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《芯片設計》是2009年11月上海科學技術出版社出版的圖書，作者是（德）B.科爾特，（德）J.菲根。
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近年來，半導體封裝變得越發復雜，更加強調設計的重要性。半導體封裝設計工藝需要各類工程師和業內人士的共同參與，以共享材料信息、開展可行性測試、并優化封裝特...
光纖微裂紋診斷儀（OLI）對硅光芯片耦合質量和內部裂紋損傷檢測非常有優勢，以亞毫米級別的空間分辨率精準探測到光鏈路中每個事件節點，具有靈敏度高、定位精準...
在大多數情況下，循環訓練并不是贏家，但它具有競爭性。由于各種原因，該研究沒有測試循環訓練的招牌功能：通過學習其他芯片設計來提高其性能。
為了實現64GT/s的鏈路速度，PCIe 6.0采用脈沖幅度調制4級 (PAM4) 信號，在與32GT/s PCIe相同的單元間隔(UI)中提供4個幅度...
基本共源極電路，除了輸入阻抗失配外，輸出端因為RC時間常數的影響，可能還會限制其工作頻率，然后其增益還受工藝電壓的影響。
大概是能看的出來兼容adx112的，采用的是spi的接口，在這個章節我們主要講是如何編寫驅動程序，所以先跳過一些重要信息。
芯片表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構成。
LEF和DEF是APR工程師工作中經常會碰到的兩類文件，也會對APR的基礎配置和APR的flow產生直接的影響。基本相當于APR物理設計的基礎建設。
有兩個因素影響CMOS集成電路的速度，即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開關的時間;互連延遲由芯片設計、工藝技術，以及互連的導體和電介質材料決定。
在將CAN數據導入應用程序時發生丟失CAN幀的情況，通常是由于應用程序花費太多時間處理某一報文，應用程序暫停等待用戶交互，或者應用程序正在等待共享系統資...
經過半導體制造（FAB）工序制備的電路圖形化晶圓容易受溫度變化、電擊、化學和物理性外部損傷等各種因素的影響。
在模擬電路中信號都是連續的，并且在任意一個位置都有與之相對于的值，比如正弦波，三角波，鋸齒波，各種噪音等信號。
在芯片設計過程中，通常會針對特殊情況導致芯片無法使用額外添加一些功能，使得芯片具有更好的抗干擾能力。自恢復設計應用場景很廣泛，比如、針對芯片溫度過高的處...
Siemens的Calibre是業內權威的版圖驗證軟件，被各大Foundry廠廣泛認可。用戶可以直接在Virtuoso界面集成Calibre接口，調用版...
芯片設計分為前端設計和后端設計，前端設計（也稱邏輯設計）和后端設計（也稱物理設計）并沒有統一嚴格的界限，涉及到與工藝有關的設計就是后端設計。
在一個晶圓上，通常有幾百個至數千個芯片連在一起。它們之間留有80um至150um的間隙，此間隙被稱之為劃片街區（Saw Street）。
今天要介紹的時序基本概念是Mode（模式）. 這是Multiple Scenario環境下Sign off的一個重要概念。芯片的設計模式包括最基本的功能...
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