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VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國IR 公司推出VDMOS 結(jié)構(gòu)，將器件耐壓、導(dǎo)通電阻和電流處理能力提高到一個(gè)新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個(gè)管芯包括幾千個(gè)元胞，故要求線條細(xì)，光刻精度高。所以對(duì)外延片的電阻率均勻性要求高，對(duì)外延片表面的平整度和顆粒度要求也高，我公司的產(chǎn)品是為了功率VDMOS 管專門研制開發(fā)的。
2、創(chuàng)新性和先進(jìn)性
功率 VDMOS 管用硅外延片系我公司與器件生產(chǎn)廠家密切配合，自主開發(fā)的新產(chǎn)品，屬于原始創(chuàng)新。功率VDMOS 是一種電壓控制型單極晶體管，它是通過柵極電壓來控制漏極電流的，因而它的一個(gè)顯著特點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電路簡單、驅(qū)動(dòng)功率小； 僅由多數(shù)載流子導(dǎo)電，無少子存儲(chǔ)效應(yīng)，高頻特性好，工作頻率高達(dá)100kHz 以上，為所有電力電子器件中頻率之最，因而最適合應(yīng)用于開關(guān)電源、高頻感應(yīng)加熱等高頻場合；沒有二次擊穿問題，安全工作區(qū)廣，耐破壞性強(qiáng)。它采用超大規(guī)模集成電路的精細(xì)加工技術(shù)，用N/N+外延結(jié)構(gòu)，因此對(duì)外延片的有特殊的要求和標(biāo)準(zhǔn)。
2、創(chuàng)新性和先進(jìn)性
功率 VDMOS 管用硅外延片系我公司與器件生產(chǎn)廠家密切配合，自主開發(fā)的新產(chǎn)品，屬于原始創(chuàng)新。功率VDMOS 是一種電壓控制型單極晶體管，它是通過柵極電壓來控制漏極電流的，因而它的一個(gè)顯著特點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電路簡單、驅(qū)動(dòng)功率小； 僅由多數(shù)載流子導(dǎo)電，無少子存儲(chǔ)效應(yīng)，高頻特性好，工作頻率高達(dá)100kHz 以上，為所有電力電子器件中頻率之最，因而最適合應(yīng)用于開關(guān)電源、高頻感應(yīng)加熱等高頻場合；沒有二次擊穿問題，安全工作區(qū)廣，耐破壞性強(qiáng)。它采用超大規(guī)模集成電路的精細(xì)加工技術(shù)，用N/N+外延結(jié)構(gòu)，因此對(duì)外延片的有特殊的要求和標(biāo)準(zhǔn)。
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