吸波材料是能有效吸收入射電磁波、降低目標回波強度的一類功能材料。傳統的吸波材料大多是基于Salisbury吸收屏原理設計，其典型不足是體積過大。隨著通信、隱身等領域對吸波材料性能要求越來越高，傳統吸波材料已不能滿足民用、尤其是軍事應用需求。因此，研制更薄、更輕、頻帶更寬的新型吸波材料已成為當前的緊迫課題。超材料（Metamaterial，MTM）是近年來電磁領域的研究熱點之一，其特點是具有亞波長的周期性單元結構。該單元結構如同傳統材料的原子和分子，通過空間組合，可表現出新的電磁特性和功能。超材料的研究經歷了電磁帶隙結構（Eleetromagnetie Band Gap，EBG）、左手材料（Left Hand Material，LHM）和基于光學變換的異向介質等發展歷程，其特性幾乎涵蓋電磁領域。研究表明，利用超材料的奇異電磁特性，不僅可改善天線和性能，研制新型設備，還可為新型吸波材料的研制提供新的技術手段。綜述基于超材料的新型吸波材料及其在天線隱身應用方面的研究進展，對比分析各種吸波材料的特點，展望其在天線隱身領域的應用前景。

　　1、基于MTM的新型吸波材料依據MTM的電磁特性，基于MTM的吸波材料，（Metamaterial Absorber，MA）可分為兩類：利用同相反射特性的吸波材料和利用媒質參數可調的吸波材料。 1.1、同相反射特性吸波材料同相反射特性吸波材料依據其同相反射特性角的不同，可分為吸波型吸波材料和干涉型吸波材料兩類。 1）、吸波型吸波材料。該吸波材料包括兩部分：具有同相反射特性的MTM結構層和損耗層。損耗層材料可以是傳統電損耗材料，也可以直接將集總電阻加載在貼片之間作為損耗層，選擇適當的電阻值可以在一定頻段內較好地吸收入射電磁波。這種結構的設計依然是基于Salisbury屏原理，但由于MTM同相反射特性，不存在0.25 λ波長厚度限制，可以實現超薄特性。 2000年，N.Engheta等首次提出利用MTM同相反射特性實現超薄吸波材料的構想。基于該構想.2005年，S.Simms等利用 mushroom-like EBG結構實現了超薄吸波結構，該結構將耗損層放置在離高阻表面很近的地方，從而實現一定頻帶內的吸波作用。以此設計為基礎，Gao等進一步提出外加集總電阻構成吸波結構的方案，并給出反射系數和相位測試參數，如圖1，2所示。與Simms等提出的吸波結構相比，Gao等人提出的吸波材料更薄、且結構更為緊湊。 2）、干涉型吸波材料。該吸波材料按電磁波相干涉原理設計。對于傳統干涉型吸波材料，當電磁波垂直入射到吸波材料表面時，一部分被反射出去，該反射波稱為第一反射波，其余透入材料，在自由空間與材料間界面以及材料與金屬界面之間來回反射。當電磁波每次返回自由空間與材料界面時，都有一部分穿出此界面返回自由空間，這部分波疊加后形成第二反射波。若兩種反射波處于同一偏振面且相位相差180。則發生干涉，導致總的反射波能量急劇衰減。該吸波材料的缺點是結構較厚，吸收頻帶較窄。 2007年，Maurice Paquay等利用高阻EBG結構的同相反射特性，設計了一種新型干涉型吸波材料，如圖3所示。該吸波材料利用具有完美磁導體（PMC）特性的高阻EBG結構與完美良導體（PEC）結構組成棋盤結構。二者反射相位相差l80。其反射波相互干涉，使來波方向能量衰減，同時將后向散射能量轉移到其它角度，如圖4所示。鼻錐方向目標RCS可降低20 dB以上，-10 dB吸收帶寬為6.45 %，結構厚為0.062 5 λ。針對該設計材料帶寬較窄問題，2009年Zhang等分別提出了利用兩種具有不同反射相位特征的高阻EBG結構組成棋盤結構的改進方案。通過改進，該型吸波材料的-10 dB吸收帶寬分別達到58.5%和 32 %，結構厚度降至0.042λ。