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LTCC基板可以提高布線密度和信號傳輸速度；基板的熱膨脹系數(shù)可以做到和硅器件接近，對安裝裸片硅器件非常有利；可以內(nèi)埋無源元件，形成立體高密度組件。
20世紀(jì)80年代以來，日、美等國在這一領(lǐng)域做了大量工作，己開發(fā)出適用于VLSI、ULSI芯片組裝要求的LTCC基板，在航天、通信、計(jì)算機(jī)和軍事等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。如美國海軍水面作戰(zhàn)中心研制的水下數(shù)字處理裝置、美國Martin Marietta公司生產(chǎn)的用于目標(biāo)搜索和識別的圖像處理電子裝置SEM-E、西屋公司制造的有源相控陣?yán)走_(dá)的T/R組件、TRW公司研制的模擬視頻信號一數(shù)字信號轉(zhuǎn)換器等都采用了LTCC基板。
目前國內(nèi)關(guān)于LTCC產(chǎn)品的研制尚處于初期發(fā)展階段，相關(guān)設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)都不成熟。國內(nèi)有幾家研究所已經(jīng)或正在引進(jìn)LTCC設(shè)備，開發(fā)LTCC功能模塊，但由于LTCC產(chǎn)品的開發(fā)與生產(chǎn)，必須依靠材料、設(shè)計(jì)、設(shè)備等多方面的支持，而且LTCC產(chǎn)品的一致性和精度完全依賴于所用材料的穩(wěn)定性和工藝，故工藝技術(shù)及優(yōu)化尤為重要。本文基于有限元分析方法對LTCC基板密集孔區(qū)域進(jìn)行研究，為LTCC基板的有限元仿真及優(yōu)化提供依據(jù)。
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