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這是一個應用說明，專用于英飛凌的2500瓦圖騰桿全橋功率因數校正（PFC）演示板，包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器，以及1EDI高壓MOSFET驅動程序。
這個演示板展示了一個高效的PFC階段，它利用Infineon的CoolGantm技術的優勢，將系統效率提高到99%以上，用于服務器或電信整流器等效率關鍵的應用。
增強模式（E模式）氮化鎵（GaN）半導體的一個獨特優勢是完全沒有任何反向恢復電荷，GaN是一種寬帶隙（WBG）材料。因此，這項技術使功率級的新拓撲成為可能，而目前的高壓超結（SJ）功率半導體無法解決這一問題。基于這些特性，圖騰柱pfc拓撲是利用Infineon的CoolGantm技術優勢的完美匹配。
我們的演示板顯示了高達2500瓦的可靠運行，基準效率為99.2%。要實現這一點，只需要兩個分立的70 MΩCoolGantm開關和兩個分立的33 MΩ650 V CoolMostm C7金開關。所有的動力部件都是表面安裝設備（SMD），能夠實現更快、更便宜的組裝過程。該控制采用英飛凌標準的ICE3連續導通模式（CCM）控制芯片實現。PWM開關頻率設置為65 kHz。
這個演示板展示了一個高效的PFC階段，它利用Infineon的CoolGantm技術的優勢，將系統效率提高到99%以上，用于服務器或電信整流器等效率關鍵的應用。
增強模式（E模式）氮化鎵（GaN）半導體的一個獨特優勢是完全沒有任何反向恢復電荷，GaN是一種寬帶隙（WBG）材料。因此，這項技術使功率級的新拓撲成為可能，而目前的高壓超結（SJ）功率半導體無法解決這一問題。基于這些特性，圖騰柱pfc拓撲是利用Infineon的CoolGantm技術優勢的完美匹配。
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