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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效晶體管
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MOS管功能特性與實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景解析
那這兩張圖是完全等價(jià)的,我們可以看到MOS管是有三個(gè)端口,也就是有三個(gè)引腳,分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要,只要記住他...
MOSFET和三極管ON狀態(tài)它們到底有何區(qū)別呢?
MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應(yīng)用的非常廣泛的一種場(chǎng)效晶體管。
為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)...
今天要介紹的數(shù)字后端基本概念是FinFET Grid,它也是一種設(shè)計(jì)格點(diǎn)。介紹該格點(diǎn)前,我們首先來了解一下什么是FinFET技術(shù)。
2023-07-12 標(biāo)簽:CMOS技術(shù)場(chǎng)效晶體管FinFET技術(shù) 1306 0
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
MOSFET是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)
2023-05-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電流 1919 0
4200A-SCS參數(shù)分析儀簡(jiǎn)化BioFETs DC I-V表征的四種方式
可以通過很多方式在bioFETs上進(jìn)行DC I-V測(cè)試。最簡(jiǎn)便的方式是使用多個(gè)源測(cè)量單元(SMUs),SMU是一種同時(shí)提供和測(cè)量電流和電壓的儀器。
2021-04-28 標(biāo)簽:生物傳感器參數(shù)分析儀SMUs 1691 0
MOSFET規(guī)格書解讀與參數(shù)詳解立即下載
類別:電子元器件應(yīng)用 2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFETN溝道場(chǎng)效晶體管 1554 1
具有PMBus的1v/30集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)立即下載
類別:電源技術(shù) 2017-05-09 標(biāo)簽:pmbus場(chǎng)效晶體管 1051 0
MOSFET功率器件行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
Trench MOS:溝槽型MOS,主要低壓領(lǐng)域100V內(nèi);SGT (Split Gate)MOS:分裂柵MOS,主要中低壓領(lǐng)域200V內(nèi);SJ MOS...
關(guān)于MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳細(xì)解析
功率MOSFET在上世紀(jì)80年代開始興起,在如今電力電子功率器件中,無疑成為了最重要的主角器件。
2021-04-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效晶體管 4273 0
據(jù)報(bào)導(dǎo),日前,比亞迪股份公告表示,公司董事會(huì)審議通過《關(guān)于擬籌劃控股子公司分拆上市議案》,同意公司控股子公司比亞迪半導(dǎo)體籌劃擬分拆及于中國(guó)境內(nèi)一家證券交...
2021-01-06 標(biāo)簽:IGBT新能源車場(chǎng)效晶體管 1617 0
電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的金氧半場(chǎng)效晶體管選擇
DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)...
2012-05-07 標(biāo)簽:電源系統(tǒng)開關(guān)控制器場(chǎng)效晶體管 1377 0
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