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GlobalFoundries拋棄三星和意法半導(dǎo)體在第二代FD-SOI技術(shù)上達(dá)成合作
GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效,近日傳來消息,又迎來意法半導(dǎo)體(ST)的大單進(jìn)補(bǔ),在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹...
2018-01-15 標(biāo)簽:三星電子意法半導(dǎo)體fd-soi 1563 0
2017年2月10日,Globalfoundries(格芯)宣布在中國成都高新西區(qū)建立12英寸代工廠,在半導(dǎo)體業(yè)界造成了巨大的影響:項目一期為成熟的13...
2017-03-08 標(biāo)簽:FD-SOIGlobalfoundries格芯 5258 0
中國半導(dǎo)體工藝落后國際大廠 談突破先了解FinFET和胡正明
日前,中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化...
半年巨虧13.5億美元,格羅方德從AMD分拆以后經(jīng)歷了什么?
根據(jù)阿聯(lián)酋阿布達(dá)比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC),即現(xiàn)在的穆巴達(dá)拉發(fā)展公司(Mubadala)9月發(fā)布的2016年上半年度財務(wù)報表顯示,其半導(dǎo)體技術(shù)事業(yè)分...
2016-10-20 標(biāo)簽:AMDFD-SOIGlobal Foundries 7411 0
判斷FinFET、FD-SOI與平面半導(dǎo)體制程的市場版圖還早
獲得英 特爾(Intel)、三星、臺積電(TSMC)等大廠采用的FinFET制程,號稱能提供最高性能與最低功耗;但Jones指出,在約當(dāng)14納米節(jié) 點,...
2016-09-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制程FD-SOIFinFET 2080 0
耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變,成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(Fi...
2016-04-18 標(biāo)簽:FD-SOIFinFET半導(dǎo)體工藝 3293 0
半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德(Globalfoundries)日前開發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺,以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置的超...
Global開發(fā)FD-SOI工藝 芯片廠商助力量產(chǎn)
晶圓代工廠商Globalfoundries位于德國德勒斯登(Dresden)的晶圓廠,可能成為一家歐洲本地芯片廠商缺乏勇氣去委托生產(chǎn)的“超越摩爾定律(M...
格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺
格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝,以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX?”平臺提供的性能和功耗媲...
2015-07-14 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI格羅方德 1664 0
半導(dǎo)體廠商產(chǎn)能布局 FinFET與FD-SOI工藝大PK
在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里,半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
意法半導(dǎo)體獨有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲器,有望突破更高性能,以實現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體嵌入式存儲器FD-SOI 1396 0
意法半導(dǎo)體獲2013年度電子成就獎(ACE)能源技術(shù)獎
意法半導(dǎo)體(ST)宣布意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(ACE)能源技術(shù)獎。根據(jù)客戶的節(jié)能與性...
意法半導(dǎo)體的突破性半導(dǎo)體技術(shù)榮獲電子成就獎
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體宣布,意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術(shù)榮獲全球兩大知名電子技術(shù)專業(yè)...
2013-05-08 標(biāo)簽:CMOS意法半導(dǎo)體FD-SOI 937 0
意法半導(dǎo)體28nm FD-SOI技術(shù)平臺又獲階段性成功
意法半導(dǎo)體宣布,其28納米FD-SOI技術(shù)平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz,在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高...
2013-03-13 標(biāo)簽:CMOSSoC意法半導(dǎo)體 1498 0
ST-Ericsson推出28nm FD-SOI制程多模LTE手機(jī)平臺
日前,依法愛立信推出一款支持LTE多模的高整合度智慧型手機(jī)平臺,該平臺整合了全套無線功能,并擁有基于ARM Cortex-A9的2.5GHz eQuad...
看好28奈米FD-SOI技術(shù) 意法借力成該技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者
日前,意法半導(dǎo)體(ST)宣布位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù),這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點提...
2012-12-14 標(biāo)簽:ST意法半導(dǎo)體FD-SOI 950 0
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會越來越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通...
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