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標簽 > 襯底
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碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...
引言 本文將討論在不同的濕化學溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分,并將有助于理解不同的外原位濕化學處理的影響。這項...
2022-01-12 標簽:InP技術(shù)化學蝕刻 2026 0
薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導體多晶硅、金屬銅等。從半導體芯...
碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術(shù),本文綜述了碳化硅單晶切...
電子科技領(lǐng)域中,半導體襯底作為基礎(chǔ)材料,承載著整個電路的運行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,對半導體襯底材料的選擇和應用要求也越來越高。本文將為您詳細介紹半導體襯...
最近在外延膜的導電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進展重新引起了我們對用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。
光刻膠中金屬雜質(zhì)對硅基基質(zhì)的吸附機理 南通華林科納分析
應用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評估了兩個重要的工藝參數(shù),即烘烤溫度和襯底類型(...
一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 激光退火是一種先進的熱處理技術(shù),通過局部高溫作用,能夠修復碳化硅襯底中的晶格缺陷,提高晶體質(zhì)量,優(yōu)化摻雜元素...
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