資料介紹
砷化鎵射頻(RF)元件憑藉著優異的雜訊處理及高線性等特色,成為高效能通訊設備開發人員長久以來的首選方案;然而,近來隨著絕緣層覆矽(SOI)制程技術的突破,以矽材料為基礎的RF元件性能已大幅突破,成為替代砷化鎵方案的新選擇。
近來矽基產品在技術上的突飛猛進,再結合設計制程的改變,使其在高效能射頻(RF)及微波應用中,已逐步展現做為砷化鎵替代方案的可行性。設備技術的快速進展帶動的需求,通常可以引導發展出最佳設計,即使此一最佳設計在開始之初可能遭到質疑,但仍有獲得實踐及突破的機會。直到最近,工程師 們在為4G基地臺、寬頻中繼器、分散式天線等裝置設計RF及微波電路時,都會選擇使用砷化鎵場效電晶體(GaAs FET),以達到最佳雜訊控制及線性效果。
但在相同應用之中,囿于種種原因,矽基產品方案卻很少為設計師們所考慮,如今矽基產品已有較以往更為有效的設計,包括大小、成本、可靠度、穩定時間等都已大幅提升,除此之外,在雜訊、失真、瞬間回應等方面亦皆有所改進,可以做為電路設計的重要組成。
砷化鎵技術優劣參半
砷化鎵技術在無線應用領域,始終扮演著重要角色,其優點是低雜訊及高度線性效果,此二者均超越了矽基產品。因為雜訊及線性是系統中的可變增益放大器、數 位步進衰減器、切換器、調變器及混波器等重要組件的關鍵因素,而砷化鎵在這兩個方面的優越性能,使其長期成為工程師的首選。
而矽基產品通常應用于數位環境,砷化鎵則只能使用在類比應用中。數位的設計通常需要在多層基板之中納入多晶片模組,但如此的設計通常頗為昂貴,且對于潮濕的環境相當敏感,以致必須予以特殊設計及處理。
基于砷化鎵的模組靈敏度等級通常是MSL3,故必須在密封后的一周之內予以啟用,以確保不會因濕氣而導致損壞或功效不佳,甚至導致設備在使用之初即失 效。而以矽為材料的積體電路,是以四方平面無接腳(QFN)的方式予以個別封裝,故靈敏度等級是較低的MSL1,不需要特殊處理,即可執行標準卷軸執行運 送。
矽基產品的QFN封裝方法,相較于砷化鎵的多個層板疊壓方式,前者可以擁有較佳可靠度及更低的熱電阻,簡化了散熱管理的設計。此外,砷化鎵產品具有較低的靜電釋放(ESD),表示其只能承受500V的人體放電模式(Human-Body Model, HBM),而矽基產品則可承受2kV,二者相較的結果是砷化鎵產品可能會在組裝區域中,被較低等級的ESD事件所損壞,而相同功能的矽基產品則只需要較少 的防靜電措施。
絕緣層覆矽(Silicon-On-Insulator, SOI)切換器通常具有如圖1的RON x COFF等優點,同時可以在較大的隔離中,呈現較低的插入損耗。圖1 基地臺無線電區塊圖顯示了矽基產品如何取代砷化鎵(深灰色),同時又可以在高效RF裝置中獲得更好的可靠度、 更高的集成及更低的成本。最后要說明的是砷化鎵產品往往需要依賴外部的被動元件,如感應器或電阻,使得整體空間必須放大,才足以容納這些外部元件,但同時也增加了復雜度。
砷化鎵切換器Gate Lag明顯
需要高速處理資料的設備,包括3G及4G通訊系統、工業系統等,都需要RF電晶體,才得以在接到指令后的時間要求內,完成處理或保持訊號的完整,稱為安 定時間(Settle Time)。此一安定時間會受到切換器的Gate Lag設定值所影響。一般而言,啟動切換器后的Gate Lag可以是上升時間結束的10-90%,以及在完全穩定之后,與電阻的差異。這個值通常會在啟動后的97.5-100%之間,Gate Lag也可視為RF輸出功率由90%及完全100%的時間差。
砷化鎵產品都有明顯的Gate Lag,特別是在低溫環境下,它會顯著影響系統效能。一個高速通訊系統就必須在作業之前,先等待Gate Lag造成的延遲,較長的安定時間可能會限制系統的處理速度及靈活性,也會拉長生產方案的測試時間。
矽基RF方案性能突破
雖然砷化鎵產品有著上述缺點,但其卓越的雜訊系數及Third-Order-Intercept(IP3)線性處理能力,仍是難以取代的特色。直到現在,可以做為替代品的矽基產品,才以新一代技術克服傳統的限制,提供了更可靠及更為經濟的解決方案。新一代的RF切換器,如IDT的F2912產品,其采用SOI技術可以在功率放大器(PA)裝配環境的高溫下穩定運作,這些以矽為材料的切換器可以在大于120℃的高溫下,仍然保有卓越的處理效能(0.7B插入損耗、+65dBm IP3及60dB的隔離)(圖2)。
圖2 SOI切換器的處理效能(F2912)
IDT公司另一個以矽為材料的可變增益放大器(IF Variable-Gain Amplifiers, VGA)產品F1240,可經由FlatNoise技術,提供突破性的SNR功能,FlatNoise技術可以確保即使在增益減低時,仍可將雜訊系數維持 在較低水準(如圖3),而在過去的環境中,工程師必須毫無選擇地接受每1dB帶來的增益降低,而在強化的SNR系統中,可以在最多2dB的雜訊下,仍然保 有較高線性處理效能。
近來矽基產品在技術上的突飛猛進,再結合設計制程的改變,使其在高效能射頻(RF)及微波應用中,已逐步展現做為砷化鎵替代方案的可行性。設備技術的快速進展帶動的需求,通常可以引導發展出最佳設計,即使此一最佳設計在開始之初可能遭到質疑,但仍有獲得實踐及突破的機會。直到最近,工程師 們在為4G基地臺、寬頻中繼器、分散式天線等裝置設計RF及微波電路時,都會選擇使用砷化鎵場效電晶體(GaAs FET),以達到最佳雜訊控制及線性效果。
但在相同應用之中,囿于種種原因,矽基產品方案卻很少為設計師們所考慮,如今矽基產品已有較以往更為有效的設計,包括大小、成本、可靠度、穩定時間等都已大幅提升,除此之外,在雜訊、失真、瞬間回應等方面亦皆有所改進,可以做為電路設計的重要組成。
砷化鎵技術優劣參半
砷化鎵技術在無線應用領域,始終扮演著重要角色,其優點是低雜訊及高度線性效果,此二者均超越了矽基產品。因為雜訊及線性是系統中的可變增益放大器、數 位步進衰減器、切換器、調變器及混波器等重要組件的關鍵因素,而砷化鎵在這兩個方面的優越性能,使其長期成為工程師的首選。
而矽基產品通常應用于數位環境,砷化鎵則只能使用在類比應用中。數位的設計通常需要在多層基板之中納入多晶片模組,但如此的設計通常頗為昂貴,且對于潮濕的環境相當敏感,以致必須予以特殊設計及處理。
基于砷化鎵的模組靈敏度等級通常是MSL3,故必須在密封后的一周之內予以啟用,以確保不會因濕氣而導致損壞或功效不佳,甚至導致設備在使用之初即失 效。而以矽為材料的積體電路,是以四方平面無接腳(QFN)的方式予以個別封裝,故靈敏度等級是較低的MSL1,不需要特殊處理,即可執行標準卷軸執行運 送。
矽基產品的QFN封裝方法,相較于砷化鎵的多個層板疊壓方式,前者可以擁有較佳可靠度及更低的熱電阻,簡化了散熱管理的設計。此外,砷化鎵產品具有較低的靜電釋放(ESD),表示其只能承受500V的人體放電模式(Human-Body Model, HBM),而矽基產品則可承受2kV,二者相較的結果是砷化鎵產品可能會在組裝區域中,被較低等級的ESD事件所損壞,而相同功能的矽基產品則只需要較少 的防靜電措施。
絕緣層覆矽(Silicon-On-Insulator, SOI)切換器通常具有如圖1的RON x COFF等優點,同時可以在較大的隔離中,呈現較低的插入損耗。圖1 基地臺無線電區塊圖顯示了矽基產品如何取代砷化鎵(深灰色),同時又可以在高效RF裝置中獲得更好的可靠度、 更高的集成及更低的成本。最后要說明的是砷化鎵產品往往需要依賴外部的被動元件,如感應器或電阻,使得整體空間必須放大,才足以容納這些外部元件,但同時也增加了復雜度。
砷化鎵切換器Gate Lag明顯
需要高速處理資料的設備,包括3G及4G通訊系統、工業系統等,都需要RF電晶體,才得以在接到指令后的時間要求內,完成處理或保持訊號的完整,稱為安 定時間(Settle Time)。此一安定時間會受到切換器的Gate Lag設定值所影響。一般而言,啟動切換器后的Gate Lag可以是上升時間結束的10-90%,以及在完全穩定之后,與電阻的差異。這個值通常會在啟動后的97.5-100%之間,Gate Lag也可視為RF輸出功率由90%及完全100%的時間差。
砷化鎵產品都有明顯的Gate Lag,特別是在低溫環境下,它會顯著影響系統效能。一個高速通訊系統就必須在作業之前,先等待Gate Lag造成的延遲,較長的安定時間可能會限制系統的處理速度及靈活性,也會拉長生產方案的測試時間。
矽基RF方案性能突破
雖然砷化鎵產品有著上述缺點,但其卓越的雜訊系數及Third-Order-Intercept(IP3)線性處理能力,仍是難以取代的特色。直到現在,可以做為替代品的矽基產品,才以新一代技術克服傳統的限制,提供了更可靠及更為經濟的解決方案。新一代的RF切換器,如IDT的F2912產品,其采用SOI技術可以在功率放大器(PA)裝配環境的高溫下穩定運作,這些以矽為材料的切換器可以在大于120℃的高溫下,仍然保有卓越的處理效能(0.7B插入損耗、+65dBm IP3及60dB的隔離)(圖2)。
圖2 SOI切換器的處理效能(F2912)
IDT公司另一個以矽為材料的可變增益放大器(IF Variable-Gain Amplifiers, VGA)產品F1240,可經由FlatNoise技術,提供突破性的SNR功能,FlatNoise技術可以確保即使在增益減低時,仍可將雜訊系數維持 在較低水準(如圖3),而在過去的環境中,工程師必須毫無選擇地接受每1dB帶來的增益降低,而在強化的SNR系統中,可以在最多2dB的雜訊下,仍然保 有較高線性處理效能。
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