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SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基...
該報告顯示,2023 年 HBM 在市場中的占比僅為 2%,但預計今年將增至 5%,明年則有望突破 10%;而在市場份額上,從去年的 8%上升至今年的 ...
臺積電表示A16工藝不需NAEU,新一代CoWoS封裝獲重大突破
在封裝技術的研發道路上,臺積電從未停止過前進的腳步。而除了CoWoS封裝技術的巨大進展,該公司還首次對外公布了其A16制程工藝。
HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
SK海力士與臺積電達成研發合作,推動HBM4和下一代封裝技術發展?
據協議內容,雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎裸片(Base Die)性能。HBM 由多個 DRAM 裸片(Core Die)堆疊在基礎裸片之上,...
TC-NCF是有凸塊的傳統多層DRAM間鍵合工藝,相比無凸塊的混合鍵合技術更為成熟,然而由于凸塊的存在,采用TC-NCF生產的同層數HBM內存厚度會相應增加。
自 HBM3E(第五代 HBM 產品)起,SK海力士的 HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產;然而,從 HMB4(第六代 HBM 產品)開始,該公司將...
慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第三位的美光近年來也...
HBM,即高帶寬內存,以其獨特的“樓房設計”概念,打破了傳統DDR內存的設計局限,憑借出色的性能在市場中贏得了廣泛認可。
隨著人工智能在智能手機、筆記本等移動設備上的廣泛應用,端側AI已經成為行業熱議的焦點。為了支持端側運行模型的高效運行,移動DRAM的性能要求也在不斷提升。
了解到,2.5D封裝技術能夠有效地將CPU、GPU、I/O接口、HBM芯片等多種芯片以橫向方式置于中間層之上。如臺積電所采取的CoWoS技術以及三星的I...
押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存儲芯片大廠旗艦新品匯總
電子發燒友原創 章鷹 ? 4月1日,韓國股市開盤后,存儲大廠SK海力士一度漲幅超過4%,市值已超過 1,000 億美元,受益于投資者持續買入AI相關股票...
在 AI 存儲芯片方面,慶桂顯示三星組建了以DRAM產品與技術掌門人Hwang Sang-joon為首的HBM內存產能與質素提升團隊,這是今年成立的第二...
漢高:碳化硅、HBM存儲等高成長,粘合劑技術如何助力先進封裝
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)漢高粘合劑主要用于半導體封裝、模塊和消費電子設備的組裝。只有集成電路設計和晶圓制造方面的材料,漢高暫未涉及。漢高在德國總部...
值得關注的是,AI 和車用領域表現亮眼:英偉達在 AI 邏輯芯片領域以 490 億美元收入,同比增幅高達 134%,且是 2019 年的四倍之多;HBM...
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