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碳化硅(SiC)是一種具有優異物理特性的半導體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導率、高擊穿場強和高電子飽和遷移率等特點使其在功率器件領域具有廣泛的應用前景。
瞻芯電子推出車規級1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產品,助力高效大功率應用
為了滿足高效、大功率變換系統應用需要,瞻芯電子開發了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產品,其中TO247-2封裝器件產品IV2D12...
3月4日,北京順義消息顯示,順義區21個在建市區重點產業項目全部復工復產,其中包括泰科天潤建設公司總部、研發中心及8英寸SiC功率器件生產基地項目。
來源:Silicon Semiconductor 非常適合汽車LED頭燈和其他高速開關應用。 ROHM(羅姆)開發了100V擊穿肖特基勢壘二極管 (SB...
ROHM推出實現業界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設備、工業設備、消費電子設備等的電源電路和保護電路,推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢壘...
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