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標(biāo)簽 > ddr4
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
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DDR4與DDR3的不同之處 DDR4設(shè)計與仿真案例
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡,這...
Power Design Manager (PDM) 2023.1的新增功能
PDM 已經(jīng)與其它 AMD FPGA 和自適應(yīng) SoC 工具一起集成到統(tǒng)一的安裝程序中。這是一款獨立的工具,無需任何額外的 AMD 軟件,即可運行或完成安裝。
2023-09-06 標(biāo)簽:SoC設(shè)計PDMDDR4 1064 0
CXL 增加了芯片內(nèi)部的技術(shù)復(fù)雜性,這需要集成電路(IC)和復(fù)雜的片上系統(tǒng)(SoC)專業(yè)知識來設(shè)計、開發(fā)和執(zhí)行復(fù)雜的 SoC。在 CXL 存儲器解決方案...
ddr4 3200和3600差別大嗎 ddr4 3200和3600可以混用嗎
DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內(nèi)存頻率規(guī)格,它們在性能上會有一定的差別,但差別大小取決于具體的應(yīng)用場景和系統(tǒng)配置。
ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們在電氣特性和引腳布局上存在...
2023-08-09 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸主板內(nèi)存 2.5萬 0
Versal ACAP DDRMC-DDR4、LPDDR4和LPDDR4X外部參考時鐘設(shè)計指南
本文旨在呈現(xiàn)使用 DDR4、LPDDR4 或 LPDDR4X 存儲器控制器的 Versal ACAP 器件的外部參考時鐘電路要求
使用 Synopsys 內(nèi)存 VIP 的 Skip 初始化功能可確保模型處于空閑狀態(tài),從而繞過重置過程的要求。在該狀態(tài)下,VIP 已準(zhǔn)備好接受 REF、...
DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC,則為72位通道)。相比之下,DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨立的32位通道(40位ECC)。
目前對于DDR4、DDR5等并行信號,信號速率越來越高,電源性能要求也越來越高,今天我們就來看看電源噪聲對信號質(zhì)量的影響;
其處理器與核顯供電電路每一相都搭配了一顆可支持60A電流負(fù)載的Dr.MOS。同時主板還采用了在105℃環(huán)境溫度下?lián)碛?000小時工作壽命的5K固態(tài)電容,...
地址線最多的是 16Gb 容量的 x4 顆粒,使用 A0-A17 地址線。需要注意的是所有 PHY 都會有 A0-A16 (因為 RAS\_n 復(fù)用為 ...
FEXT一般指遠(yuǎn)端串音。遠(yuǎn)端串音(Far-End Crosstalk)是串音的一種,指信號傳輸中平行的兩對線,干擾線對施加給被干擾線對遠(yuǎn)端的串音。
關(guān)于雙通道Crucial英睿達(dá)DDR5-5600的評測分析
作為新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),DDR5自問世以來是伴隨著一些爭議的,但爭議的焦點并不是DDR5本身,而是它的適用環(huán)境。
從DDR3到LPDDR4(X),看產(chǎn)品細(xì)分差異優(yōu)化發(fā)展
DDR從誕生開始,就由于其在時鐘上升沿和下降沿均可進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,相較之前SDR單邊傳輸,以double date rate的速率優(yōu)勢,極大提高了帶寬,逐...
Intel至強(qiáng)W9-3495X和AMD銳龍線程撕裂者PRO 5000WX對比介紹
AMD這邊的杠把子則是銳龍線程撕裂者PRO 5995WX,7nm工藝,Zen3架構(gòu),64核心128線程,32MB二級緩存,256MB三級緩存,基準(zhǔn)頻率2...
介紹DDR3和DDR4最關(guān)鍵的一些技術(shù)
Write leveling功能和Fly_by拓?fù)涿懿豢煞?。Fly_by拓?fù)渲饕獞?yīng)用于時鐘、地址、命令和控制信號,該拓?fù)淇梢杂行У臏p少stub的數(shù)量和他們的長度
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