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深圳銳駿半導體股份有限公司（Ruichips）是一家專注從事功率半導體研發、生產、銷售的國家高新技術企業，公司位于深圳市南山科技園長園新材料港園區內，現有員工200余人，其中研發和技術支持相關人員占45%.
近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的MOSFET產品，分別是N溝道RUH1H80R-A（100V/80A）和P溝道RU4
近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
深圳市銳駿半導體（www.ruichips.com）在深圳市南山區科興科學園會議中心召開了他們12英寸MOSFET成功投
深圳銳駿半導體股份有限公司（Ruichips）是一家專注從事功率半導體研發、生產、銷售的國家高新技術企業，公司位于深圳市南山科技園長園新材料港園區內，現有員工200余人，其中研發和技術支持相關人員占45%；公司成立近十年來，迅速成長壯大，年銷售額突破數億人民幣，在適配器快充、移動快充、車充、電機控制、新能源、逆變、鋰電保護等應用領域均占有領先地位，深圳銳駿半導體致力于新產品研發，持續更新/優化新工藝、新技術，現有Trench MOSFET/SGT MOSFET/Super Junction MOSFET三大類產品線、數百種型號，累計獲得國家發明專利18項，尤其是銳駿獨創的TO- 220內絕緣封裝技術，徹底解決了終端客戶在散熱和裝配上的技術難點。
深圳銳駿半導體在不斷加大研發投入的同時，堅持不斷優化銷售網絡和拓展銷售渠道，改變公司直銷終端客戶為尋求和代理商的合作，發揮原廠技術優勢和代理商渠道優勢，快速推出新產品，快速占領市場。
深圳銳駿半導體：銳意進取，駿馬騰飛，中國功率器件領先品牌。
發展歷程：
2009年，公司成立，產品成功導入量產，推向市場。
2010年，完善MOSFET產品線，取得多項創新專利。
2011年，被評為2011年中國IC設計十大企業
獲得2011年中國IC設計公司成就獎
在電動車應用領域取得顯著成果，市場占有率大幅提高，得到行業客戶認可
獲得ISO9001認證和ROHS環保認證。
2012年，成為中國電源學會、半導體協會理事成員，成為國家高新技術企業
2013年，成立半導體研發學院和實驗室。
2014年，中國第一代內絕緣MOS產品研發成功。
2015年，LED驅動芯片研發成功，中國電子網專題報道，被評為中國半導體功率器件領軍企業。
2016年，改制為股份有限公司，成立銳駿產品學院。
2017年，在井岡山確立公司發展的基本路線和基本方針。
2018年，公司實現流程化和系統化管理改造，榮獲為2018 IC設計成就獎。
2019年，國內率先實現MOSFET 12寸晶圓工藝量產，調補國內空白。
2020年，公司完成第五代SGT技術平臺開發并投入量產；投資建設自主封裝產線。
近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的MOSFET產品，分別是N溝道RUH1H80R-A（100V/80A）和P溝道RU40P30L（-40V/-30A）...
近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
深圳市銳駿半導體（www.ruichips.com）在深圳市南山區科興科學園會議中心召開了他們12英寸MOSFET成功投產的發布會，2019年12英寸新...
| 型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| RU3070L | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續漏極電流(Id):70A;功率(Pd):71W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.3mΩ@10V,70A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA; |
獲取價格
|
|
| RU307C |
獲取價格
|
||
| RU30P3B | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續漏極電流(Id):3.5A;功率(Pd):1W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,3.5A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; |
獲取價格
|
|
| RU20P3B | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續漏極電流(Id):3A;功率(Pd):1W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@4.5V,3A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):1V@250uA; |
獲取價格
|
|
| RU75150R | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):75V;連續漏極電流(Id):148A;功率(Pd):300W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,75A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價格
|
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