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驅(qū)動電壓

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　　驅(qū)動電壓，使器件開始工作所需的最小供電電壓。

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驅(qū)動電壓技術(shù)

冷光片驅(qū)動電壓范圍是多少

冷光片，也稱為電致發(fā)光片（Electroluminescent Panel，簡稱EL Panel），是一種利用電場激發(fā)熒光材料發(fā)光的顯示技術(shù)。它具有薄型...

2024-09-24 標簽：冷光片導電顯示技術(shù) 384 0

為什么電源占空比會影響驅(qū)動電壓

電源占空比對驅(qū)動電壓的影響是一個復雜的電子技術(shù)問題，涉及到許多電子元件和電路設(shè)計的原理。電源占空比的定義和作用電源占空比是指在一定時間內(nèi)，電源輸出的...

2024-08-15 標簽：電源占空比高電平 1105 0

igbt焊機驅(qū)動電壓怎樣測量

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2024-08-07 標簽：IGBT 晶體管電壓信號 948 0

igbt驅(qū)動波形主要看什么參數(shù)

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）驅(qū)動波形是電力電子技術(shù)中非常重要的一個方面，它直接影響到IGBT的開關(guān)速度、損耗、可靠性等性能指標。在本文中，我們將介紹IG...

2024-07-25 標簽：驅(qū)動 IGBT 晶體管 1204 0

igbt如何選擇合適的驅(qū)動電壓

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...

2024-07-25 標簽：IGBT 電力電子驅(qū)動電壓 1091 0

igbt驅(qū)動電壓有尖峰和低峰嗎

可能會出現(xiàn)尖峰和低峰現(xiàn)象。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導體器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）和B...

2024-07-25 標簽：IGBT 晶體管尖峰 1058 0

igbt驅(qū)動電壓多少伏正常范圍

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導體器件，具有高輸入阻抗、低導通壓降、快速開關(guān)速度等特點。在IGBT的應(yīng)用過程中，驅(qū)動電...

2024-07-25 標簽：IGBT 驅(qū)動電壓功率半導體器件 3027 0

igbt驅(qū)動電壓過高過低的后果

IGBT的工作原理和結(jié)構(gòu) IGBT是一種三端子功率半導體器件，由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、柵極和發(fā)射極組成。IGBT的工...

2024-07-25 標簽：發(fā)射極 IGBT驅(qū)動驅(qū)動電壓 1332 0

達林頓模塊驅(qū)動電壓是幾伏

達林頓模塊（Darlington Module）是一種電子元件，通常用于功率放大器、驅(qū)動器和開關(guān)電路中。它由兩個或多個晶體管組成，具有較高的電流增益和電...

2024-07-15 標簽：模塊功率放大器電子元件 835 0

外置OTP及主動降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點有哪些

深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733，是一款30W PD GAN帶OTP保護及主動降功率功能的PD快充芯片，與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...

2024-05-21 標簽：OTP GaN VDD 882 0

一個超聲波發(fā)射電路或者接收電路可以接多個探頭嗎？

在超聲波檢測系統(tǒng)中，探頭的使用通常取決于特定的應(yīng)用需求和系統(tǒng)設(shè)計。一個超聲波發(fā)射電路或接收電路理論上可以連接多個探頭，但在實際操作中，這種做法可能會受到...

2024-05-13 標簽：超聲波探頭接收電路 511 0

功率MOSFET的正反向?qū)ǖ刃щ娐穲D

功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系...

2024-03-07 標簽：二極管 MOSFET 等效電路 1005 0

IGBT典型過流保護電路設(shè)計分享

所謂集中過電流保護，就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流，當該電流值超過設(shè)定的閾值時，封鎖所有橋臂IGBT的驅(qū)動信號。

2024-02-23 標簽：IGBT 光電耦合器過流保護電路 1.4萬 0

IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過熱和過流的區(qū)別

IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個 P+基板（IGBT 的集電極），形成P...

2024-02-19 標簽：MOSFET IGBT NPN晶體管 2.7萬 0

掌握MOS管規(guī)格書，參數(shù)縮寫全解析

MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數(shù)：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）

2024-01-26 標簽：電流 MOSFET MOS管 2459 0

為什么小功率無刷直流電機中的MOS管會燒毀？

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2024-01-24 標簽：二極管 MOS管電壓控制 1400 0

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負載開關(guān)IC是以串聯(lián)方式插入電源與負載電路或IC之間的一個半導體開關(guān)。

2024-02-17 標簽：電源管理電池充電器負載開關(guān) 2629 1

必易微KP85402柵極驅(qū)動器解決方案

KP85402 開關(guān)節(jié)點耐壓為 650V，輸出峰值拉電流和灌電流能力分別為 300mA 和 1000mA，專用于驅(qū)動功率 MOSFETs 或 IGBTs...

2024-01-06 標簽：微控制器 dsp mcu 621 0

IGBT模塊的門極驅(qū)動介紹

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2024-01-05 標簽：電源電壓 IGBT模塊驅(qū)動電流 3318 0

SiC MOSFET驅(qū)動電壓尖峰的抑制方法簡析（下）

高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。

2023-12-20 標簽：MOSFET 電磁干擾 SiC 4652 2

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電路過電流過電壓保護是為防止主回路短路或直流牽引電動機發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機、主整流柜等電氣設(shè)備，機車在牽引、電阻制動或自負載工況下，對主電路的過電流和過電壓均進行保護。
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電源濾波器是由電容、電感和電阻組成的濾波電路，又名“電源EMI濾波器”，或是“EMI電源濾波器”，一種無源雙向網(wǎng)絡(luò)，它的一端是電源，另一端是負載。電源濾波器的原理就是一種——阻抗適配網(wǎng)絡(luò)：電源濾波器輸入、輸出側(cè)與電源和負載側(cè)的阻抗適配越大，對電磁干擾的衰減就越有效。
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