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電動(dòng)汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心、基站、智能電網(wǎng)等為了提高了便利性，電源的高電壓化和大容量化正在進(jìn)行中。然而，從保 護(hù)地球環(huán)境的角度來看，提高便利性之外，減少了電力轉(zhuǎn)換部的損失，有效地使用也變得越來越重要。因此，能夠進(jìn)行高頻動(dòng)作， 并且高電壓大容量能量損失少的 SiC 功率半導(dǎo)體備受關(guān)注。羅姆發(fā)布了第 4 代 SiC MOSFET，是第 3 代 SiC MOSFET 的溝槽柵 結(jié)構(gòu)進(jìn)一步演進(jìn)，將導(dǎo)通電阻降低約 40%，開關(guān)損失降低約 50%。在本應(yīng)用筆記中，使用第 4 代 SiC MOSFET，進(jìn)行了 500V 輸 入 7kW 降壓型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的實(shí)機(jī)驗(yàn)證、EV 的 800V 輸入 100kW 的牽引逆變器的模擬行駛試驗(yàn)、以及 Totem-pole PFC 的實(shí) 機(jī)評(píng)價(jià)，確認(rèn)了其有用性，特此報(bào)告。
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