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標簽 > 碳化硅MOSFET
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國產碳化硅MOSFET行業亟需通過315打假曝光技術參數障眼法等亂象
國產碳化硅MOSFET行業的技術參數障眼法與可靠性缺失問題已引發廣泛關注,結合行業現狀與315打假的公共監督作用,深度分析如下: 一、國產碳化硅MOSF...
2025-03-16 標簽:碳化硅MOSFET 183 0
國產碳化硅MOSFET良幣劣幣亂同時并存反映了行業發展陣痛期
國產碳化硅MOSFET行業中“良幣”與“劣幣”現象的并存,深刻反映了中國第三代半導體產業在技術追趕、資本過熱和政策滯后等多重矛盾下的階段性陣痛。以BAS...
國產碳化硅MOSFET“最低比導通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相
國產碳化硅MOSFET“最低導通電阻和最低比導通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析: 為了謀求短期利益博取融資或者投資,中長期損害終端客戶利益和...
國產碳化硅MOSFET通過技術優勢推動GB20943-2025能效新標準的實現
GB20943-2025標準的核心更新內容,基于GB20943-2025能效標準的國產SiC MOSFET技術優勢分析以及產生的功率半導體行業變革: G...
2025-03-03 標簽:碳化硅MOSFET 228 0
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