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標(biāo)簽 > 薄膜
薄膜是一種薄而軟的透明薄片。用塑料、膠粘劑、橡膠或其他材料制成。薄膜科學(xué)上的解釋為：由原子，分子或離子沉積在基片表面形成的2維材料。例：光學(xué)薄膜、復(fù)合薄膜、超導(dǎo)薄膜、聚酯薄膜、尼龍薄膜、塑料薄膜等等。薄膜被廣泛用于電子電器，機(jī)械，印刷等行業(yè)。
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薄膜電容以金屬箔為電極，具有無極性、高絕緣阻抗和優(yōu)異頻率特性，是電子產(chǎn)品中不可缺的關(guān)鍵元件，能提高電路穩(wěn)定性和信號(hào)傳輸質(zhì)量，使電子產(chǎn)品更加耐用。
耐高溫高導(dǎo)熱高絕緣低介電聚酰亞胺PI膜特性用途及知名品牌
耐高溫導(dǎo)熱聚酰亞胺薄膜，作為一種高性能材料，具有一系列獨(dú)特的特性和廣泛的用途。以下是對(duì)其特性和用途的詳細(xì)闡述：一、特性耐高溫性：聚酰亞胺薄膜具有極高的熱...
薄膜電容，是電子元件中一類重要的電容器，以一層或多層很薄的絕緣塑料薄膜為介質(zhì)，兩側(cè)蒸鍍金屬層作為電極而制成的電容器。 薄膜電容在電子、家電、通訊、電力...
薄膜電容是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜從兩端重疊后卷繞成圓筒狀構(gòu)造的電容器。 薄膜電容絕緣電阻高，容量范圍廣，穩(wěn)定...
點(diǎn)光譜共焦測(cè)厚系統(tǒng)：薄膜厚度測(cè)量的創(chuàng)新利器
光譜共焦傳感器不受薄膜材料光學(xué)特性的過多干擾，無論是透明薄膜還是具有一定吸光性的薄膜，都可以進(jìn)行有效的測(cè)量。
薄膜電容是以金屬箔為電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜制成的電容器。 因有無極性、耐壓高、溫度特性好、絕緣阻抗高、頻率特性好等優(yōu)...
黃色外殼薄膜電容與安規(guī)X電容外觀雖然相似但不是同一種電容，薄膜電容采用塑料薄膜作介質(zhì)，不需要安規(guī)認(rèn)證；安規(guī)X電容用于抗干擾，需強(qiáng)制安規(guī)認(rèn)證，獲得安規(guī)認(rèn)證...
薄膜電容在電子設(shè)備中重要，由金屬電極和介質(zhì)塑料薄膜材料構(gòu)成，薄膜電容的薄膜厚度影響性能，選購(gòu)需根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合和參數(shù)挑選的薄膜電容。
薄膜電容作為電子元器件，廣泛用于電路系統(tǒng)，在使用過程中存在損耗問題，損耗影響電容性能，且對(duì)電路系統(tǒng)穩(wěn)定性不利。損耗越小越好。
不同厚度的ITO薄膜光學(xué)和電學(xué)性能對(duì)光伏電池的影響
ITO由于其高透過率和導(dǎo)電性，已廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域。ITO薄膜的厚度對(duì)其光學(xué)性能有顯著影響，隨著膜厚增加，近紅外區(qū)域的透過率下降，反射率在波長(zhǎng)高于...
建筑銅銦鎵硒薄膜光伏系統(tǒng)電氣設(shè)計(jì)與安裝（一)立即下載
類別：電源技術(shù) 2024-10-24 標(biāo)簽：薄膜光伏系統(tǒng) 88 0
鍋?zhàn)衅材べN片開關(guān)輕觸開關(guān)立即下載
類別：電子元器件應(yīng)用 2022-09-30 標(biāo)簽：薄膜輕觸開關(guān) 257 0
薄膜連棟溫室大棚建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)立即下載
類別：傳感與控制 2022-06-24 標(biāo)簽：薄膜控制系統(tǒng) 591 0
類別：規(guī)則標(biāo)準(zhǔn) 2022-04-24 標(biāo)簽：薄膜裝置 357 0
你了解哪些薄膜太陽(yáng)能電池4大薄膜太陽(yáng)能電池介紹立即下載
類別：電子資料 2021-03-17 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池薄膜電源技術(shù) 3329 0
Aigtek功率放大器如何幫助制備(1~100nm)級(jí)的納米薄膜
納米薄膜材料，是納米材料在二維空間內(nèi)的應(yīng)用材料，是納米晶粒在二維平面內(nèi)按照一定的排列方式粘合，晶粒分子之間的間隙及其小的的薄膜，具有薄層致密和晶粒納米級(jí)...
文章鏈接：https://doi.org/10.1063/5.0172805 ? 摘要 薄(100nm厚)疏水聚合物薄膜被用于許多需要防水的應(yīng)用。然而,...
本文介紹了SiO2薄膜的刻蝕機(jī)理。 干法刻蝕SiO2的化學(xué)方程式怎么寫？刻蝕的過程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學(xué)方程式？ 如上圖，以F系氣體刻蝕為例，反...
氮化硅（Si?N?）薄膜是一種高性能介質(zhì)材料，在集成電路制造領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅，還具備對(duì)...
一、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅（Si3N4）薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜的介電特性優(yōu)于二氧化硅，具有對(duì)可移動(dòng)離子較強(qiáng)...
在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中，薄膜技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。而磁控濺射鍍膜作為一種常用的薄膜制備方法，其工藝的成功與否關(guān)鍵在于對(duì)薄膜性能的準(zhǔn)確表征。 一、薄膜的物理...
薄膜電容是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜從兩端重疊后卷繞成圓筒狀構(gòu)造的電容器。薄膜電容絕緣電阻高，容量范圍廣，穩(wěn)定性...
型號(hào)RCML08W103JT薄膜排阻規(guī)格參數(shù)功能及供應(yīng)商
1. 產(chǎn)品概述 RCML08W103JT是一款高精度薄膜排阻(又稱網(wǎng)絡(luò)電阻)，廣泛用于對(duì)電阻精度和一致性有高要求的電路應(yīng)用場(chǎng)景。薄膜排阻的主要特點(diǎn)是它將...
? ? ? 本文介紹了磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對(duì)薄膜的影響。 磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對(duì)薄膜的性能有著決定性的影響。這些參數(shù)包括濺射氣壓、濺射功率、靶基距、基底...
深圳榮盛源誠(chéng)摯相邀您共赴2024深圳國(guó)際薄膜與膠帶展
2024深圳國(guó)際薄膜與膠帶展（FILM & TAPE EXPO）將于2024年11月6-8日在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）舉辦，深圳市榮盛源科技...
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