銅金屬化過程中，氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質層（IMD）的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質層（Passivation Dielectric, PD）。下圖顯示
2022-10-17 09:29:59
7618 固體鉭電容是將鉭粉壓制成型,在高溫爐中燒結成陽極體,其電介質是將陽極體放入酸中賦能,形成多孔性非晶型Ta2O5介質膜,其工作電解質為硝酸錳溶液經高溫分解形成MnO2,通過石墨層作為引出連接用。
2023-07-31 14:58:37575 
一、試驗的目的和意義 1、 電介質又稱絕緣介質，也就是絕緣材料。絕緣材料在電場的作用下，總會流過一定的電流，以發熱的形式產生能量損耗。在電壓的作用下，電介質中產生的損耗稱為介質損耗。如果介質損耗很多
2023-09-24 15:14:40698 
干法刻蝕技術是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學物質來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數的調控，可以實現各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結構
2024-01-20 10:24:561114 
ALE(LE)RELAY(NEWPCBCLASSB)
2023-03-23 01:48:30
`1.介質損耗因數的定義 絕緣介質在交流電壓作用下,電介質中的部分電能將轉變成熱能,這部分能量稱為電介質損耗,介質損耗因數一般用正切值tanδ表示。電介質損耗由電導損耗、游離損耗和極化損耗三部
2020-09-21 21:55:48
定義變量假設介質的相對電介質常數和相對磁導率分別為：Epslr = 4 - 0.3 iMiur = 1.2 - 0.6i則有：材料 1 復數介電常數-實部：epsr1_r = 4材料 1 復數
2019-05-21 06:06:05
AOE刻蝕氧化硅可以，同時這個設備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請哪位大佬指點一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
AR增強現實技術解讀
2021-01-26 06:29:13
SM91501ALE
2023-03-28 13:21:54
新加坡知名半導體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設備主管！此職位為內部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機臺poly刻蝕經驗。刻蝕設備主管需要熟悉LAM8寸機臺。待遇優厚。有興趣的朋友可以將簡歷發到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會轉發給HR。
2017-04-29 14:23:25
蒸發，所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進行。主要問題是光刻膠層經不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導致對于氮化硅使用干法刻蝕技術。蒸汽刻蝕
2018-12-21 13:49:20
嗨，我正在嘗試使用兩種材料定義基板，如附圖所示，用于ADS EM仿真。據我所知，我需要為此定義電介質通路，但我想知道是否有人可以建議如何完成。非常感謝，Mojtaba編輯：Mojtaba77于
2018-12-24 16:46:36
隨著示波器帶寬需求的不斷提升和數字處理技術的發展，示波器里越來越多地采用了帶寬增強技術，帶寬增強技術可以在相同硬件成本的情況下提供更高的帶寬。那么，這種技術是如何實現的，實用中對信號測量會有
2018-04-03 10:34:04
隨著示波器帶寬需求的不斷提升和數字處理技術的發展，示波器里越來越多地采用了帶寬增強技術，帶寬增強技術可以在相同硬件成本的情況下提供更高的帶寬。那么，這種技術是如何實現的，實用中對信號測量會有
2018-04-04 09:17:01
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機械結構的干法刻蝕技術濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
金屬化技術
原理
在電介質膜上，鍍上很薄的金屬層，如果電介質
出現短路，金屬鍍層會因此而揮發并將短路的地
方隔離開來。
2008-07-17 10:20:15
27 應用模式耦合理論計算了外腔式Fabry-Perot（F-P）干涉型光纖傳感器的輸出光強與F-P腔長的關系。對組成F-P 腔的光纖端面進行了磨平拋光及鍍多層電介質膜處理，使光纖端面反射率
2009-06-22 13:26:1727 周期介質膜壓縮光柵中的導模共振效應:使用禍合波法以及特征矩陣法計算了周期膜堆結構以及介質壓縮光柵的本征值，研究了介質型壓縮光柵產生導模共振現象的條件，并計算了導
2009-10-26 16:52:3212 文章對于第三代短波ALE（快速鏈路建立）進行了研究，對其中的關鍵技術進行了討論.并在美軍3G-ALE 標準的基礎上，根據短波信道的傳播特性，針對窄帶接收的短波快速跳頻通信
2010-01-27 11:56:1522 新型鍍膜技術實現高性能介質膜光學元件
2010-12-28 17:12:010 CH21型金屬化復合介質膜電容器
CH21 型金屬化復合膜介質電容器采用金屬化復合膜卷繞而成，樹脂浸涂包封，單向引出，具有電容量穩定、溫度系數小的特點，適用于精密儀
2009-08-21 17:25:09681 鍍復SiO2膜的電容器介質膜
成功一種能在幾百小時連續沉積SiO2膜的新穎電子束蒸發裝置，獲國家發明專利，在此基礎上
2009-12-08 09:03:32702 高介電常數柵電介質和金屬柵極技術(以下簡稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節點得以延續。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是先柵極和后柵極。后柵極又稱為可替換柵極(以下簡稱
2012-05-04 17:11:516392 
比利時微電子研究中心IMEC的研究人員們已經開發出一種納米級的氧化鋁鉿電介質（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質可用于平面 NAND Flash 結構中，并可望推動NAND flash在20nm及其以下先進制程進一步微縮。
2013-06-26 09:37:041010 全球領先的全套互連產品供應商Molex公司已經推出微波電纜組件，其中利用了Temp-Flex?空氣電介質（air-dielectric）超低損耗（ultra-low-loss）柔性微波同軸電纜
2013-07-25 11:41:482769 某項目在進行ESD測試當中，當靜電槍靠近塑膠機器浮地產品的外殼進行空氣放電時12KV，機器容易死機，重啟或者VDD損壞。本文避重就輕，由EMC的點，來折射出EMC的面與體，我們選擇了材料與器件
2018-05-18 02:19:003482 
本文將介紹MDTV用變頻芯片電介質天線的電感器選定示例。變頻芯片電介質天線改變天線的諧振頻率，涵蓋了超過相對帶寬50%的470-800MHz頻段。采用變容二極管來改變頻率，按頻道切換頻率。由于本天線實現了小型化，因此可以采用LQW系列，內置于手機終端內。
2018-01-13 09:34:089236 。從耐高溫聚合物電介質材料的發展歷史、結構特性以及應用研究等方面進行了綜述。重點介紹了耐高溫聚合物電介質材料在軌道交通牽引電機、新能源電力設備以及航空航天電氣設備等電工絕緣領域中的應用狀況。最后對耐高溫聚合物
2018-01-15 11:31:350 介電常數是電介質物理里面常見的一物理概念，但是物理意義不是十分清楚，是些書本上說，介電常數表征的是電介質的束縛電荷的能力，也可表征材料的絕緣性能，介電常數越大，束縛電荷的能力越強，材料的絕緣性能越好，既然介電常數越大。
2018-03-07 16:16:33296847 
下，電介質要消耗部分電能，這部分電能將轉變為熱能產生損耗。這種能量損耗叫做電介質的損耗。當電介質上施加交流電壓時，電介質中的電壓和電流間存在相角差Ψ，Ψ的余角δ稱為介質損耗角，δ的正切tgδ稱為介質損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質損耗的參數。儀器測量線路包括一標準回路（Cn）和一被試回路（Cx）。
2018-03-20 10:24:041781 本文主要介紹了介質損耗測試儀工作原理。介質損耗測試儀測量方式及原理、介質損耗計算公式。在交流電壓作用下，電介質要消耗部分電能，這部分電能將轉變為熱能產生損耗。這種能量損耗叫做電介質的損耗。當電介質
2018-03-20 11:08:2920028 高儲能密度和高可靠性電介質儲能材料在各種電力、電子系統中扮演著越來越重要的角色，特別是在高能脈沖功率技術領域有著不可替代的應用。
2018-07-16 11:02:044075 ），Planar fxP，在單一產品平臺上提供0.1微米生產的完整介電路線圖。 Planar fxP采用Trikon專利的Flowfill和Low k Flowfill技術，用于標準和低k金屬間電介質
2020-02-14 11:07:441594 固體介質廣泛用作電氣設備的內絕緣，常見的有絕緣紙、紙板、云母、塑料等。高壓導體總是需要用固體絕緣材料來支持或懸掛，這種固體絕緣稱為絕緣子，而用于制造絕緣子的固體介質有電瓷、玻璃、硅橡膠等。
2019-11-30 16:31:3012824 電介質物理學的相關知識，這是做電介質材料的基礎，它對各章節的內容根據教學經驗進行了精選，物理圖象和基本概念解釋的清晰透徹。而且內容中涉及到了量子力學，統計物理學，熱力學，電動力學，固體物理和半導體科學等.
2020-05-28 08:00:0045 電阻、氧化物漏電、氧化物與半導體間不希望有的損耗介電薄層、多晶硅耗盡層和表面粗糙度等等的影響。減少納米級MOS器件中柵極漏電的迫切需求刺激了用高k電介質替代SiON的努力。但是，將高k電介質引入生產線將再次引起C-V測量曲線積累區處的頻率離散。到目前為止，頻率離散的準確來源仍有待討論。
2020-08-13 14:44:00717 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進行
2020-12-29 14:42:588547 
薄膜電容的分類介紹 電介質分類 按電介質的不同可將薄膜電容器分為以下三種類型： T型：即PET –Polyethylene(聚乙烯對苯二酸鹽（或酯）)P型：即PP-Polypropylene（聚丙烯
2021-05-25 00:18:572130 平時所看到的電容器，雖然外表體型很小，但是內部卻另有乾坤，現在市場的電容器，大多數規格和尺寸都是差不多的，所以更多是比拼的是內部質量，而電介質作為核心產品原料，它的質量和發揮會直接影響到電容的優劣勢。很負責任的告訴各位，對于電介質的了解很重要，尤其是注意電介質的意外和相關處理方法。
2021-06-17 14:34:13625 與發展現狀，重點討論了導熱填料、界面相容、成型工藝對材料導熱系數的影響，最后結合導熱聚酰亞胺復合電介質材料未來發展的需要，對研究中存在的一些關鍵科學技術問題進行了總結與展望。
2022-11-11 15:13:571392 每一臺刻蝕設備都需做好在最佳條件下運行的準備。我們的刻蝕工藝工程師運用精湛的制造技術，完成這一細節工藝的處理。
2023-01-07 14:08:363141 刻蝕有三種:純化學刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072586 陶瓷電容器是以陶瓷材料為電介質的電容器的總稱。品種繁多，尺寸差異很大。按電壓可分為高壓、中壓、低壓陶瓷電容器。根據溫度系數，介電常數可分為負溫度系數、正溫度系數、零溫度系數、高介電常數和低介電常數
2023-03-08 14:40:003563 
電介質材料快速且高效的導熱散熱已成為影響電子設備發展的關鍵問題。傳統聚酰亞胺本征導熱系數較低，限制了在電氣設備、智能電網等領域中的應用，發展新型高導熱聚酰亞胺電介質
2022-09-15 10:26:332257 
檢測方案已成功應用于 low-k 電介質沉積應用 ( 特別是氮化硅 Si3N4 ), 在減少顆粒污染的同時, 縮短了生產時間.
2023-06-21 10:03:30238 
對于先通孔的過程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(ILD)、低k電介質、溝槽ESL、低k電介質的和覆蓋層(下圖(a))。
2023-08-14 10:22:56911 
一、電介質的損耗 介質損耗是指絕緣材料在電場作用下，由于介質電導和介質極化的滯后效應，在其內部引起的能量損耗。介質損耗也叫介質損失，簡稱介損。表征某種絕緣材料的介質損耗，一般不用W或J等單位來表示
2023-09-24 16:08:312299 一、電介質的電導 電介質的電導可分為離子電導和電子電導，離子電導以離子為載流體，電子電導以自由電子為載流體。 1、離子電導 實際工程上所用的電介質多少含有一些雜質離子，這些離子與電介質分子聯系非常
2023-09-26 16:47:53809 在半導體制造中，刻蝕工序是必不可少的環節。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術各有優勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關重要的。
2023-09-26 18:21:003308 
電介質是能夠被電極化的絕緣體。電介質的帶電粒子是被原子、分子的內力或分子間的力緊密束縛著，因此這些粒子的電荷為束縛電荷。
2023-11-10 09:33:03282 
信號如何在無限大的導電介質中傳播
2023-11-24 16:06:16168 
對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于，兩個射頻源：將等離子的產生和自偏壓的產生分離
2024-01-14 14:11:59512 
使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導體行業一直專注于使用先進的刻蝕
2024-01-19 16:02:42131 
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