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雜散電感

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　　雜散電感是指由電路中的導(dǎo)體如：連接導(dǎo)線、元件引線、元件本體等呈現(xiàn)出來的等效電感。

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雜散電感技術(shù)

影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對均流的影響

并聯(lián)IGBT的直流母線側(cè)連接點的電阻分量，因此需要盡量對稱；

2024-05-10 標簽：二極管 IGBT 雜散電感 1452 0

基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計

功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而，從硅IGBT時代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化，因為它們...

2024-05-08 標簽：MOSFET IGBT 功率模塊 1055 0

IGBT驅(qū)動器直接并聯(lián)的優(yōu)點和技術(shù)介紹

IGBT驅(qū)動器在并聯(lián)的場合有2種配置方法（LS1，LS2為雜散參數(shù)）

2024-04-26 標簽：驅(qū)動器 IGBT 電源電壓 1633 0

納芯微帶保護功能的單通道隔離驅(qū)動NSI6611在電控系統(tǒng)中的運用介紹

主驅(qū)電控系統(tǒng)是新能源汽車的重要組成部分，本文將從電控系統(tǒng)的系統(tǒng)框圖出發(fā)，介紹系統(tǒng)的各組成部分及其功能，并重點介紹納芯微帶保護功能的單通道隔離驅(qū)動NSI6...

2024-03-18 標簽：功率管電控系統(tǒng)雜散電感 3701 0

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-08 標簽：IGBT 功率模塊碳化硅 1929 0

如何利用IGBT雙脈沖測試電路改變電壓及電流測量探頭的位置？

利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進行測量與評估。

2023-11-24 標簽：二極管示波器 IGBT 1470 0

IGBT雙脈沖測試的測量參數(shù)及波形分析

通過雙脈沖測試，可以得到IGBT的各項開關(guān)參數(shù)。

2023-11-24 標簽：IGBT 直流母線脈沖測試 1.1萬 0

IGBT雙脈沖測試的實測原理及電路拓撲結(jié)構(gòu)

通常我們對某款I(lǐng)GBT的認識主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet，數(shù)據(jù)手冊中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測試得來的，而實際應(yīng)用中的外部...

2023-11-24 標簽：示波器 IGBT 續(xù)流二極管 3378 0

如何實現(xiàn)純電動汽車電機驅(qū)動系統(tǒng)三相線濾波磁環(huán)的設(shè)計？

電機驅(qū)動系統(tǒng)中的主要干擾源是功率開關(guān)器件的開關(guān)動作，目前車用硅基 IGBT 的工作頻率一般為10kH，同時由于電路中雜散電感等寄生參數(shù)的存在

2023-11-09 標簽：IGBT 電磁兼容性雜散電感 2342 0

聊一聊英飛凌DSC(雙面水冷)的車規(guī)模塊

新能源汽車向著高功率密度和高可靠性的方向發(fā)展，為了滿足這方面的需求，功率模塊無論從電氣性能（Si基和WBG材料的芯片）還是封裝（低雜散電感，先進的互連技...

2023-10-30 標簽：電動汽車新能源汽車逆變器 1555 0

IGBT模塊關(guān)斷電阻對關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響

在IGBT模塊的使用過程中，關(guān)斷時刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓，特別在高壓平臺的應(yīng)用中對于模塊電壓尖峰要求更高

2023-10-10 標簽：IGBT MOS 驅(qū)動電路 1658 0

車規(guī)模塊系列：賽米控SKiN技術(shù)介紹

芯片互連技術(shù)包括兩大類，有綁定線和無綁定線兩大類。其中，有綁定線的，我們再熟悉不過了，也是技術(shù)最為成熟的一類

2023-10-10 標簽：散熱器 IGBT SiC 1779 0

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。

2023-09-27 標簽：BGA SiC 芯片封裝 720 0

IGBT模塊短路的性能有哪些？寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些？

IGBT模塊短路特性強烈地依賴于具體應(yīng)用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動電路及短路回路阻抗。

2023-08-04 標簽：分壓器 IGBT 短路 2288 0

碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢？

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。

2023-08-03 標簽：振蕩器電磁干擾 BGA封裝 514 0

igbt參數(shù)詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)

在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi)柵極-發(fā)射極短路狀態(tài)下，允許的斷態(tài)集電極-發(fā)射極最高電壓。

2023-07-21 標簽：二極管連接器 IGBT 5909 0

新能源電機絕緣系統(tǒng)關(guān)鍵參數(shù)-PDIV（一）

直奔主題，下圖為典型的雙電極電壓（極性從正極到負極交替變化的電壓）沖擊圖。

2023-07-18 標簽：二極管 MOSFET SiC 2416 0

雜散電感對碳化硅功率器件動態(tài)測試的影響

電感是導(dǎo)體的一種特性，會阻礙電流的變化。電感阻礙電流的變化并不會消耗電能，而是以磁場/電磁感應(yīng)的方式存儲釋放能量，以達到阻礙電流變化的目的。

2023-06-30 標簽：功率器件動態(tài)測試碳化硅 1412 0

介紹幾種普遍使用的集電極電壓尖峰抑制的方法

IGBT關(guān)斷時，集電極電流Ic迅速減小到0，急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感，產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上，使IGBT承受高于平常的電壓...

2022-08-08 標簽：二極管 IGBT 雜散電感 7959 0

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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