摘要

本文回顧了硅片視覺檢測從EL檢測向PL檢測的技術轉變，詳細介紹了兩款革命性光源的崛起，包括1050nm紅外光源和低成本PL光源。這兩款光源以其低成本和高效率的優點，改變了硅片檢測的格局，帶來了全新的發展機遇。

硅片視覺檢測在現代科技領域中具有重要地位，它對于確保硅片質量的高標準起著關鍵作用。在過去的發展歷程中，從傳統的EL檢測到PL檢測的替代，再到如今兩款革命性的光源的引入，硅片視覺檢測的技術不斷進步與演變。本文將帶您回顧硅片視覺檢測的發展歷程，并介紹兩款低成本替代PL激光檢測的革命性光源，它們為硅片檢測帶來了全新的突破。

傳統EL檢測與PL檢測的轉折點

在硅片視覺檢測的初期發展階段，EL檢測（電致發光）方案被廣泛采用。該方案通過正向偏壓并觀察硅片的自發光情況來檢測缺陷。然而，EL檢測存在一些隱患，如二次隱裂風險和低檢測效率。二次隱裂風險指的是傳統EL檢測需要將探針接觸到硅片表面，可能引發硅片的二次隱裂，對硅片的完整性構成潛在威脅。而檢測效率較低是因為傳統EL檢測需要逐片進行接觸式檢測，導致檢測速度較慢，限制了生產效率的提高。

隨著技術的進步，PL檢測（光致發光）方案應運而生，成為EL檢測的轉折點。PL檢測利用特定波長的激光對樣品進行光學激發，通過高靈敏的相機感光和成像，實現非接觸式檢測。相比EL檢測，PL檢測具有諸多優勢，如消除了二次隱裂風險、提高了檢測效率，并能準確判斷硅片內部缺陷情況。然而，PL檢測存在激光器和配套相機價格高昂的問題，限制了其廣泛應用。

革命性光源的崛起

1050nm紅外光源的突破性應用

隨著硅片尺寸的增大和厚度的減小，近紅外光源發現了機會。經過測試，發現波長為1050nm的紅外光源可以穿透部分薄硅片。由于硅片對近紅外光具有較低的吸收率和較高的透光率，大部分紅外光可以穿透硅片。因此，我們可以從原硅片的另一側放置近紅外相機進行成像，觀察硅片內部和外觀的缺陷，如隱裂、崩邊缺角和表面臟污等。這種非接觸式檢測方法不僅避免了EL檢測接觸式檢測可能引發的二次隱裂風險，而且成本低于PL檢測使用的激光模組，同時提高了檢測效率和準確性。

低成本PL光源的革命性突破

在市場競爭日益激烈的背景下，高昂的激光模塊價格勸退了許多廠家。此時，P-LSG-350-PL光源異軍突起，以價格低廉且同樣能激發硅片中處于基態的電子進入激發態。這款光源在圖像效果上與激光模塊的效果一致，解決了PL檢測中激光模塊價格高且激光專用相機低像素價格就居高不下的問題。低成本PL光源的問世，使得更多廠家能夠采用高分辨率的相機，提高圖像的精度和檢測的準確性。

結語

硅片視覺檢測在過去的幾十年中經歷了從EL檢測到PL檢測的技術轉變。然而，高成本的激光模組和配套設備限制了PL檢測的廣泛應用。隨著1050nm紅外光源的突破性應用和低成本PL光源的革命性突破，硅片視覺檢測迎來了全新的發展機遇。這兩款光源技術以其價格合理和性能卓越的特點，改變了硅片檢測的格局，光源已經批量出貨，并得到客戶的持續好評。為廠家提供了更靈活、高效、準確的選擇。客戶對1050nm紅外光源和低成本PL光源的持續好評進一步證明了它們在實際應用中的優越性和可靠性。硅片視覺檢測行業正在迎接新的發展時代，光源的革命性突破為行業帶來了更廣闊的前景與機遇。

審核編輯：湯梓紅