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標(biāo)簽 > 硅片
硅片,是制作集成電路的重要材料,通過對硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導(dǎo)體器件。在米粒大的硅片上,已能集成16萬個晶體管,這是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個里程碑。
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PFA過濾延展網(wǎng)在半導(dǎo)體硅片制備過程中的作用
PFA氟聚合物延展網(wǎng)可作為濾膜介質(zhì)支撐,解決濾膜在強力和高壓下的耐受力,延展網(wǎng)孔孔距不會受壓力變化而變距,在半導(dǎo)體和高純硅片的制備和生產(chǎn)中得到更廣泛的應(yīng)...
在半導(dǎo)體制造過程中,硅片的封裝是至關(guān)重要的一環(huán)。封裝不僅保護(hù)著脆弱的芯片免受外界環(huán)境的損害,還提供了芯片與外部電路的連接通道。然而,封裝過程中硅片的翹曲...
硅片形貌效應(yīng)及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關(guān)系的解析
硅片形貌效應(yīng)在光刻工藝中十分重要,特別是在現(xiàn)代集成電路制造中,如FinFET等先進(jìn)器件結(jié)構(gòu)以及雙重圖形技術(shù)的廣泛應(yīng)用下,硅片表面的微小不平整性對光刻結(jié)果...
“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝,其中包括3大步驟的工藝:涂膠、曝光、顯影。三個步驟有一個異常,整個光刻工藝都需要返工處理,因此現(xiàn)場異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”
光伏多晶硅是一種用于制造太陽能電池的材料,其分片過程是將整塊的多晶硅切割成適合制造太陽能電池的小塊。這個過程對于提高太陽能電池的效率和降低成本至關(guān)重要。...
美國進(jìn)口 KRi 考夫曼離子源 KDC 160 硅片刻蝕清潔案例
上海伯東美國 KRi 大尺寸考夫曼離子源 KDC 160 適用于 2-4英寸的硅片刻蝕和清潔應(yīng)用, KRi KDC 160 是直流柵網(wǎng)離子源, 高輸出離...
隧穿氧化物鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)仍吸引著光伏行業(yè)生產(chǎn)商的大量關(guān)注。然而,在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,電池會遇到繞鍍和邊緣漏電流的問題。這些現(xiàn)象會導(dǎo)致電池的光學(xué)和...
前言硅片按照產(chǎn)品工藝進(jìn)行分類,主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經(jīng)介紹SOI硅片,本期關(guān)注硅拋光片和外延片。硅拋光片硅拋光片又稱硅單晶拋...
專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit,簡稱ASIC)是一種針對特定應(yīng)用設(shè)計和制造的集成電路。與通...
2024-04-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料硅片數(shù)字信號處理器 514 0
分凝吸雜由雜質(zhì)的溶解度梯度或硅片不同區(qū)域?qū)﹄s質(zhì)的溶解能力不同產(chǎn)生。與釋放機(jī)制不同,分凝吸雜,吸雜區(qū)一般都在器件區(qū)的外邊。
2024-04-01 標(biāo)簽:硅片 940 0
半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)
最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合,這種形式的拋光稱為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是,將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個墊面的高...
使用ICP-MS/MS進(jìn)行光伏硅片表面Ti納米顆粒表征的實驗過程
高度潔凈的硅片是光伏電池與集成電路生產(chǎn)過程中的基本要求,其潔凈度直接影響產(chǎn)品的最終性能、效率以及穩(wěn)定性。硅片是由硅棒上切割所得,其表面的多層晶格處于被破...
如何利用3D激光輪廓傳感器實現(xiàn)硅片位置度(搭邊)檢測
針對搭邊缺陷檢測,基于相機(jī)采集的深度圖像,導(dǎo)入VM 3D軟件中,依據(jù)mark點定位到每個料盤的四個角點,分別在角點料坑上下曲小區(qū)域計算均值,可取四對或八...
KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用
上海伯東代理美國 KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清...
本文回顧了硅片視覺檢測從EL檢測向PL檢測的技術(shù)轉(zhuǎn)變,詳細(xì)介紹了兩款革命性光源的崛起,包括1050nm紅外光源和低成本PL光源。這兩款光源以其低成本和高...
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