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標(biāo)簽 > 銳駿半導(dǎo)體
深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司(Ruichips)是一家專注從事功率半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè),公司位于深圳市南山科技園長(zhǎng)園新材料港園區(qū)內(nèi),現(xiàn)有員工200余人,其中研發(fā)和技術(shù)支持相關(guān)人員占45%.
銳駿半導(dǎo)體發(fā)布兩款全新MOSFET產(chǎn)品
近日,銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的MOSFET產(chǎn)品,分別是N溝道RUH1H80R-A(100V/80A)和P溝道RU4
2024-10-12 標(biāo)簽: MOSFET 半導(dǎo)體 銳駿半導(dǎo)體 262 0
銳駿半導(dǎo)體發(fā)布全新超低導(dǎo)通電阻MOSFET
近日,銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品,為市場(chǎng)帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 標(biāo)簽: MOSFET 導(dǎo)通電阻 銳駿半導(dǎo)體 399 0
首家國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司量產(chǎn)12英寸MOSFET
深圳市銳駿半導(dǎo)體(www.ruichips.com)在深圳市南山區(qū)科興科學(xué)園會(huì)議中心召開了他們12英寸MOSFET成功投
2019-10-10 標(biāo)簽: MOSFET 銳駿半導(dǎo)體 2022 0
深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司(Ruichips)是一家專注從事功率半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè),公司位于深圳市南山科技園長(zhǎng)園新材料港園區(qū)內(nèi),現(xiàn)有員工200余人,其中研發(fā)和技術(shù)支持相關(guān)人員占45%;公司成立近十年來,迅速成長(zhǎng)壯大,年銷售額突破數(shù)億人民幣,在適配器快充、移動(dòng)快充、車充、電機(jī)控制、新能源、逆變、鋰電保護(hù)等應(yīng)用領(lǐng)域均占有領(lǐng)先地位,深圳銳駿半導(dǎo)體致力于新產(chǎn)品研發(fā),持續(xù)更新/優(yōu)化新工藝、新技術(shù),現(xiàn)有Trench MOSFET/SGT MOSFET/Super Junction MOSFET三大類產(chǎn)品線、數(shù)百種型號(hào),累計(jì)獲得國(guó)家發(fā)明專利18項(xiàng),尤其是銳駿獨(dú)創(chuàng)的TO- 220內(nèi)絕緣封裝技術(shù),徹底解決了終端客戶在散熱和裝配上的技術(shù)難點(diǎn)。
深圳銳駿半導(dǎo)體在不斷加大研發(fā)投入的同時(shí),堅(jiān)持不斷優(yōu)化銷售網(wǎng)絡(luò)和拓展銷售渠道,改變公司直銷終端客戶為尋求和代理商的合作,發(fā)揮原廠技術(shù)優(yōu)勢(shì)和代理商渠道優(yōu)勢(shì),快速推出新產(chǎn)品,快速占領(lǐng)市場(chǎng)。
深圳銳駿半導(dǎo)體:銳意進(jìn)取,駿馬騰飛,中國(guó)功率器件領(lǐng)先品牌。
發(fā)展歷程:
2009年,公司成立,產(chǎn)品成功導(dǎo)入量產(chǎn),推向市場(chǎng)。
2010年,完善MOSFET產(chǎn)品線,取得多項(xiàng)創(chuàng)新專利。
2011年,被評(píng)為2011年中國(guó)IC設(shè)計(jì)十大企業(yè)
獲得2011年中國(guó)IC設(shè)計(jì)公司成就獎(jiǎng)
在電動(dòng)車應(yīng)用領(lǐng)域取得顯著成果,市場(chǎng)占有率大幅提高,得到行業(yè)客戶認(rèn)可
獲得ISO9001認(rèn)證和ROHS環(huán)保認(rèn)證。
2012年,成為中國(guó)電源學(xué)會(huì)、半導(dǎo)體協(xié)會(huì)理事成員,成為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)
2013年,成立半導(dǎo)體研發(fā)學(xué)院和實(shí)驗(yàn)室。
2014年,中國(guó)第一代內(nèi)絕緣MOS產(chǎn)品研發(fā)成功。
2015年,LED驅(qū)動(dòng)芯片研發(fā)成功,中國(guó)電子網(wǎng)專題報(bào)道,被評(píng)為中國(guó)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)。
2016年,改制為股份有限公司,成立銳駿產(chǎn)品學(xué)院。
2017年,在井岡山確立公司發(fā)展的基本路線和基本方針。
2018年,公司實(shí)現(xiàn)流程化和系統(tǒng)化管理改造,榮獲為2018 IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)。
2019年,國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)MOSFET 12寸晶圓工藝量產(chǎn),調(diào)補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。
2020年,公司完成第五代SGT技術(shù)平臺(tái)開發(fā)并投入量產(chǎn);投資建設(shè)自主封裝產(chǎn)線。
首家國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司量產(chǎn)12英寸MOSFET
深圳市銳駿半導(dǎo)體(www.ruichips.com)在深圳市南山區(qū)科興科學(xué)園會(huì)議中心召開了他們12英寸MOSFET成功投產(chǎn)的發(fā)布會(huì),2019年12英寸新...
2019-10-10 標(biāo)簽:MOSFET銳駿半導(dǎo)體 2022 0
銳駿半導(dǎo)體發(fā)布全新超低導(dǎo)通電阻MOSFET
近日,銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品,為市場(chǎng)帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻銳駿半導(dǎo)體 399 0
銳駿半導(dǎo)體發(fā)布兩款全新MOSFET產(chǎn)品
近日,銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的MOSFET產(chǎn)品,分別是N溝道RUH1H80R-A(100V/80A)和P溝道RU40P30L(-40V/-30A)...
2024-10-12 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體銳駿半導(dǎo)體 262 0
型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
---|---|---|---|
RU3070L | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):70A;功率(Pd):71W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.3mΩ@10V,70A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA; |
獲取價(jià)格
|
|
RU307C |
獲取價(jià)格
|
||
RU30P3B | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):3.5A;功率(Pd):1W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,3.5A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; |
獲取價(jià)格
|
|
RU20P3B | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):3A;功率(Pd):1W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@4.5V,3A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):1V@250uA; |
獲取價(jià)格
|
|
RU75150R | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):75V;連續(xù)漏極電流(Id):148A;功率(Pd):300W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,75A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價(jià)格
|
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