IGBT雙脈沖測試的測量參數及波形分析

通過雙脈沖測試，可以得到IGBT的各項開關參數。

2023-11-24 標簽：IGBT直流母線脈沖測試 1.1萬 0

介紹幾種普遍使用的集電極電壓尖峰抑制的方法

IGBT關斷時，集電極電流Ic迅速減小到0，急劇變化的di/dt流經在系統雜散電感，產生感應電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上，使IGBT承受高于平常的電壓...

2022-08-08 標簽：二極管IGBT雜散電感 7959 0

igbt參數詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態參數

在可使用的結溫范圍內柵極-發射極短路狀態下，允許的斷態集電極-發射極最高電壓。

2023-07-21 標簽：二極管連接器IGBT 5910 0

納芯微帶保護功能的單通道隔離驅動NSI6611在電控系統中的運用介紹

主驅電控系統是新能源汽車的重要組成部分，本文將從電控系統的系統框圖出發，介紹系統的各組成部分及其功能，并重點介紹納芯微帶保護功能的單通道隔離驅動NSI6...

2024-03-18 標簽：功率管電控系統雜散電感 3702 0

IGBT雙脈沖測試的實測原理及電路拓撲結構

通常我們對某款IGBT的認識主要是通過閱讀相應的datasheet，數據手冊中所描述的參數是基于一些已經給定的外部參數條件測試得來的，而實際應用中的外部...

2023-11-24 標簽：示波器IGBT續流二極管 3379 0

新能源電機絕緣系統關鍵參數-PDIV（一）

直奔主題，下圖為典型的雙電極電壓（極性從正極到負極交替變化的電壓）沖擊圖。

2023-07-18 標簽：二極管MOSFETSiC 2416 0

如何實現純電動汽車電機驅動系統三相線濾波磁環的設計？

電機驅動系統中的主要干擾源是功率開關器件的開關動作，目前車用硅基 IGBT 的工作頻率一般為10kH，同時由于電路中雜散電感等寄生參數的存在

2023-11-09 標簽：IGBT電磁兼容性雜散電感 2343 0

IGBT模塊短路的性能有哪些？寄生導通現象有哪些？

IGBT模塊短路特性強烈地依賴于具體應用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅動電路及短路回路阻抗。

2023-08-04 標簽：分壓器IGBT短路 2289 0

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-08 標簽：IGBT功率模塊碳化硅 1929 0

車規模塊系列：賽米控SKiN技術介紹

芯片互連技術包括兩大類，有綁定線和無綁定線兩大類。其中，有綁定線的，我們再熟悉不過了，也是技術最為成熟的一類

2023-10-10 標簽：散熱器IGBTSiC 1779 0

IGBT模塊關斷電阻對關斷尖峰的非單調性影響

在IGBT模塊的使用過程中，關斷時刻的電壓尖峰限制著系統的工作電壓，特別在高壓平臺的應用中對于模塊電壓尖峰要求更高

2023-10-10 標簽：IGBTMOS驅動電路 1658 0

IGBT驅動器直接并聯的優點和技術介紹

IGBT驅動器在并聯的場合有2種配置方法（LS1，LS2為雜散參數）

2024-04-26 標簽：驅動器IGBT電源電壓 1633 0

聊一聊英飛凌DSC(雙面水冷)的車規模塊

新能源汽車向著高功率密度和高可靠性的方向發展，為了滿足這方面的需求，功率模塊無論從電氣性能（Si基和WBG材料的芯片）還是封裝（低雜散電感，先進的互連技...

2023-10-30 標簽：電動汽車新能源汽車逆變器 1558 0

如何利用IGBT雙脈沖測試電路改變電壓及電流測量探頭的位置？

利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯的續流二極管（下文簡稱FRD）的相關參數進行測量與評估。

2023-11-24 標簽：二極管示波器IGBT 1471 0

影響靜態均流的因素 IGBT芯片溫度對均流的影響

并聯IGBT的直流母線側連接點的電阻分量，因此需要盡量對稱；

2024-05-10 標簽：二極管IGBT雜散電感 1452 0

雜散電感對碳化硅功率器件動態測試的影響

電感是導體的一種特性，會阻礙電流的變化。電感阻礙電流的變化并不會消耗電能，而是以磁場/電磁感應的方式存儲釋放能量，以達到阻礙電流變化的目的。

2023-06-30 標簽：功率器件動態測試碳化硅 1413 0

基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設計

功率模塊從硅IGBT技術過渡到基于SiC MOSFET技術是不可避免的。然而，從硅IGBT時代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術的商業化，因為它們...

2024-05-08 標簽：MOSFETIGBT功率模塊 1055 0

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。

2023-09-27 標簽：BGASiC芯片封裝 720 0

碳化硅功率器件封裝的關鍵技術有哪些呢？

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。

2023-08-03 標簽：振蕩器電磁干擾BGA封裝 514 0