WD4000系列晶圓幾何量測系統：全面支持半導體制造工藝量測，保障晶圓制造工藝質量

晶圓面型參數厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工藝必須考慮的幾何形貌參數。其中TTV、BOW、Warp三個參數反映了半導體晶...

2024-06-01 標簽：半導體晶圓芯片制造 960 0

半導體工藝技術：器件的制造步驟

電信號處理工業始于上個世紀初的真空管，真空管使得收音機、電視機和其他電子產品成為可能。它也是世界上第一臺計算機的大腦。

2024-04-28 標簽：集成電路晶體管芯片制造 507 0

半導體工藝晶圓片的制備過程

先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。 晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對8吋，12吋硅片的應用在不斷擴大。這些直徑分別為100mm、150mm、2...

2024-04-15 標簽：芯片制造硅片晶圓制造 1403 0

淺談刻蝕的終點控制

當等離子體轉變到這種狀態時，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調整脈沖的占空比，可以將時間平均離子能量分...

2024-04-09 標簽：集成電路等離子體芯片制造 988 0

實現異構集成與小芯片優勢的關鍵“互連”

在多層集成電路中，薄的、短的局部互連提供片上連接，而厚的、長的全局互連在不同的塊之間傳輸。正如Lam Research技術總監Larry Zhao所詳細...

2024-04-07 標簽：微控制器pcbsoc 705 0

半導體制造工藝 - 晶圓制造的過程

芯片制造是當今世界最為復雜的工藝過程。這是一個由眾多頂尖企業共同完成的一個復雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個匯總，對這個復雜的過程有一個全面而概括的描述。

2024-03-29 標簽：芯片制造蝕刻單晶硅 3886 0

芯片的常見功耗問題盤點

Cadence產品管理總監Melika Roshandell表示：“盡管基本漏電較之前的技術有所降低，但總體功耗卻更高。所以，熱量問題將更加嚴重，因為你...

2024-03-25 標簽：傳感器芯片cpu 1256 0

半導體晶圓直徑與厚度之間的關系

厚度的增加雖然提高了晶圓的穩定性，但同時也帶來了新的挑戰，如熱管理問題和加工難度增加。更厚的晶圓意味著在制造過程中，熱量的分布可能更不均勻，這可能會影響...

2024-03-25 標簽：晶圓芯片制造半導體晶圓 2215 0

芯片制作流程分解說明

芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標簽：芯片NAND晶圓 1205 0

光刻機的發展歷程及工藝流程

光刻機經歷了5代產品發展，每次改進和創新都顯著提升了光刻機所能實現的最小工藝節點。按照使用光源依次從g-line、i-line發展到KrF、ArF和EU...

2024-03-21 標簽：芯片集成電路芯片制造 6717 0

芯片制造工藝：光學光刻-掩膜、光刻膠

制造集成電路的大多數工藝區域要求100級（空氣中每立方米內直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數不超過約3500）潔凈室，在光刻區域，潔凈室要求10級或更高。

2024-03-20 標簽：集成電路晶圓芯片制造 2971 0

芯片制造工藝為什么用黃光?

光刻是集成電路（IC或芯片）生產中的重要工藝之一。簡單地說，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復制電路圖案的過程。

2024-03-18 標簽：集成電路芯片制造光刻 2632 0

揭秘芯片制造工藝——硅的氧化過程

由于只有熱氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高質量氧化層，因此通常采用熱氧化的方法生成柵氧化層和場氧化層。

2024-03-13 標簽：集成電路芯片制造MOS 3497 0

芯片制造工藝：晶體生長基本流程

從液態的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術稱為直拉法（Czochralski）。半導體工業中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。

2024-03-12 標簽：集成電路多晶硅晶體 4446 0

芯片內部有多小呢？芯片內部為什么能這么小？

芯片藏身于城市中隨處可見的電子設備，智能手機、電腦、家電等都離不開它的控制。

2024-03-12 標簽：晶圓晶體管芯片制造 655 0