詳解IGBT系統[圖文] ? ??，中文名字為絕緣柵雙極型，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件功 率小和速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常 工作于幾十kHz頻率范圍內。 ??理想等效電路與實際等效電路如圖所示： ?? ??IGBT 的靜態特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態特性（開關特性）。 ??動態特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取： ?? ??IGBT的開通過程 ??IGBT 在開通過程中，分為幾段時間 ??1.與MOSFET類似的開通過程，也是分為三段的充電時間 ??2.只是在漏源DS電壓下降過程后期，PNP晶體管由放大區至飽和過程中增加了一段延遲時間。 ??在上面的表格中，定義了了：開通時間Ton，上升時間Tr和Tr.i ??除了這兩個時間以外，還有一個時間為開通延遲時間td.on:td.on=Ton-Tr.i ??IGBT在關斷過程 ??IGBT在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。【詳情： 】 ? 在綠色節能設計中的應用【IGBT、MOSFET】 ? ??器件是功率的核心器件，特別是模塊和MOSFET器件被廣泛應用于工業設備、、等領域，為這些領域的節能提供了幫助。在世界都需要節能的情況下，功率器件的重要性將日益提高，發展前景將更加光明。本專題為你呈現功率器件的最新資訊及其主要應用領域中的節能設計方案。【? 】 ? 關于IGBT保護必知問題 ? ??摘要：全面論述了的過流保護、過壓保護與過熱保護的有關問題，并從實際應用中總結出各種保護方法，這些方法實用性強，保護效果好。 ??1 引言 ??IGBT（絕緣柵雙極性）是一種用MOS來控制晶體管的新型器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點，因而廣泛應用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現意外就會使它損壞。為此，必須但對IGBT進行相關保護 本文從實際應用出發，總結出了過流、過壓與過熱保護的相關問題和各種保護方法，實用性強，應用效果好。 ?? ??圖1 IGBT的過流檢測 【詳情： 】 ? 采用IGBT設計UPS的技術方案 ? 在UPS 中使用的器件有雙極型功率、功率MOSFET、