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超深亞微米IC設計中的天線效應
李蜀霞 劉輝華 趙建明 何春
(電子科技大學電子電子科學技術研究院 成都 610054)
【摘要】本文主要分析了超深亞微米集成電路設計中天線效應產生機理及其消除方法，同時還給出了天線比率的具體計算方法。將這些方法應用于雷達信號處理SOC 芯片后端設計中，解決了設計中存在的天線效應問題，保證了一次流片成功。
關 鍵 詞： 天線效應 柵氧 超深亞微米
中圖分類號： 文獻標識碼
Antenna Effect in VDSM IC Design
Lishuxia Liuhuihua Zhaojianming Hechun
(Research Institute of Electronic Science and Technology of UESTC ChengDu 610054)
Abstract: The paper analyzed the mechanism and elimination methods of Process Antenna Effect in Ultra-deep submicron IC design, also provided the antenna ratio calculation mehod.And these methods were adopted in “CC0MP Radar SOC” layout design successfully.
Key words: PAE gate-oxide VDSM
李蜀霞 劉輝華 趙建明 何春
(電子科技大學電子電子科學技術研究院 成都 610054)
【摘要】本文主要分析了超深亞微米集成電路設計中天線效應產生機理及其消除方法，同時還給出了天線比率的具體計算方法。將這些方法應用于雷達信號處理SOC 芯片后端設計中，解決了設計中存在的天線效應問題，保證了一次流片成功。
關 鍵 詞： 天線效應 柵氧 超深亞微米
中圖分類號： 文獻標識碼
Antenna Effect in VDSM IC Design
Lishuxia Liuhuihua Zhaojianming Hechun
(Research Institute of Electronic Science and Technology of UESTC ChengDu 610054)
Abstract: The paper analyzed the mechanism and elimination methods of Process Antenna Effect in Ultra-deep submicron IC design, also provided the antenna ratio calculation mehod.And these methods were adopted in “CC0MP Radar SOC” layout design successfully.
Key words: PAE gate-oxide VDSM
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