1 引 言

目前，在高達數GHz的RF頻段范圍內，廣泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其優點是能夠在功率增益高達20 dB的同時，使噪聲系數低至大約1 dB。但隨著CMOS電路技術的成熟，近來對RF CMOS電路元件的研究成果越來越多，在無線通信系統上也已經實現了SoC化。如果CMOS制造技術能克服噪聲大，功率損耗大等缺點，憑借其低廉的價格，CMOS LNAs將有可能在數GHz的RF頻段范圍內，逐漸取代GaAs MESFET LNAs。

由于LNAs通常位于整個接收電路的第一級，由式（1）可以看出，第一級的LNAs對于接收電路有很大的影響。所有在設計LNA電路時，應考慮降低噪聲，提高增益，輸入輸出阻抗匹配，降低功率損耗，提高線性度等重要因素。

2 低噪聲放大器電路設計

如圖1所示，設計一個cascode型輸入的低噪聲放大器。圖中Ls及Lg用來實現輸入阻抗匹配，而調整Ld和Cout可以實現輸出阻抗匹配。Cin可以用來阻止輸入端的直流信號。

從輸入部分電路可以計算出輸入阻抗為：

調整Ls使得輸入阻抗Zin實部為50 Ω，再調整Lg使得Zin虛部為0。如此即可調出Ls和Lg來實現電路的輸入阻抗。但是由于分布參數的影響，Ls和Lg的值還必須代入仿真軟件做進一步調整。

對于放大器的輸出，由于放大器使用LC并聯電路作為負載，所以當LC諧振在2.38 GHz時，理想的LC電路應呈現出開路狀態，此時負載最大，增益也最大。但是電路的增益仍然受到電感和電容的Q值影響，所以在進行軟件仿真時還需通過調整電感電容值來調整LNA的中心頻率。

3 本LNA中無源器件的結構

由于此設計采用全集成化設計，所以無源器件都用CMOS工藝制作在芯片內部，即內嵌式（on-chip）。

3.1 電感結構

此電路中電感采用內嵌式螺旋電感。采用內嵌式電感可以節約面積，提高電路集成度，但是卻犧牲了Q值，并且在CMOS工藝中電感的制備比較難以控制，所以在實際layout時將螺旋電感的中心拿掉，因為越接近核心，電荷密度越大，但核心部分對電感值的貢獻不大，中心去掉不會對整個電感有太大影響，還可以提高Q值。

3.1.1 電容結構

此電路中采用MIM（metal-insulator-metal）電容，是平板電容的一種變形，如圖3所示。這種電容的好處是容值較為固定，并且結構簡單。相比一般平板電容，在上下級板中間多了一層CTM（Capacitor TopMetal）層，可以通過縮短兩極板之間的距離來提高容值或縮小電容所占面積。

3.1.2 電阻結構

在當前的CMOS工藝中，根據不同的材料和制備工藝，常用的電阻有Well電阻、Poly電阻、Diffusion電阻和Metal電阻。各種電阻的導電層特性如下：

在設計的時候要注意，制作時電阻值越小誤差越大，所以材料選擇、使用面積和阻值誤差等要綜合考慮。

4 仿真設計

（1）確定設計目標。本文中電路工作在藍牙系統中，工作頻率為2.38 GHz，設計一個超低噪聲以及超高增益的LNA電路。

（2）設計電路結構。本電路基本結構為cascode單級放大電路，再加上一些周邊的匹配電路和電壓偏置電路來構成LNA電路。

（3）本文使用安捷倫的ADS系統來做高頻仿真，使用0.25μm的RF模型。主要仿真S參數、噪聲系數、線性度、功率增益等LNA電路的重要參數。

（4）根據0.25μm制造工藝的layout規則來設計電路中的各個元件，并且盡量做到電路對稱。

5 仿真結果

本文電路使用0.25μm制造工藝，電源電壓2.5 V，工作頻率2.38 GHz的全集成化單端LNA電路。

5.1 S參數仿真

圖4是此電路在ADS中的仿真結果，圖4（a）中S11是電路輸入反射系數，為-12.203 dB；圖4（b）中S12為電路的隔絕度（isolation），避免LNA下一級的反射信號影響到LNA輸入端的信號，本電路中為-24.67 dB；圖4（c）中S21表示電路的功率增益，其值為20.47 dB；圖4（d）中S22為輸出反射系數，大約為-22.33 dB。

5.2 線性度仿真

一般來說，一個系統的線性度越高越好，但是電路中含有晶體管等非線性有源器件，所以在LNA電路工作在較高功率時，輸出會產生非線性失真。在仿真時，為了表示線性度，定義出一個1 dB點，表示輸出相比輸入壓縮了1 dB。由圖5中可以看出，1 dB點出現的越靠后，說明線性度越好。本電路仿真出的1 dB點在-25 dBm的位置。

5.3 噪聲系數仿真

噪聲系數是關系到一個放大器性能好壞的重要參數，其定義為輸入信噪比和輸出信噪比的比值：

其中：So為輸出端的信號功率，Si為輸入端的信號功率，Ni為輸入端的噪聲功率，No為輸出端的噪聲功率。圖6為本電路仿真的噪聲系數，大約為1.54 dB。

6 結語

設計射頻電路的LNA，在開始設計的時候就要考慮很多因素，例如為了提高增益，便要增加功率消耗，為了與下一級耦合，可能會影響整個LNA性能。通過綜合的平衡，才能設計出滿足不同性能需求的低噪聲放大電路。本文設計的電路，在提供20 dB高增益的同時，只有1.5 dB的噪聲系數，達到了設計要求。

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