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在投影光刻機照明系統中，均勻照明是保證加工出的線條線寬均勻一致的一項重要技術。通常，用于光刻機照明系統的勻光元件有積分棒、衍射光學元件和微透鏡陣列。積分...
提到CPU性能，大部分同學想到的都是CPU利用率，這個指標確實應該首先被關注。但是除了利用率之外，還有很容易被人忽視的指標，就是指令的運行效率。如果運行...
提到CPU性能，大部分同學想到的都是CPU利用率，這個指標確實應該首先被關注。但是除了利用率之外，還有很容易被人忽視的指標，就是指令的運行效率。
光刻（Photolithography） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“...
光刻機用UV光源，其通過特殊光學設計發射出接近平行光的UV平行光，使特定波段的紫外線通過掩膜掩孔對集成電路高精密線路完成蝕刻曝光顯影的工作。
清洗硅片（Wafer Clean） 清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性 基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。
光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形...
光刻是在晶圓上創建圖案的過程，是芯片制造過程的起始階段，包括兩個階段——光掩膜制造和圖案投影。
EDA技術的核心是將電子設計自動化，實現快速、準確、方便的電路設計和仿真，以提高電路設計的效率和可靠性。通過提高EDA技術的運用水平，可以縮短電路設計周...
光刻是將設計好的電路圖從掩膜版轉印到晶圓表面的光刻膠上，通過曝光、顯影將目標圖形印刻到特定材料上的技術。光刻工藝包括三個核心流程：涂膠、對準和曝光以及光...
沒有半導體設備的支持，芯片制造的任何一個環節都難以完成芯片的交付，但目前國產化率在全球市場中所占的比例很低。
DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithogr...
其全流程涉及了從 EUV 光源到反射鏡系統，再到光掩模，再到對準系統，再到晶圓載物臺，再到光刻膠化學成分，再到鍍膜機和顯影劑，再到計量學，再到單個晶圓。
用于集成電路制造的光刻機有兩種：半導體光刻機和光學（光刻）光刻機。下面將分別介紹這兩種光刻機的相關知識。半導體光刻機是根據芯片制造的工藝和設備來劃分的，...
光掩模可以被認為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允許它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創建圖案的原因。
節點的尺寸數值基本上和晶體管的長寬成正比關系，每一個節點基本上是前一個節點的0.7倍。這樣以來，由于0.7X0.7=0.49，所以每一代工藝節點上晶體管...
1.要讓掩模版上圖形同載片臺上硅片內的圖形對準，是非常難的技術問題; 2.I作臺要調節X、Y、Z、θ四個參數; 3.快速對準是提高設備產能的關鍵;
**什么是光刻機** 光刻-Photolithography，也叫做光刻技術或者是UV光刻技術，利用光纖（準確的來說波長極短的不可見光）將幾何圖案從光...
從光刻機出來后還要經歷曝光后的烘焙，簡稱后烘。這一步的目的是通過加熱讓光刻膠中的光化學反應充分完成，可以彌補曝光強度不足的問題。
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