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Custom?MMIC的QPA4346D是款高功率MMIC放大器,選用Qorvo制造的0.15um?GaN?on?SiC工藝技術(QGaN15)。QPA...
氮化鎵(GaN)是極具潛力的第三代半導體,廣泛應用于功率器件、射頻器件及光電器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發展的關鍵限制,特別是在器...
作為國家虛擬現實創新中心入局者,晶能光電利用自主創新的硅襯底GaN基LED技術,承擔硅襯底Micro LED的關鍵共性技術開發。
根據行家說 Research 數據顯示,2021年,全球GaN 功率器件營收規模約為 1.66 億美元,其中消費類電子市場為0.95億美元,通信與數據中...
來源:《半導體芯科技》雜志12/1月刊 近年來,芯片材料、設備以及制程工藝等技術不斷突破,在高壓、高溫、高頻應用場景中第三代半導體材質優勢逐漸顯現。其中...
UMS?CHA7062-QCB是款兩級單片GaN功率放大器,在13-20GHz工作頻段內展現5W飽和狀態輸出功率。 CHA7062-QCB具備17%的功...
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關,其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結...
隨著碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新材料在二極管、場效應晶體管(MOSFET)和其他元件中的不斷應用,電力電子行業的技術革命已經開始。這些新組...
隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉向非常規半導體材料,特別是寬帶隙(WBG)半導體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對...
Transphorm發布新的氮化鎵場效應管可靠性指標 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc...
納芯微全新推出GaN相關產品NSD2621和NSG65N15K
納芯微全新推出GaN相關產品,包含GaN驅動NSD2621與集成化的Power Stage產品NSG65N15K,均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等...
Wolfspeed的CGHV60040D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優異的性能參數。包括相對較高的...
UMS的CHA8312-99F是款8-12GHz頻率段的二級GaN大功率放大器。CHA8312-99F一般提供與50%的功率額外效率相關聯的17W輸出功...
Wolfspeed的CGH60030D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備更優越產品性能;包括更高擊穿場強...
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