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三星開創性研發出12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片,存儲容量高達36
三星在技術上采用了最新的熱壓力傳導性膜(TC NCF)技術,成功維持了12層產品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致,滿足了現有的HBM封裝要求。
近日,三星電子宣布,已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存(HBM3E)產品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解,HB...
三星電子成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
三星發布首款12層堆疊HBM3E DRAM,帶寬高達1280GB/s,容量達36G
“隨著AI行業對大容量HBM的需求日益增大,我們的新產品HBM3E 12H應運而生,”三星電子內存規劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個存儲方...
美光指出,專為AI、超級計算機設計的HBM3E預計2024年初量產,有望于2024會計年度創造數億美元的營收。Mehrotra對分析師表示,“2024年...
美光執行副總裁兼首席商務官薩達納(Sumit Sadana)稱,公司已實現HBM3E的市場首發和卓越性能,同時能耗具有顯著優勢,使公司在AI加速領域穩占...
SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現已提前調整產量,以期更好地滿足...
韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中,展現出強大的增長勢頭。數據顯示,公司的主力產品DDR5 DRAM和HBM3的營收...
近日,據報道,三星電子正計劃大規模擴大其HBM(高帶寬內存)產能,以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
該集群將生產HBM、PIM和其他尖端芯片。總產能估計為每月770萬片晶圓。到2027年將建成3座生產廠和2座研發廠。
蔡篤恭指出,力成深諳硅通孔(TSV)工藝已長達十年之久,過去這一技術曾用于CIS,而現在也可以服務于HBM,特別是面對日益縮小的晶圓和更高精度的研磨要求...
三星電子報告2023年第四季度營業利潤下降35%至2.8萬億韓元(約合21.3億美元),而分析師平均預期為3.7萬億韓元;營業收入同比下降4.9%至...
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