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關于MOSFET的驅(qū)動技術詳細解析

旺材芯片 ? 來源:個人圖書館 ? 作者:yxhzcr ? 2021-04-12 17:03 ? 次閱讀

MOSFET簡介

MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-半導體-場效晶體管

MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀60年代,首先出現(xiàn)在模擬電路的應用。

功率MOSFET在上世紀80年代開始興起,在如今電力電子功率器件中,無疑成為了最重要的主角器件。

MOSFET的一些主要參數(shù)

耐壓:通常所說的VDS,或者說是擊穿電壓。那么一般MOS廠家是如何來定義這個參數(shù)的呢?

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上面這個例子顯示,當驅(qū)動電壓為0,Vds達到200V的時候,Id這個電流達到了250uA,這個時候認為已經(jīng)達到擊穿電壓。

不同的廠家對此定義略有不同,但是基本上來說,當電壓超過擊穿電壓,MOS的漏電流就會急劇上升。

導通電阻:

MOSFET在導通之后,其特性可以近似認為是一個電阻

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上面這個例子表示,在驅(qū)動電壓為10V的時候,導通電阻為0.18歐姆

導通電阻的溫度關系:

MOS的導通電阻隨溫度上升而上升,下圖顯示該MOS的導通電阻在結(jié)溫為140度的時候,為20度時候的2倍。

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導通閥值電壓:就是當驅(qū)動電壓到達該值之后,可認為MOS已經(jīng)開通。

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上面這個例子,可以看到當Vgs達到2-4V的時候,MOS電流就上升到250uA。這時候可認為MOS已經(jīng)開始開通。

驅(qū)動電壓和導通電阻,最大導通電流之間的關系

從下圖可以看到,驅(qū)動電壓越高,實際上導通電阻越小,而且最大導通電流也越大

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導通閥值電壓隨溫度上升而下降

MOSFET的寄生二極管

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寄生二極管比較重要的特性,就是反向恢復特性。這個在ZVS,同步整流等應用中顯得尤為重要。

MOSFET的寄生電容

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這三個電容的定義如下:

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MOS的寄生電容都是非線性電容,其容值和加在上面的電壓有關。所以一般的MOS廠家還會用另外一個參數(shù)來描述這個特性:

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用電荷來描述

MOSFET的驅(qū)動技術

MOS雖然是電壓型驅(qū)動,但是由于寄生電容的存在,必須要求驅(qū)動電路提供一定的驅(qū)動電流。

較小的驅(qū)動電流,會導致MOS的GS電壓上升緩慢,降低了開關速度,提高了開關損耗。

米勒電容Cgd

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米勒電容雖然看起來很小,但是對驅(qū)動的影響很大,特別在VDS比較高的場合。但是在ZVS和同步整流等應用中,由于VDS會在驅(qū)動上來之前,下降到零,就不存在這個問題。

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上面的例子定義驅(qū)動能力為峰值電流(在特定條件下)

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有些廠商就用內(nèi)阻來定義驅(qū)動能力。

當IC本身的驅(qū)動能力不足的時候,就需要外加驅(qū)動電路來增強驅(qū)動能力,以達到快速開關MOS的需求

1.采用分立器件,比如圖騰柱。

2.采用集成的驅(qū)動IC.

MOSFET的低端(low side)驅(qū)動:

所謂低端驅(qū)動,就是驅(qū)動電路的參考地,就是MOS的S端。

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低端驅(qū)動,電路往往比較簡單,除了驅(qū)動能力之外,還是需要注意一些細節(jié)。

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MOSFET的高端(High Side)驅(qū)動

很多情況下,MOSFET的S極并不是IC的參考地,比如BUCK開關管,橋式電路的上管……

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自舉驅(qū)動,利用自舉電路,自動抬升供電電壓。自舉的驅(qū)動芯片種類很多,但是需要注意其耐壓。

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對于二極管整流的buck,自舉驅(qū)動需要注意的問題。

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利用變壓器隔離驅(qū)動:

對于浮地的MOS,或者和IC隔離的MOS,通常可以采用變壓器隔離驅(qū)動

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變壓器隔離驅(qū)動的關鍵:

變壓器隔離驅(qū)動關鍵考慮的問題,就是變壓器的復位,比較常用是利用隔直電容來復位,但是需要注意的是,采用隔直電容之后,有可能變壓器傳遞的電壓幅度和占空比有關。需要考慮變壓器的變比。

對于跨初次級的驅(qū)動變壓器,還需要考慮其耐壓的問題。

利用簡單倍壓電路來抬升驅(qū)動電壓。

下圖的驅(qū)動電路,可以傳遞大占空比的驅(qū)動信號,而且可以讓驅(qū)動電壓不下降。

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隔直電容帶來的問題:

由于隔直電容會儲存能量,所以在驅(qū)動消失之后,隔直電容會和變壓器產(chǎn)生諧振,導致驅(qū)動電路傳遞錯誤的驅(qū)動信號。

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為了降低這個問題的影響。可以利用這些電阻來阻尼這個震蕩。

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對具有隔直電容的驅(qū)動電路,有些IC會植入soft stop的功能:在關機時候,讓驅(qū)動的占空比逐漸降低到0.

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為了避免這個隔直電容帶來的問題,可以采用無電容的變壓器驅(qū)動電路。

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如果用IC直接驅(qū)動變壓器,那么需要注意:

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同步整流驅(qū)動,需要注意邏輯的問題

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同步整流2個管子的驅(qū)動關系為互補,但是當主管長時間關斷的時候,整流管就會出現(xiàn)長時間導通的情況。

所以在關機的時候,不能簡單的把主管驅(qū)動信號置低,而要同時把整流管的驅(qū)動信號也置低。

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MOS的并聯(lián)驅(qū)動,并聯(lián)驅(qū)動要盡量保證每個管子的驅(qū)動線對稱。

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編輯:lyn

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原文標題:分析 | MOSFET的驅(qū)動技術詳細解剖!

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