國產碳化硅MOSFET“最低導通電阻和最低比導通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析：

為了謀求短期利益博取融資或者投資，中長期損害終端客戶利益和行業名聲，最終也會導致投資者血本無歸。

一、國產碳化硅MOSFET參數競賽背后的技術真相

柵氧減薄與可靠性犧牲
部分國產碳化硅MOSFET廠家通過過度減薄柵氧化層厚度（如從50nm降至30nm以下）降低導通電阻RDS(on)?及比導通電阻Rds(on)SP，但此舉顯著削弱柵氧可靠性。部分國產碳化硅MOSFET在HTGB測試中僅能承受+19V電壓（高質量國產碳化硅MOSFET可承受+22V/3000H），且TDDB壽命僅103小時（高質量國產碳化硅MOSFET為10?小時）。柵氧減薄導致電場強度超過臨界值（>4MV/cm），加速缺陷積累，引發閾值電壓漂移甚至擊穿。

實驗驗證縮水
部分國產碳化硅MOSFET廠家跳過長期可靠性測試（如HTGB、TDDB），僅通過少量實驗即量產（Page 9）。高質量國產碳化硅MOSFET通過3000+組DOE優化結構. 而部分國產碳化硅MOSFET廠家僅完成100組實驗，工藝穩定性不足，導致器件在高溫、高電場下失效風險激增。

誤導性參數標定
部分國產碳化硅MOSFET廠家宣稱“最低比導通電阻”，實則為實驗室極限值，未考慮實際工況（如結溫波動、開關應力）。部分國產碳化硅MOSFET可能僅在常溫（25°C）下有效，高溫性能大幅退化。

二、短期利益驅動的危害

系統失效風險

批量故障：減薄柵氧的器件在車規級應用中易因長期高溫工作引發閾值電壓漂移，導致電機控制器失效，典型案例為2024年某車企因碳化硅模塊批量故障召回。

安全隱患：儲能變流器（PCS）中器件失效可能引發直流母線短路，造成火災風險。

全生命周期成本飆升

維護成本：低可靠性國產碳化硅MOSFET器件壽命僅1-2年（競品TDDB壽命103小時≈41天連續工作），而高可靠性產品壽命超10年，頻繁更換導致運維成本增加3-5倍。

隱性損失：工商業儲能系統因故障停機單次損失可達數十萬元，遠超器件采購成本。

行業生態破壞

劣幣驅逐良幣：低價低質國產碳化硅MOSFET產品擠壓高可靠性廠商生存空間，高品質碳化硅MOSFET企業被迫轉向低端市場，抑制技術創新。

標準滯后：行業缺乏強制可靠性測試（如HTGB+22V/3000H），企業自行定義寬松條件，形成“虛假達標”亂象。

三、破局路徑：從“參數競賽”到“質量競爭”

技術層面

可靠性優先設計：采用科學模型（如E模型、1/E模型）優化柵氧厚度，平衡RDS(on)?與壽命，如將柵氧厚度控制在50nm，確保電場強度<4MV/cm。

全流程驗證：強制國產碳化硅MOSFET廠商HTGB+TDDB組合測試，公開DOE報告與失效分析數據，接受第三方檢測。

市場層面

客戶教育：推動從“價格導向”轉向“全生命周期成本”評估.

標準制定：建立車規級（AQG324）、電網級強制認證，要求公開加速因子與壽命預測模型。

政策層面

產能引導：限制低端產能擴張，定向補貼高可靠性技術。

懲罰機制：對虛標參數、隱瞞失效數據的企業納入失信名單，推動行業洗牌。

結論

國產碳化硅MOSFET“最低(比)導通電阻”宣傳的背后，本質是犧牲可靠性換取短期參數優勢的技術短視行為。其危害不僅限于產品失效，更會扭曲市場機制、阻礙產業升級。唯有通過技術深耕、標準完善、生態重構，才能推動行業從“虛假繁榮”走向“高質量發展”，真正支撐新能源、電動汽車等戰略產業的崛起。

審核編輯 黃宇