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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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igbt技術

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模數轉換器 數模轉換器 數字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機驅動器 步進驅動器 TWS BLDC 無刷直流驅動器 濕度傳感器 光學傳感器 圖像傳感器
數字隔離器 ESD 保護 收發器 橋接器 多路復用器 氮化鎵 PFC 數字電源
開關電源 步進電機 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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