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CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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斬波穩(wěn)零式高精度運(yùn)放ICL7650的工作原理及應(yīng)用電路分析
ICL7650是Intersil公司利用動(dòng)態(tài)校零技術(shù)和CMOS工藝制作的斬波穩(wěn)零式高精度運(yùn)放,它具有輸入偏置電流小、失調(diào)小、增益高、共模抑制能力強(qiáng)、響應(yīng)...
2020-08-22 標(biāo)簽:電源cmos運(yùn)算放大器 1.7萬 0
高集成度模數(shù)轉(zhuǎn)換器AD7656的特性和應(yīng)用分析
美國(guó)模擬器件公司(ADI)發(fā)布了一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體制造工藝,這種工藝技術(shù)是將高電壓半導(dǎo)體工藝與亞微米CMOS和互補(bǔ)雙極型工藝相結(jié)合,并將該工藝命名為iCM...
2020-08-21 標(biāo)簽:cmos半導(dǎo)體模數(shù)轉(zhuǎn)換器 2788 0
集成運(yùn)算放大器的差分輸入級(jí)的互導(dǎo)為常數(shù)問題和解決方案
近年來,電子產(chǎn)品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展,需要低電壓、低功耗的集成電路,以延長(zhǎng)電池的使用壽命。CMOS技術(shù)可以將包括數(shù)字電路和模擬電路的整個(gè)系統(tǒng)同時(shí)...
2020-08-19 標(biāo)簽:集成電路cmos運(yùn)算放大器 2268 0
基于兩級(jí)密勒補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的CMOS功率放大器的設(shè)計(jì)
本文設(shè)計(jì)了一種用于耳機(jī)驅(qū)動(dòng)的CMOS功率放大器,該放大器采用0.35μm雙層多晶硅工藝實(shí)現(xiàn),驅(qū)動(dòng)32Ω的電阻負(fù)載。該設(shè)計(jì)采用三級(jí)放大兩級(jí)密勒補(bǔ)償?shù)碾娐方Y(jié)...
模擬系統(tǒng)設(shè)計(jì)中輸入采樣結(jié)構(gòu)的選擇和造成哪些影響
今天的模擬系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師面臨許多設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),他們不僅需要選擇正確的IC元件,還必須準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)這些元件在系統(tǒng)內(nèi)的相互影響。從這點(diǎn)來看,模數(shù)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)是一個(gè)...
2020-08-14 標(biāo)簽:cmos模數(shù)轉(zhuǎn)換器模擬系統(tǒng) 926 0
CMOS模擬開關(guān)NLAS5223的結(jié)構(gòu)原理、特點(diǎn)和應(yīng)用
NLAS5223是安森美公司推出的器件,是一種先進(jìn)的CMOS模擬開關(guān)。在一個(gè)小尺寸10引腳WQFN封裝中,有兩個(gè)獨(dú)立的單刀雙擲模擬開關(guān)。該模擬開關(guān)主要特...
2020-08-14 標(biāo)簽:cmos安森美模擬開關(guān) 2979 0
CMOS運(yùn)算放大器LTC6078系列產(chǎn)品接近理想狀況
對(duì)電池供電的應(yīng)用而言,尺寸和功耗是人們關(guān)注的主要問題。對(duì)便攜式儀表內(nèi)精確應(yīng)用來說,低輸入失調(diào)電壓和低偏壓漂移也很重要。在這些應(yīng)用情況下,凌力爾特公司 L...
2020-08-14 標(biāo)簽:電源cmos運(yùn)算放大器 1359 0
基于CMOS電路結(jié)構(gòu)的第二代電流傳輸器電流反饋運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)
文獻(xiàn)中電路單位增益帶寬比較低,又由于電壓模式的帶寬增益積為常數(shù), 因此在處理高頻信號(hào)時(shí),增益會(huì)變的很低。另外文獻(xiàn)中轉(zhuǎn)換速率也很低,不 適合處理高速信號(hào)。...
2020-08-13 標(biāo)簽:cmos電流運(yùn)算放大器 1599 0
高速8位A/D轉(zhuǎn)換器TLC5540的原理、性能特點(diǎn)和應(yīng)用分析
它的最高轉(zhuǎn)換速率可達(dá)每秒40兆字節(jié)。TLC5540采用了一種改進(jìn)的半閃結(jié)構(gòu)及CMOS工藝,因而大大減少了器件中比較器的數(shù)量,而且在高速轉(zhuǎn)換的同時(shí)能夠保持...
2020-08-12 標(biāo)簽:cmos轉(zhuǎn)換器德州儀器 2807 0
CMOS差動(dòng)放大器晶體管的不匹配特性變化和解決方法研究
隨著微電子制造業(yè)的發(fā)展,制作高速、高集成度的CMOS電路已迫在眉睫,從而促使模擬集成電路的工藝水平達(dá)到深亞微米級(jí)。因?yàn)橹T如溝道長(zhǎng)度、溝道寬度、閾值電壓和...
2020-08-11 標(biāo)簽:cmos晶體管差動(dòng)放大器 3434 0
基于線性反饋移位寄存器實(shí)現(xiàn)CMOS電路的低功耗設(shè)計(jì)
另外,在系統(tǒng)工作模式下,應(yīng)用于給定電路的連續(xù)功能輸入矢量具有重要的相關(guān)性,而由LFSR產(chǎn)生的連續(xù)測(cè)試模式之間的相關(guān)性很低。因此,在自測(cè)試期間會(huì)增加電路中...
精簡(jiǎn)型Sigma-Delta A/D轉(zhuǎn)換器電路的特此安及應(yīng)用分析
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù),多媒體技術(shù)的迅速發(fā)展,圖像傳感器作為數(shù)碼相機(jī),攝像頭等圖像獲取設(shè)備的核心部件正在成為當(dāng)前和未來研究的重點(diǎn)。按照類型來分圖像傳感器主要...
2020-08-10 標(biāo)簽:cmos轉(zhuǎn)換器圖像傳感器 2002 0
易采用CMOS技術(shù)集成的多功能電流模式濾波器的設(shè)計(jì)和仿真驗(yàn)證分析
CCCⅡ是法國(guó)學(xué)者Fabre于1996年在CCⅡ電路基礎(chǔ)上提出來的。它除了具有CCⅡ的優(yōu)點(diǎn)(動(dòng)態(tài)范圍大、線性度好、功耗低、頻帶寬)外,還克服CCⅡ的上述...
多諧振蕩器的類型原理、應(yīng)用特點(diǎn)和仿真研究
在數(shù)字系統(tǒng)電路中經(jīng)常用到多諧振蕩器。多諧振蕩器是一種自激振蕩器,在接通電源以后,不需要外加觸發(fā)信號(hào)便能自行產(chǎn)生一定頻率和一定寬度的矩形波,這一輸出波形用...
基于CMOS LNAs器件實(shí)現(xiàn)低噪聲放大器電路的設(shè)計(jì)
目前,在高達(dá)數(shù)GHz的RF頻段范圍內(nèi),廣泛使用的是GaAs MESFET LNAs,其優(yōu)點(diǎn)是能夠在功率增益高達(dá)20 dB的同時(shí),使噪聲系數(shù)低至大約1 d...
采用開關(guān)電容來增加調(diào)節(jié)范圍實(shí)現(xiàn)3.7GHz CMOS VCO的電路設(shè)計(jì)
用于射頻系 統(tǒng)(如無線接收機(jī))的本振電路需要有足夠大的調(diào)節(jié)范圍以及良的性能。CMOS VCO由于可用于實(shí)現(xiàn)全集成的無線接收機(jī),一直備受關(guān)注。然而由于受到...
基于深亞微米CMOS工藝實(shí)現(xiàn)10位高速DAC的設(shè)計(jì)
片上集成系統(tǒng)(SoC)是集成電路發(fā)展的重要方向。由于數(shù)字信號(hào)處理的諸多優(yōu)點(diǎn)以及近年來數(shù)字集成電路性能的提高與成本的下降,數(shù)字電路在SoC系統(tǒng)中的地位越來...
從數(shù)十年前被發(fā)明以來,MOS晶體管的尺寸已經(jīng)被大大縮小。門氧化層厚度、通道長(zhǎng)度和寬度的降低,推動(dòng)了整體電路尺寸和功耗的大大減少。由于門氧化物厚度的減小,...
新型低功耗LNA電路架構(gòu)的優(yōu)化和實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)
隨著無線通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,無線終端小型化、低功耗、低成本、高性能已成為射頻集成電路(RFIC)發(fā)展的必然趨勢(shì)。以往的MOS管高頻性能相對(duì)較差,傳統(tǒng)的射...
8位半閃速架構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器TLC5510的性能特點(diǎn)和典型應(yīng)用電路研究
TLC5510最大可提供20 Ms/s的采樣率,可廣泛應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、數(shù)字TV、醫(yī)學(xué)圖像、視頻會(huì)議以及QAM解調(diào)器等領(lǐng)域。TLC5510的工作電源為...
2020-07-31 標(biāo)簽:電源cmos轉(zhuǎn)換器 4179 0
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