來源 華西證券編輯：智東西內參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯網時代的來臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導體市場有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
半導體材料可分為單質半導體及化合物半導體兩類，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導體在過去主要經歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
我國科學家成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領域研究連續取得突破日前，西安郵電大學新型半導體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
半導體材料市場構成：在半導體材料市場構成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學品、建設靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
半導體材料從發現到發展，從使用到創新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初，就曾出現過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用，是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本征半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質后，因為雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內褲都跟著炒作起來了~~小編也順應潮流聊聊半導體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
半導體材料的檢測與服務，其具體功能如下：透射電鏡樣品制備是TEM分析技術的關鍵一環，特別是制備半導體芯片樣品 ，由于電子束的穿透力很弱，因此用于TEM的樣品必須制備成厚度小于100nm的薄片。通常會
2022-03-15 12:08:50
半導體制冷的機理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級，在外電場的作用下，電荷載體從高能級的材料向低能級的材料運動時，便會釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導體制冷片是利用半導體材料的Peltier效應而制作的電子元件，當直流電通過兩種不同半導體材料串聯成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現制冷的目的。它是一種產生負熱阻的制冷技術，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導體制冷片的工作原理是什么？半導體制冷片有哪些優缺點？
2021-02-24 09:24:02
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導體材料半導體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
半導體激光器又稱為激光二極管（LD，Laser Diode），是采用半導體材料作為工作物質而產生受激發射的一類激光器。常用材料有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦（InP）、硫化鋅（ZnS
2016-01-14 15:34:44
，目前市場上應用最多的還是半導體激光器。半導體激光器俗稱為激光二極管，因為其用半導體材料作為工作物質的特性，所以被稱為半導體激光器。半導體激光器通常采用的工作物質有砷化鎵、硫化鎘、磷化銦等，可以作為光纖
2019-05-13 05:50:35
進口日本半導體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產材料。聯系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
后，這些芯片也將被同時加工出來。
材料介質層參見圖3，芯片布圖上的每一層圖案用不同顏色標示。對應每一層的圖案，制造過程會在硅晶圓上制做出一層由半導體材料或介質構成的圖形。本文把這些圖形層稱之為材料介質
2024-01-02 17:08:51
半導體是什么？芯片又是什么？半導體芯片是什么？半導體芯片內部結構是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
年代，當材料的提純技術改進以后，半導體才得到工業界的重視。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅則是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。芯片芯片(chip)，又稱微芯片
2020-11-17 09:42:00
SiC器件的50%至70%。可用性 –砷化鎵作為一種材料已經在射頻應用中廣泛使用，是世界上第二大最常用的半導體材料。由于其廣泛使用，它可以從多個來源獲得，其制造工藝類似于硅。這些因素都支持該技術的低成本
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點定位，尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
的HG106A砷化鎵線性霍爾效應IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅半導體具有高頻、高溫
2013-11-13 10:56:14
關鍵詞：AKM，旭化成，砷化鎵線性霍爾效應IC，響拇指電子，Sumzi提要：AKM的HG106C砷化鎵線性霍爾效應IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體
2013-11-13 10:54:57
Sumzi官網AKE的HG166A砷化鎵線性霍爾效應IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅半導體具有
2013-11-13 10:53:33
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
MOS 管的半導體結構MOS 管的工作機制
2020-12-30 07:57:04
TGF2040砷化鎵晶體管產品介紹TGF2040報價TGF2040代理TGF2040咨詢熱線TGF2040現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司, TGF2040是離散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化鎵晶體管產品介紹TGF2160報價TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
更大直徑的晶圓，一些公司仍在使用較小直徑的晶圓。半導體硅制備半導體器件和電路在半導體材料晶圓的表層形成，半導體材料通常是硅。這些晶圓的雜質含量必須非常低，必須摻雜到指定的電阻率水平，必須是制定
2018-07-04 16:46:41
我廠專業生產半導體加熱材料，半導體烘干設備，這種新型的半導體材料能節約能源，讓熱能循環再利用。如有需要請聯系我們。網址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
5倍的晶體管速度。硅仍然是最廣泛使用的半導體材料，然而，鍺砷化物是專門用于高速，非常大規模集成電路(VLSI)設計。鍺還被用于某些用途。這三種材料---- 硅、鍺和砷化鎵---- 是最常用的半導體材料
2022-04-04 10:48:17
哪種半導體工藝最適合某一指定應用？對此，業界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
、磁阻元件、磁敏二極管、磁敏三極管等。主要材料有銻化銦、砷化銦、鍺和硅等。這類器件的優點是結構簡單，體積小，易于集成化，耐沖擊，頻響寬（從直流到微波），動態范圍大，而且可以實現無接觸檢測，不存在磨損，抗污染，不產生火花，使用安全，壽命長，因此它在測量技術、自動控制和信息處理等方面有廣泛的應用。
2019-09-10 10:42:32
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩定的導通電
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導體器件，其性能僅為碳化硅（SiC）的70%左右。本文對10kW LLC轉換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進行基準測試，該轉換器也常用于高效電動汽車充電
2023-02-21 16:27:41
簡介 AKE（旭化成）的HG106A砷化鎵線性霍爾效應IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅
2013-08-22 16:11:17
比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅半導體具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，這就
2013-06-19 17:00:47
硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅半導體具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，這就使得使用該
2013-06-17 17:05:35
材料，而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅半導體具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，這就使得使用該材料制作的霍爾線性器件具有更高的可靠性
2013-05-20 11:41:47
比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅半導體具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，這就
2013-05-21 14:45:25
硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅半導體具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，這就使得使用該
2013-05-21 14:41:41
與廠商合作關系***廠仍具有領先優勢。
砷化鎵產業的功率放大器PA是最要的營收來源，那么是否有新技術能夠取代之將會是左右產業的關鍵，半導體CMOS制程的PA即與穩懋的GaAs制程不同，擁有價格較低
2019-05-27 09:17:13
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
`砷化鎵GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7倍，非常適合
2016-09-15 11:28:41
的滲透力。1.GaN在5G方面的應用射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的半導體材料。與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化
2019-07-05 04:20:06
急需一種流動性更強的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導體之一，普渡大學通過這種材料做出了全球首款3D環繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
摘要：介紹了氧化物半導體甲烷氣體敏感元件的工作機理，論述了改善氧化物半導體甲烷氣敏傳感器性能的幾種途徑。采用加入催化劑、控制材料的微細結構、利用新制備工藝和表面修飾等新方法、新技術可提高氧化物半導體
2018-10-24 14:21:10
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
產工藝，計劃最終可以確保***獲得性能更高，成本更加低廉的射頻元件。無線手機消費需求的激增加速了砷化鎵成為主流商業應用的步伐，這強有力地助推了規模經濟。化合物半導體提供商斥資數億美元修建了大規模的砷化鎵
2017-08-15 17:47:34
激光器是20世紀四大發明之一，半導體激光器是采用半導體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優勢，是應用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
和相同電阻值的砷化鋁鎵PIN二極管和砷化鎵PIN二極管，砷化鋁鎵PIN二極管具有更小的結面積和更低的結電容，從而可提高電路性能。關于MACOMMACOM是一家新生代半導體器件公司，集高速增長、多元化和高
2018-03-22 10:59:54
模塊化，按最初的定義是把兩個或兩個以上的電力半導體芯片按一定的電路結構相聯結，用RTV、彈性硅凝膠、環氧樹脂等保護材料，密封在一個絕緣的外殼內，并且與導熱底板相絕緣而成的。
2019-11-11 09:02:31
實驗名稱：基于電場誘導的白光LED結構化涂層制備及其應用研究 研究方向：電場誘導結構制備工藝試驗研究 實驗內容： 本文主要圍繞：平面電極和機構化電極兩種電場誘導工藝進行試驗研究，在平面電極
2022-03-29 15:44:41
。 （三）IC 制造與封裝 封裝設計、測試、設備與應用、制造與封測、EDA、MCU、印制電路板、封裝基板、半導體材料與設備等。 （四）第三代半導體 第三代半導體器件、功率器件、砷化鎵、磷化鎵、金剛石
2021-11-17 14:05:09
或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體
2020-04-22 11:55:14
有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等。我們通常把導電性差的材料，如煤
2020-02-18 13:23:44
化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的化合物半導體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應用在技術成熟度曲線的位置，對我們研發、投資切入有著極其重要的意義。作為
2017-02-22 14:59:09
的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。 半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2016-11-27 22:34:51
請問一下VGA應用中硅器件注定要改變砷化鎵一統的局面？
2021-05-21 07:05:36
，因此我們能夠借用各種各樣的既有商業光刻和加工技術。借助這些方法，精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產生各種各樣的器件拓撲結構變得相對簡單。其他寬帶隙的半導體材料不具備這種難以置信的有用特性，甚至氮化鎵也不
2023-02-27 15:46:36
，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無線通信的發展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
各位大神，目前國內賣銦鎵砷紅外探測器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
半導體材料,半導體材料是什么意思
半導體材料（semiconductor material）
導電能力介于導體與絕緣體之間的物質稱為半
2010-03-04 10:28:03
5544 低維半導體材料, 低維半導體材料是什么意思
實際上這里說的低維半導體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，主要是不想
2010-03-04 10:31:425083 半導體材料 系列的制造方法及應用技術 1、離子注入法制備GaN基稀釋磁性半導體材料的方法 2、一種晶體半導體材料系列A2MM3Q6 3、光致發光的半導體材料 4、在基體或塊體特別是由半導體
2011-11-01 17:34:39
54 晶圓制備包括襯底制備和外延工藝兩大環節。襯底（substrate）是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環節生產半導體器件，也可以進行外延工藝加工生產外延片。外延
2018-08-28 14:44:5916194 
半導體材料是一類具有半導體性能，用來制作半導體器件的電子材料。常用的重要半導體的導電機理是通過電子和空穴這兩種載流子來實現的，因此相應的有N型和P型之分。半導體材料通常具有一定的禁帶寬度，其電特性
2019-03-29 15:06:1113755 單晶半導體材料制備技術說明。
2021-04-08 11:53:2935 半導體材料作為半導體產業鏈上游的重要環節，在芯片的生產制造過程中起到關鍵性作用。根據芯片制造過程劃分，半導體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來制造硅晶圓或化合物半導體
2023-08-14 11:31:471209
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