTP1521F，該芯片集成上電軟啟動功能、過溫保護功能，輸出功率可達6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設定，最高工作頻率可達1.5MHz，非常適合給隔離驅動芯片副邊電源供電。

對SiC碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅動電壓的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅動IC BTL27524或者隔離驅動BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

結論

SiC MOSFET模塊通過高效率、高頻化、高溫穩定性和高功率密度，解決了IGBT模塊在電鍍和高頻電源中的瓶頸問題。隨著技術成熟和成本下降，SiC將全面取代IGBT，推動電源行業向更高效、緊湊、可靠的方向演進，實現顛覆性變革。

審核編輯 黃宇