35W氮化鎵磁吸收納線快充充電器拆解

充電頭網拿到了優勝仕推出的一款35W氮化鎵磁吸收納線快充，這款充電器與傳統充電器不同的一點是配備了磁吸伸縮USB-C線模塊，既可以安裝磁吸USB-C線模...

2023-12-19 標簽：充電器氮化鎵USB-C 1315 0

氮化鎵(GaN)器件基礎技術問題分享

作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優勢。

2023-12-07 標簽：半導體晶體管功率器件 3264 0

基于氮化鎵逆變器建模損耗的原因及考慮因素

本文研究了四個經常被忽略的因素對基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響：器件的[寄生電容]()、時變功耗（Ploss）下的結溫度（*T*~j~）動力學、殼...

2023-12-06 標簽：轉換器濾波器氮化鎵 1366 0

一種可以通過光的偏振來控制焦距的超透鏡

可以改變焦距的鏡頭用于各種光學設備，例如可變放大倍率相機的變焦鏡頭、雙筒望遠鏡、光學顯微鏡和投影儀。 最近，智能手機相機等小型光學單元也配備了可變放大倍...

2023-12-05 標簽：投影儀氮化鎵顯微鏡 845 0

基于電感耦合反應離子刻蝕的氮化鎵干蝕研究

GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經成功地用于實現藍-綠光發光二極管和藍光激光二極管。由于它們優異的化學和熱穩定性，在沒有其它輔助的...

2023-12-05 標簽：半導體晶圓氮化鎵 581 0

不同氮化鎵蝕刻技術的比較

GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法...

2023-12-01 標簽：半導體晶圓氮化鎵 892 0

淺析現代半導體產業中常用的半導體材料

半導體材料是半導體產業的核心，它是制造電子和計算機芯片的基礎。半導體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現代半導體產業中常用的半導...

2023-11-29 標簽：集成電路MOSFET半導體材料 1542 0

氧化鎵器件介紹與仿真

本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結構，并且由于氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導...

2023-11-27 標簽：二極管半導體氮化鎵 2604 0

氮化鎵器件介紹與仿真

本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關內容。

2023-11-27 標簽：二極管仿真氮化鎵 3542 0

氮化鎵充電器原理 氮化鎵充電器原理圖

隨著科技的發展，電子產品已經成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產品的正常運行，需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半...

2023-11-24 標簽：充電器氮化鎵電磁波 6302 0

SIC比SI有什么優勢？碳化硅優勢的實際應用

SiC的導熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優點結合在一起。導熱率是指熱量從半導體結傳遞到外部環境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C...

2023-11-23 標簽：電動汽車逆變器IGBT 2349 0

深入了解 GaN 技術

深入了解 GaN 技術

2023-12-06 標簽：柵極氮化鎵GaN 6214 0

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

2023-12-01 標簽：氮化鎵GaN功率密度 538 0

基于氮化鎵的分容水冷一體機解決方案

簡單來說，化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經過繁雜的工序，只是生成半成品電芯，還未完成激活就無法正常使用，因此需要化成分容設備激活內部的活性物質，...

2023-11-22 標簽：鋰電池DC-DC氮化鎵 903 0

大面積燒結的進步提高了功率模塊的性能

以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體可在功率轉換應用中實現更快的開關速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導體效率的提高，碳化...

2023-11-21 標簽：SiC氮化鎵功率模塊 1089 0