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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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英飛凌率先開發全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業變革
●憑借這一突破性的300mmGaN技術，英飛凌將推動GaN市場快速增長●利用現有的大規模300mm硅制造設施，英飛凌將最大化GaN生產的資本效率●300...
英飛凌率先開發全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術， 推動行業變革
2024年9月11日訊，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發出全球首項300 mm氮化鎵（GaN...
40W雙C口氮化鎵快充方案助力Iphone16系列順利發售！
誠芯微多款合封氮化鎵方案齊上陣，涵蓋20W、30W、45W、65W、100W等多功率段。一顆合封氮化鎵芯片可輕松取代初級側兩到三顆芯片的功能，通過高集成...
兩位IEEE Fellow授課│第三代半導體器件技術與應用高級研修班10月上海開班
來源：內容來自中國電源學會01組織機構主辦單位：中國電源學會承辦單位：中國電源學會科普工作委員會、英飛凌-上海海事大學功率器件應用培訓和實驗中心、上海臨...
基于氮化鎵的電源芯片U8722BAS具有更低成本效益GaN是一種改變我們的生活方式，應用前景廣泛的特新材料。氮化鎵技術正在提供更快的開關速度、更小的尺寸...
來源：集邦化合物半導體 7月底，總部位于比利時奧德納爾德（Oudenaarde, Belgium）的硅基GaN（氮化鎵）晶圓代工廠宣布申請破產，近日傳出...
氮化鎵(GaN)功率半導體市場風起云涌,引領技術革新與產業升級
自去年以來，氮化鎵（GaN）功率半導體市場持續升溫，成為半導體行業的焦點。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業界巨頭紛紛通過并購GaN技術公司，加速在這一領域的布...
氮化鎵是一種由氮和鎵結合而來的化合物，其中氮在元素周期表排序第7位，鎵排序第31位，7月31日世界氮化鎵日因此得名，同時也以英文名GaN Day傳播到全...
火熱的7月，火熱的慕尼黑上海電子展(electronica China)！2024年7月8日至9日，備受矚目的"第三代半導體技術與產業鏈創新發...
GaN技術引領功率電子產業新風潮，預估2030年市場規模將突破43億美元
隨著全球對高效能電力解決方案的需求日益增加，氮化鎵(GaN)技術正在成為功率電子產業的一大亮點。近期，英飛凌和德州儀器等行業巨頭對GaN技術的投入不斷加...
10月30-31日重磅來襲丨CS China常州會議精彩劇透！匯聚頂流技術大咖，聚焦行業前沿風向！
化合物半導體是我國重構全球半導體產業競爭格局的重要突破口！隨著競爭的加劇，化合物半導體材料進入技術創新爆發期，各種新技術、新產品層出不窮。氮化鎵、碳化硅...
全球半導體行業的佼佼者羅姆公司，即將于2024年8月28日至30日在深圳國際會展中心（寶安新館）盛大亮相，參與備受矚目的2024深圳國際電力元件、可再生...
近日，杭州東漸氮化鎵半導體有限公司與上海海神機器人科技有限公司，在前者位于上海的總部隆重舉行了戰略合作協議簽約儀式。此次合作標志著兩家行業領軍企業在科技...
電子發燒友網（文/梁浩斌）最近國內的首個第三代半導體芯片原廠提出了在港交所IPO上市的申請，不出意外的話將會獲得成功上市。這對于國內眾多三代半的功率器件...
7月31日，是世界氮化鎵日。在這個充滿探索與突破的時代，氮化鎵憑借其卓越的特質和廣袤的應用維度，化作科技領域的一顆冉冉升起的新星。氮化鎵的登場，給電子行...
全球最高功率密度！納微全新4.5kW服務器電源方案正式發布，輕松滿足AI數據中心增長的功率需求
納微氮化鎵和碳化硅混合設計電源能在最小尺寸下，為每個搭載AI GPU的機柜提升3倍功率 加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFas...
恒功率U872XAH系列氮化鎵快充芯片YINLIANBAOU872XAH1恒功率U872XAH系列氮化鎵快充芯片包含了U8722AH、U8723AH、U...
近年來，氮化鎵(GaN)技術以其在高功率、高效率和高頻率應用中的顯著優勢，迅速成為半導體行業的焦點。尤其是在人工智能(AI)、智能汽車和新能源等新興領域...
這不閃極！Retro 麥金塔20W氮化鎵充電器套裝僅49.9元
人們常說好看的皮囊千篇一律，這其實意味著大家審美的普遍性，美得越經典越經受得起考驗。閃極Retro 麥金塔氮化鎵系列充電器的設計也正是如此，它的創意來自...
本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術可實現高功率密度和更小的...
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