65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰略性新興產業,在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。IGBT模塊因其優異的電氣性能,已經被廣泛的應用于現代電力電子技術中,氮化
2017-09-12 16:21:52
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
的是用于藍光播放器的光盤激光頭)。
在光子學之外,雖然氮化鎵晶體管在1993年就發布了相關技術,但直到2004年左右,第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)才開始商用。這些晶體管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域,隨著技術的進步以及人們的需求,氮化鎵產品已經走進了我們生活中,尤其在充電器中的應用逐步布局開來,以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間,所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中,功率密度是關鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限,設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能,被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力,甚至為該行業帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
% 的峰值效率,以及 19dB 的增益。在無線基站市場,該性能使得氮化鎵可以撼動LDMOS在基站功率放大器領域幾十年來的主導地位,并對基站性能和運營成本產生了深遠的影響。氮化鎵提供的顯著技術優勢(包括能源效率
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換,德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
德州儀器在線支持社區氮化鎵解決方案論壇,與同行工程師和TI專家一起尋找解決方案、獲得幫助、分享知識和解決問題。
1-分布式能源系統和輸配電應用的電力電子技術,ORNL,2005年
?
原文鏈接
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世紀四大發明之一,半導體激光器是采用半導體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長等優勢,是應用最多的激光器類別。氮化鎵激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設計從入門到精通,這個系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點擊下方內容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發生了轉變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關?氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計?
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時,GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應用中。 數據手冊中的規格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應用中。 數據手冊中的規格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比,這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
深圳市尊信電子技術有限公司專業開發設計電子產品方案鈺泰,智融,賽芯微一級代理吉娜:*** 微信:mphanfan歡迎行業客戶聯系,獲取datasheet、報價、樣片等更多產品信息氮化鎵技術的普及,使
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢,并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術,瞄準主流消費電子
2018-02-12 15:11:38
用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革,特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動,這將對無線
2017-08-30 10:51:37
`作為一家具有60多年歷史的公司,MACOM在射頻微波領域經驗豐富,該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管,后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件(例如砷化鎵GaAs)。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化鎵技術。2017 電子設計創新大會展臺現場演示在2017年的電子設計創新大會上,MACOM上海無線產品中心設計經理劉鑫表示,硅襯底有一些優勢,材料便宜,散熱系數好。且MACOM在高性能射頻領域
2017-07-18 16:38:20
場景1▲圖3:測試場景2測試結果1.Vgs控制電壓5.1V左右,信號光滑無任何畸變;2.上管關斷瞬間負沖0.5V左右,在氮化鎵器件安全范圍;3.下管關斷瞬間引起的負沖在2.2V左右,在氮化鎵器件安全
2023-01-12 09:54:23
產品名稱:氮化鎵晶體管QPD1004產品特性頻率范圍:30 - 1200 MHz輸出功率(p3db):40 W在1 GHz線性增益:20.8分貝典型的1 GHz典型的pae3db:73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:24:16
設備、測試儀器。該設備可以支持脈沖和線性操作。產品型號: TGF2977-SM產品名稱:氮化鎵晶體管TGF2977-SM產品特性頻率范圍:直流- 12 GHz輸出功率(p3db):6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15
由于換了三星手機,之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
Canaccord Genuity預計,到2025年,電動汽車解決方案中每臺汽車的半導體構成部分將增加50%或更多。本文將探討氮化鎵(GaN)電子器件,也涉及到一點碳化硅(SiC),在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統的硅技術相比,不僅性能優異,應用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中,傳統硅器件在能量轉換方面,已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
,在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變,初級FET的一般損耗方程可以最小化,從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現,將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
應用范圍也越來越廣。據報道,美國特斯拉公司的馬達驅動逆變器使用的是碳化硅半導體。另外,很多讀者都已經在電器市場上看到了使用了氮化鎵半導體的微型 AC轉換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導體,其內部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上,能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進的電源轉換拓撲結構,從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
實現設計,同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節省系統級成本,并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半,到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換,德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質,確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵,由鎵(原子序數 31)和氮(原子序數 7)結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
流,但隨著5G的到來,砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是,GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導體,可承受更高
2019-07-08 04:20:32
應用領域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價格優勢,實單歡迎洽談。產品信息型號1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領域,但是大部分時候是應用層面的問題,和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
的測試,讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現場出現的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節問題,泰克與電源行業專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節系列直播課,氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經常感到奇怪,我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨善其身。每年,我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
壓擺率很高時,特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感,并且優化開關性能。集成驅動器還可以實現保護功能簡介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品?
2021-06-15 06:30:55
目前的永磁電機或稱為直流無刷電機(BLDC)的應用非常廣泛。與其他電機相比,永磁電機可提供每立方英寸更高的扭矩和更優越的動態性能。到目前為止,硅基功率器件在逆變器電子領域中一直占主導地位。可是,它們
2023-06-25 13:58:54
已經在電池上采用多極耳,多條連接線來降低大電流的發熱。氮化鎵的低阻抗優勢,可以有效的降低快充發熱。應用在手機電池保護板上,可以支持更高的快充功率,延長快充持續時間,獲得更好的快充體驗。同時氮化鎵屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協議輸出適配器,更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應用為工業市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫療過程,接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業加熱和干燥。從工業角度
2018-01-18 10:56:28
第 1 步 – 柵極驅動選擇 驅動GaN增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅動硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異。 驅動氮化鎵E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09
前言
橙果電子是一家專業的電源適配器,快充電源和氮化鎵充電器的制造商,公司具有標準無塵生產車間,為客戶進行一站式服務。充電頭網拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器,總輸出功率為65W,單口
2023-06-16 14:05:50
實現設計,同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節省系統級成本,并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半,到為并網應用創建高效、緊湊的10kW轉換,德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案
2022-11-10 06:36:09
阻礙業界在各種應用中采納氮化鎵器件,例如氮化鎵器件不僅使能激光雷達應用,而且在硅MOSFET以前占據主導地位的傳統應用中,如數據中心和車載電子,也逐漸轉用氮化鎵器件。本文將揭穿關于氮化鎵技術的最常見誤解
2023-06-25 14:17:47
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發生了轉變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
領域雖然備受關注,但是由于技術水平較高,專利壁壘過大,因此這個領域的公司相比較電力電子領域和光電子領域并不算很多,但多數都具有較強的科研實力和市場運作能力。Qorvo、CREE、MACOM 73
2019-04-13 22:28:48
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模,有可能實現嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
擁有豐富的研發經驗。另外,Dan 也是首屆 ISPSD 電力電子名人堂的入選者。
Marco Giandalia在電源轉換和電機驅動領域,擁有超過 20 年的高壓集成電路設計經驗,他在定義、建模
2023-06-15 15:28:08
的晶體管”。 伊斯曼和米什拉是對的。氮化鎵的寬帶隙(使束縛電子自由斷裂并有助于傳導的能量)和其他性質讓我們能夠利用這種材料承受高電場的能力,制造性能空前的器件。 如今,氮化鎵是固態射頻功率應用領域
2023-02-27 15:46:36
靈活應對不同的應用場景。2. 應用領域? 適配器? 充電器? AC-DC 開關電源. 特性? 集成氮化鎵直接驅動(6V DRV)? 集成高壓啟動(700V)? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統的、基于硅材料的技術,創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
會產生熱量。這些發熱限制了系統的性能。比如說,當你筆記本電腦的電源變熱時,其原因在于流經電路開關內的電子會產生熱量,并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導體材料,它的發熱量更低,所以
2018-08-30 15:05:50
相對于硅材料,使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件,可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質量、體積以及生命周期成本,允許設備在更高的溫度、電壓和頻率下工作,使得電子電子器件使用更少的能量
2023-02-05 14:30:082810 隨著科學技術的不斷進步,電力電子設備的應用越來越廣泛,而氮化鎵(GaN)材料在提高能源效率方面發揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性,氮化鎵在電力電子設備中的應用,以及氮化鎵解決方案如何實現更高的能效。
2023-10-13 16:02:05344
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