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SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數據手冊

麥辣雞腿堡 ? 來源:派恩杰半導體 ? 2025-02-25 16:01 ? 次閱讀

P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標準,無鹵。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% UIS測試等特性,可提升系統效率,減少散熱需求,并聯使用時無熱失控風險,常用于消費類開關模式電源PFCDC/DC 階段的升壓二極管及 AC/DC轉換器

碳化硅(SiC)屬于第三代半導體,派恩杰獨有的SiC 肖特基二極管結構相比于傳統Si肖特基二極管具有更高的耐壓等級和更低的漏電流,大大提升了系統效率,特別適合在高壓高頻條件下工作。同時解決了Si二極管的耐壓極限問題和反向恢復損耗較大的問題,碳化硅二極管成本相對較低,已經廣泛使用。派恩杰提供多種多樣封裝形式去適應不同應用場景。
*附件:SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數據手冊.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q101 標準
  • 超快速開關
  • 零反向恢復電流
  • 高頻運行
  • 正向電壓具有正溫度系數
  • 高浪涌電流
  • 100% 經過 UIS 測試

優勢

  • 優異的性能
  • 減小系統體積
  • 提升整體效率
  • 減小散熱面積
  • 車規級器件
  • 降低系統成本
  • 降低電磁干擾

應用領域

典型性能

image.png

封裝

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